选型手册：MOT5122T N 沟道功率 MOSFET 晶体管

选型手册：MOT5122T N 沟道功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子（MOT）推出的 MOT5122T 是一款面向大电流低压场景的 N 沟道增强型功率 MOSFET，凭借 120V 耐压、2.0mΩ 超低导通损耗及 260A 超大电流承载能力，广泛适用于高功率系统逆变器、轻型电动车、电池管理系统（BMS）、无人机等领域。

一、产品基本信息

• 器件类型：N 沟道增强型功率 MOSFET
• 核心参数：
  • 漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：120V，适配低压大电流供电场景；
  • 导通电阻（\(R_{DS(on)}\)，\(V_{GS}=10V\)）：典型值 2.0mΩ，低压场景下导通损耗极低；
  • 连续漏极电流（\(I_D\)）：260A（\(T_c=25^\circ\text{C}\)），脉冲漏极电流（\(I_{DM}\)）达 1040A，可满足短时超大电流负载需求。

二、核心特性

• 超级 trench 单元设计：采用先进的沟槽结构，大幅降低导通电阻，提升电流密度，适配大电流功率转换场景；
• 表面贴装封装：便于高密度电路板集成，适配工业设备、电动车等对空间与功率密度要求高的应用；
• 高鲁棒性表现：单脉冲雪崩能量达 2450mJ，热阻优化（结到外壳热阻 \(R_{JC}=0.4^\circ\text{C}/W\)），大电流工况下结温控制更稳定。

三、关键电气参数（\(T_c=25^\circ\text{C}\)，除非特殊说明）

• 栅源极电压（\(V_{GS}\)）：最大值 ±20V，栅极驱动需控制在该范围以避免氧化层损坏；
• 功耗（\(P_D\)）：300W，实际应用需结合散热设计（如散热垫、金属基板）保障长期可靠工作；
• 结温范围（\(T_J\)）：-55~+175℃，存储温度范围与结温区间一致；
• 热特性：结到环境热阻 \(R_{JA}=45^\circ\text{C}/W\)，结到外壳热阻 \(R_{JC}=0.4^\circ\text{C}/W\)，优异的结壳热阻利于通过封装快速散热。

四、应用场景

MOT5122T 凭借 260A 大电流与 120V 耐压特性，典型应用包括：

• 高功率系统逆变器：在工业或新能源领域的逆变器中作为功率开关，低损耗特性提升能量转换效率；
• 轻型电动车与 BMS：为电动摩托车、电动自行车的动力系统及电池管理系统提供大电流功率控制，保障动力输出与电池安全；
• 无人机：在无人机的动力供电回路中，实现大电流高效切换，支持无人机高功率飞行需求。

五、信息来源

仁懋电子（MOT）官方产品手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际应用需以最新版手册及器件批次测试数据为准。）