MRAM存储器EMD4E001G-1Gb的优势介绍

在当今对数据持久性与系统可靠性要求极高的企业基础设施和数据中心中，Everspin推出的自旋转移扭矩MRAM（STT-MRAM）存储器——EMD4E001G-1Gb，凭借其卓越的性能与独特的技术优势，成为众多高性能存储解决方案中的亮点。

1、MRAM存储器无需外部电力支持的数据保护
英尚微代理的Everspin MRAM存储器能够在无需使用超级电容器或电池的情况下，实现断电数据保护。这一特性使企业基础设施与数据中心能够在关键任务系统中，显著提高数据持久性与系统可靠性，同时优化整体性能表现。

2、MRAM存储器的高性能接口与极低延迟
①类DDRx接口设计：MRAM存储器EMD4E001G采用与JEDEC标准兼容的ST-DDR4接口，并针对STT-MRAM特性进行专门优化，可轻松集成于各类存储、计算及网络应用中；
②高带宽与低延迟：MRAM存储器支持每引脚1333 MT/s的高传输速率，具备真正的字节寻址能力，响应延迟极低，满足高性能内存应用对速度的严苛要求。

3、MRAM存储器卓越的耐用性与系统设计简化
MRAM存储器具备极高的耐用性，即便在持续高负载的内存工作环境中，也能保持稳定运行。这一特性大幅简化了系统设计复杂度，帮助客户在高需求应用场景中实现更高效的数据管理。

4、MRAM存储器的高密度容量支持
作为Everspin目前容量最高、技术最先进的STT-MRAM存储器，EMD4E001G面向需要高容量、低延迟、高持久性与耐用性的企业与计算应用。其1Gb的存储密度带来以下关键优势：
①优化I/O流管理，提高延迟确定性；
②帮助存储OEM厂商显著提升产品服务质量；
③MRAM存储器适用于固态硬盘、存储加速器、计算存储等多种场景，作为持久数据缓冲区，带来系统性能的全面提升。

5、MRAM存储器EMD4E001G-1Gb的主要规格概览
①接口类型：ST-DDR4，兼容JEDEC标准BGA封装；
②传输速率：每引脚1333 MT/s（对应667MHz时钟频率）；
③MRAM存储器容量：1Gb；
④MRAM存储器应用场景：固态硬盘、存储加速器、计算存储、网络设备等。

Everspin的EMD4E001G STT-MRAM存储器不仅延续了MRAM技术在非易失性、高速度与高耐用性方面的优势，更通过高密度集成与标准化接口，为企业与数据中心用户提供了兼顾性能与可靠性的理想存储解决方案。技术咨询、选型需求或应用支持，请访问英尚微/网/页/获取信息。

审核编辑 黄宇