安世PESD3V3X4UHM国产化替代

雷卯PESD3V3X4UHM是一款3.3V 低钳位电压的ESD二极管，封装为DFN1309-6L。PESD3V3X4UHM可以完全替代替代Nexperia安世(PESD3V3X4UHM)。
 

参数对比列表如下：
 

Parameter（参数）	PESD3V3X4UHM (雷卯 Leiditech）	PESD3V3X4UHM    （安世Nexperia）
VRWM（最大反向工作电压）	3.3V	3.3V
VBR（击穿电压）	5.5V	5.0V
Bi/Ui （双向/单向）	Ui-directional	Ui-directional
IR（漏电流）	0.1μA	0.1μA
IPP(Max)（最大脉冲峰值电流）	13A	11A
Package（封装）	DFN1309-6L	DFN1308-6
Vcmax@1A	1.5V	2V
Vcmax@Ipp （最高钳位电压）	5.6V@14A	3.7V@11A
Cj   （结电容）	0.65pF	0.8pF
ESD(Air) (空气静电保护能力）	±30KV	±25KV
ESD(Contact)（接触静电保护能力）	±30KV	±25KV

列表备注：Vrwm:反向关断电压，Vbr :击穿电压 ，VCmax@A：最大IPP条件下测的VC,  Cj: 结电容， Features：1CH :单路，Bi:双向 。
 

通过以上参数对比，可以了解是可以替代的。
 

如您正在使用以上安世这款，需要国产替代，可以联系雷卯销售人员申请样品测试。

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 PESD3V3X4UHM  性能特点

 

 

4路单向ESD保护二极管

结电容Cj=0.65pF typ

低钳位电压，随IPP 变化，最大为VC(5.6V)

高IPP ( max 14A)，抗浪涌能力强。

超低漏电流

超小封装（DFN1309-6L）

雷卯的封装是DFN1309-6L, 安世的封装是DFN1308-6 , 但是这两个封装焊盘是兼容的。 下面做图对比

 

可以看出管脚间距e 都是0.45mm，长宽管脚兼容。

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PESD3V3X4UHM 应用

SD卡信号线保护
SIM卡信号线保护
 

                          ( 应用电路)
 

Leiditech雷卯电子致力于成为电磁兼容解决方案和元器件供应领导品牌，供应ESD，TVS，TSS，GDT，MOV，MOSFET，Zener，电感等产品。雷卯拥有一支经验丰富的研发团队，能够根据客户需求提供个性化定制服务，为客户提供最优质的解决方案。