选型手册：MOT70N03D N 沟道功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子（MOT）推出的 MOT70N03D 是一款面向 30V 低压大电流开关场景的 N 沟道增强型功率 MOSFET，凭借超低导通损耗、70A 大电流承载能力及 RoHS 合规性，适用于各类开关应用（如 DC-DC 转换器、负载开关等）。以下从器件特性、电气参数、封装应用等维度展开说明。

一、产品基本信息

• 器件类型：N 沟道增强型功率 MOSFET
• 核心参数：
  • 漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：30V，适配低压大电流供电场景；
  • 导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\) 时典型值 5.5mΩ，\(V_{GS}=4.5V\) 时典型值 8mΩ，低压场景下导通损耗极低；
  • 连续漏极电流（\(I_D\)）：70A（\(T_c=25^\circ\text{C}\)），脉冲漏极电流（\(I_{DM}\)）达195A，满足负载持续与短时过载需求。

二、核心特性

• 低栅极电荷与简单驱动：优化的栅极电荷特性降低驱动电路功耗，驱动要求简单，适配高频开关应用（如 PWM 控制的 DC-DC 转换）；
• 耐雪崩能力：具备指定的雪崩能量耐受能力，在感性负载开关、异常过压工况下可靠性强；
• 环保合规性：RoHS 合规且采用无铅镀层，符合绿色电子制造要求；
• 开关场景适配：专为各类开关应用设计，如负载开关、电源切换等对开关性能有要求的场景。

三、关键电气参数（\(T_c=25^\circ\text{C}\)，除非特殊说明）

• 栅源极电压（\(V_{GS}\)）：最大值 ±20V，栅极驱动需控制在该范围以避免氧化层损坏；
• 功耗（\(P_D\)）：53W，实际应用需结合散热措施（如 PCB 敷铜、散热焊盘）保障长期可靠工作；
• 热特性：结到外壳热阻（\(R_{JC}\)）2.8℃/W，结到环境热阻（\(R_{JA}\)）110℃/W，需通过封装与 PCB 设计优化热管理；
• 工作 / 存储温度范围：-55~+175℃。

四、封装与应用场景

• 封装形式：采用 TO-252 贴片封装，每卷 2500 片，适配高密度电路板的大电流开关设计；同时提供 TO-251 直插封装（对应型号 MOT70N03C，70 片 / 管），满足传统插装需求；
• 典型应用：
  • DC-DC 转换器：在 30V 级降压 / 升压转换器中作为主开关管，低损耗特性提升电源转换效率；
  • 负载开关：用于各类电子设备的功率负载切换，70A 电流能力支持设备高效启动；
  • 开关类系统：如工业控制、消费电子中的电源开关回路，实现稳定的功率切换。

五、信息来源

仁懋电子（MOT）官方产品手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际应用需以最新版手册及器件批次测试数据为准。）