纳微半导体公布2025年第三季度财务业绩

描述

1公司开启战略转向,将专注应用氮化镓和高压碳化硅的高功率市场

2聚焦AI数据中心、高性能计算、能源与电网基础设施及工业电气化领域

3通过迅速行动和资源重组,加速布局高增长、高利润率市场

加利福尼亚州托伦斯——2025年11月3日讯:下一代GaNFast氮化镓与高压碳化硅 (GeneSiC) 功率半导体行业领导者——纳微半导体 (纳斯达克股票代码: NVTS) 今日公布截至2025年9月30日的未经审计的第三季度财务业绩。

纳微半导体总裁兼首席执行官Chris Allexandre:“我非常荣幸在公司发展的关键时刻领导纳微2.0团队。随着AI数据中心、高性能计算、能源与电网基础设施及工业电气化领域的高功率半导体需求迅速增长,纳微半导体正迎来新的增长周期。

纳微半导体在氮化镓 (GaN) 与高压碳化硅 (SiC) 领域积累了十年以上的技术领先优势,使得纳微能够充分把握这些全球性增长趋势。目前,纳微正实施战略转型——从消费电子与移动市场,转向增长更快、利润更高、可持续性更强的高功率应用领域。通过迅速的资源重组、产品路线优化以及市场策略调整,纳微将实现业务质量与规模的双重提升,为客户、员工及股东创造长期价值。”

2025年第三季度财务亮点

#营收

2025年第三季度营收为1,010万美元, 2024年同期为2,170万美元,2025年第二季度为1,450万美元。

#营业亏损

本季度的GAAP营业亏损为1,940万美元,2024年同期为2,900万美元,2025年第二季度为2,170万美元。

本季度非GAAP营业亏损为1,150万美元,2024年同期为1,270万美元,2025年第二季度为1,060万美元。

#现金

截至2025年9月30日,公司持有1.506亿美元现金及现金等价物。

市场、客户和技术亮点

#获NVIDIA认可

纳微半导体获NVIDIA认可为其下一代800 VDC AI工厂计算架构的功率半导体合作伙伴,凸显了公司在氮化镓与高压碳化硅领域的领先地位。该合作展示了纳微技术在实现从公用电网到GPU全链路高效能、高功率密度与卓越性能中的关键作用。

#产品组合升级

全新推出的100V与650V GaNFast分立FETs,与高功率GaNSafe氮化镓功率芯片及高压高功率的碳化硅产品共同支持NVIDIA下一代800 VDC AI工厂电源架构,推动高功率AI电源市场的快速增长。

#高压模块送样

向领先的储能与电网基础设施客户送样2.3 kV与3.3 kV高压碳化硅功率模块,拓展高功率能源领域应用。

短期业务展望

2025年第四季度营收预计约为700万美元,上下浮动25万美元。该调整主要源于公司战略性降低中国小功率、低利润率的消费电子与移动业务优先级,同时优化分销网络与渠道库存,集中资源发展高功率市场与客户。第四季度非GAAP毛利率预计为38.5%,上下浮动0.5%;非GAAP运营支出预计约为1,500万美元。

关于纳微半导体

纳微半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)是新一代功率半导体行业领导者,专注于氮化镓(GaN)与集成电路(IC)器件,以及高压碳化硅(SiC)技术研发,旨在推动人工智能与数据中心、能源与电网基础设施、高性能计算及工业应用领域的创新。凭借在宽禁带技术领域超过30年的经验积累,纳微旗下的GaNFast功率芯片将氮化镓功率器件、驱动、控制、感测与保护功能高度集成,实现更快的功率传输、更高的系统功率密度及更卓越的能效表现。GeneSiC高压碳化硅器件采用受专利保护的沟槽辅助平面技术,为中压电网及基础设施应用提供业界领先的耐压能力、效率与可靠性。纳微半导体已拥有或正在申请的专利超过300项,是全球首家获得CarbonNeutral碳中和认证的半导体公司。

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