SS8109在激光产品上的应用

 

在照明细分的领域，在舞台追光、切割等灯具的恒流驱动设计，为了实现更好的调光效果，主流技术分为输出均值采样与输入端峰值采样为主；输出均值采样优点在输出的线性度会更好，但响应时间由于电感的存在，会滞后90°相位，在高速响应时无法实现电流的瞬态变化，典型代表TI的TPS92641 及一众异步调光IC；峰值采样方式由于采样在电感前端，电流瞬态响应时间可以处理更快，不存在滞后问题，输出电流特性会追随LED固有的光源特性的曲线一致，代表型IC 如TI的LM3409，VAS1253等产品。

LED电流特性曲线

常规追光灯COB 模组SS8109是一款更接近LM3409特性，输入电压高达65V，并舍去了PMOS这种高成本的器件，使用了双N-MOS架构的同步整流设计，在效率上更优于LM3409，内置并联驱动器，为了实现更高的调光效果，对调光系统进行了优化，以便实现更低的调光灰度及更高的响应时间，SDRV端口的响应时间提升，有效提高对并联MOSFET的驱动特性，以实现更高的调光灰度；频率可按需求调整设置，以便满足对不同线路及温度的设计需求。

 

SS8109的内部架构及外围应用
对于调光深度不足，对并联驱动能力的响应时间不足，及并联MOS选择差异，有着千丝万缕的影响，SS8109在设计上做了深度优化，下图是小寄生参数的低亮度波形。

PWM Duty在低灰度调光状态下的振铃

有些工程师设计电源的时候，总是惦记着散热从MOSFET的Rdson方向解决，并专心致志的研究MOSFET，而恰恰忽略了寄生电容的损耗，由于电源频率较高的条件下，MOSFET的寄生便会如影随形交缠不清，下图是在选用了小寄生参数的并联MOSFET得到的温度参数，并联MOS温度升高在并联泄放瞬间，瞬间导通时间越长，上升沿越慢，损耗相对就大。
 

并联SDRV占空比开关损耗决定了MOS的工作温度。

 

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客户设计案例

有些设计由于COB模组的双极性引线，导致线间产生的寄生电容及电感，会出现或多或少的线间干扰导致调光灰度异常，共阴极设计有效改善此应用带来的困惑。

 

 

某客户的SS8109设计线路

PWM端口PDIM可以提供正常10Hz-150KHz刷新频率（可以更高，然而响应时间随着刷新频率增加而增加）的调光信号，可以实现0.03%-100%的输出亮度调控，解析度0.01%以上， 

 

 

SS8109可提供输出5A左右的驱动电流，最高可实现200W输出功率设计，满足目前大部分激光产品的应用场景设计

 

 

当然，SS8109不仅仅只是为了舞台灯光应用，IC自带UVEN软开机功能，对直接上电工作的设计可有效防止开机瞬间的电容充电特性通过的大电流损伤电源；一组模拟调光可方便对输入端峰值电流进行调整，配合PWM调光端口进行数模混合调光设计。

SS8109特性

拓扑结构：同步整流

电压范围： 6.5-65V

典型恒定电流：5A

电流采样方式：输入高边峰值采样

驱动负载： 共阴极

频率控制： 可设置

保护：输入过流，输出过流，开路保护，过温保护

调光：数/模双通道调光模式

封装：QFN20 5*5mm

应用：舞台灯光，工业照明，船舶照明，航空照明等等