什么是高频振荡接近开关 高频振荡接近开关原理是什么？

什么是高频振荡接近开关

高频振荡型接近开关由检测元件﹑检波单元﹑放大单元﹑整型单元和输出单元等组成。这种传感器内部安装的检测元件是由检测线圈和高频振荡器组成﹐加电后检测线圈产生一个交变的电磁场﹐当金属物体接近电磁场时﹐金属表面的磁通密度发生变化而产生感应电流——涡流﹐涡流产生的磁通总是与检测线圈的磁通方向相反。由于涡流的作用﹐使检测线圈能耗增加﹐品质系数下降﹐振幅降低﹐以至振荡器停振。反之﹐当金属物件远离这个作用区时﹐振荡器又开始振荡。检测电路检测到振幅器的状态变化后﹐转换为一个开关量讯号。

高频振荡接近开关原理

是在使用时一定要注意操作方法，毕竟和电有关的东西都是比较危险的。接近开关属于一 种有开关量输出的位置传感器根据工作原理的不同分为电感式和电容式，电感式接近开关它由LC高频振荡器和放大处理电路组成,利用金属物体在接近这个能产生电磁场的振荡感应头时，使物体内部产生涡流。可根据客户需要制作成耐高温型接近开关，最高温度150C。

交流电源接入整流模块，经滤波及三相全波整流器后变成直流，再接入高频逆变回路，将直流转换为高频交流，最后经高频变压器、整流桥、滤波器后输出平稳直流。

高频开关电路主要由整流滤波电路，全桥变换电路，PVm时空制电路， 稳压、限压电路，稳流、限流电路，保护电路，以及辅助电源电路等组成。

三相电网(或单相)电压经电源开关后，进行整流滤波，得到的520Vdc (单相为300Vdc)的平滑直流电压供给逆变电路。。

逆变电路主要由大功率IGBT模块(或场效应MOSFET模块)组成全桥变换电路。当P沏俞出控制信号通过隔离驱动器分别驱动功率模块，两组对角管分别交替导通，在高频变压器初级产生高频脉冲电压,次级电压由高频变压器变压后经整流向负载提供能量。

输出端分别接有稳压、限流和稳流、限压等反馈电路。当置于稳压状态时，稳压和限流电路起作用,当输出电压升高或下降时，取样电压通过稳玉电路内部电压比较器跟基准电压比较，其误差信号电压加到Pw时控制电路，使PV俞出脉宽作相应变化，从而稳定输出电压，如负载电流过高时，限流电路工作，使输出电流限制在限流设定值内。

同样，在稳流状态下，稳流电路作用，使输出电流稳定在设定值内，而当过压时，限压电路使输出电压钳位在限压值。当有异常情况(如输入过压或欠压，过流或过热等)产生保护信号加到保护控制电路时,保护电路输出-一个电压加到PVM电路,使PM电路停止输出，从而达到保护目的。
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