Vishay Semicductors SiC674 55A VRPower^®^ 集成功率级专为同步降压应用而设计，可提供大电流、高效率和高功率密度，并将关断电流降至最低。Vishay Semiconductors SiC674采用紧凑型5mm x 5mm MLP封装。SiC674支持每相持续电流高达55A的稳压器设计。其内部功率MOSFET采用Vishay先进的TrenchFET^®^ 技术，最大限度地降低了开关和传导损耗，实现了业界领先的性能。

数据手册；*附件：Vishay Semiconductors SiC674 55A VRPower®集成功率级数据手册.pdf

特性

• 热增强型PowerPAK^®^ MLP55-31L封装
• TrenchFET技术和集成肖特基二极管的低压侧MOSFET
• 集成式低阻抗自举开关
• 优化用于19V输入级的功率MOSFET
• 支持PS4模式轻负载要求，关断电源电流较低（5V、3μA）
• 零电流检测，提高轻载效率
• 带三态和保持定时器的3.3V PWM逻辑
• 支持PS4状态的5V DSBL# 、ZCD_EN#逻辑
• 高频运行可达2MHz
• 提供超过55A的持续电流、70A峰值 (10ms) 和 100A峰值 (10μs) 电流
• 过温标志
• 过温保护
• 欠压锁定保护
• 有效的监测和报告
• 警告和故障报告标志

典型应用

Vishay SiC674A 55A VRPower集成功率级技术解析

一、产品概述与核心特性

‌Vishay Siliconix SiC674A‌是一款高频集成功率级，专门针对同步降压应用优化设计，提供高电流、高效率和高功率密度性能，同时具备极低的关断电流。采用Vishay的5mm × 5mm MLP封装，使每个相位的电压调节器设计能够持续提供高达55A的输出电流。

该产品的‌核心创新‌在于内部功率MOSFET采用Vishay最新TrenchFET®技术，实现了业界标杆级的性能表现，显著降低开关损耗和传导损耗。

二、关键技术创新

1. 集成驱动IC架构

SiC674A集成了先进的MOSFET栅极驱动IC，具备以下显著特性：

• ‌高电流驱动能力‌：确保功率器件的快速开关特性
• ‌自适应死区时间控制‌：动态优化开关时序
• ‌集成自举开关‌：简化外部电路设计
• ‌用户可选的零电流检测‌：提升轻载效率

2. 先进的控制模式

• ‌PS4模式‌：系统处于待机状态时降低功耗
• ‌警告标志功能‌：显著提升系统可靠性
• ‌宽范围PWM控制器兼容性‌：支持三态PWM和3.3V PWM逻辑

三、技术规格详解

电气参数

• ‌输入电压范围‌：2.5V至24V
• ‌持续电流‌：55A
• ‌峰值电流能力‌：
  • 10ms：70A
  • 10μs：100A
• ‌开关频率‌：最高2MHz
• ‌关断电流‌：5V时仅3μA

保护特性

• ‌过温保护‌：自动检测并保护
• ‌欠压锁定‌：确保工作可靠性
• ‌热警告标志‌：实时监测温度状态

四、功能模块解析

1. PWM输入与三态功能

‌PWM输入‌接收来自VR控制器IC的PWM控制信号，设计兼容使用两态逻辑（H和L）的标准控制器和集成三态逻辑（H、L和三态）的先进控制器。

‌两态逻辑工作模式‌：

• 当PWM驱动高于VPWM_TH_R时，低边关断，高边导通
• 当PWM输入驱动低于VPWM_TH_F时，高边关断，低边导通

2. 二极管仿真模式与PS4模式

‌ZCD_EN#引脚‌使能或禁用二极管仿真模式：

• ZCD_EN#驱动低于VTH_ZCD_EN#_F时，允许二极管仿真
• ZCD_EN#驱动高于VTH_ZCD_EN#_R时，强制连续导通模式

五、典型应用场景

1. 计算系统

• 用于计算、显卡和内存的多相VRD
• Intel核心处理器供电：VCORE、VGRAPHICS、VSYSTEM AGENT - VCCGI

2. 电源模块

• 高达24V轨输入的DC/DC VR模块
• 高密度电源设计

六、性能优势分析

高效率特征

• ‌热增强型PowerPAK® MLP55-31L封装‌
• ‌最新TrenchFET技术与集成肖特基二极管的低边MOSFET‌
• ‌集成低阻抗自举开关‌
• 优化的功率MOSFET适用于19V输入级

环境适应性

能够在温度范围-40°C至+85°C内稳定工作，确保在各种恶劣环境下的可靠性。

七、技术发展趋势

随着计算设备对功率密度和效率要求的不断提升，SiC674A代表了集成功率级技术的发展方向：

• ‌更高的集成度‌：将驱动、保护和功率器件整合在单一封装中
• ‌更先进的控制算法‌：自适应死区时间、三态控制等
• ‌更强的可靠性‌：多级保护机制和实时监测功能