“芯”品发布 | 高可靠GaN专用驱动器，便捷GaN电源设计

GaN功率器件因为其高工作频率和高转化效率的优势，逐渐得到电源工程师的青睐。然而增强型GaN功率器件的驱动电压一般在5~7V，驱动窗口相较于传统Si MOSFET较小。若采用传统MOSFET驱动器来驱动GaN器件，需要增加额外的外围R/C元件（如下图所示），造成一定的驱动复杂度以及可靠度问题。另一种解决方案——限制驱动器的供电电压在6V附近，又要额外引入稳压电路，给电源设计工作者造成诸多不便。

 

 

       针对以上问题，云镓半导体推出GaN专用驱动解决方案，产品系列包含：单通道栅极驱动器、“Driver+ LS”单边合封、“Driver + Half-bridge”半桥合封产品。
 

 

 

极简驱动方案，灵活你的设计

 

以CGC02201为例说明，其是一款针对GaN HEMT的单通道Low-Side栅极驱动器，拉电流能力强，峰值拉电流可达4 A，最大工作频率可达到2 MHz，能支持-40℃~125℃工业工作环境。适合Flyback，Boost-PFC，Totem-pole PFC和LLC等电路拓扑，应用场景可以覆盖适配器、TV电源、LED驱动、数据中心等应用。如下为典型应用电路：

 

 

产品主要特点：

 

 宽供电电压范围VCC

为使驱动器的输出驱动电平不受供电电压影响，CGC02201内部集成线性稳压器，其供电电压VCC最高可达18V，内置的稳压电路可提供稳定的6V末级供电，确保GaN器件的栅极能稳定接受幅值6V的驱动信号，大大简化了供电电路的设计。

 

宽PWM输入幅度
 

CGC02201输入PWM信号幅值最高可达到18V，可以完全兼容传统的硅基功率器件的控制器，为电源工程师提供了极大的便捷。

 

独立的SGND与PGND设计

CGC02201采用独立的SGND和PGND设计，通过将PGND和SGND分开来实现输出和输入之间的信号隔离，提升系统可靠度。
 

 

独立的栅极开启与关断回路设计

采用独立的OUT+ 和OUT- 设计，通过分开栅极开启与关断回路实现独立可调的开启和关断速度。

 

灵活可调dV/dt

通过调整外接Rg的阻值大小，可以灵活调整器件的turn-on 和 turn-off slew rate，给电源工程师足够多的EMI调整空间。