Vishay GBUE2580 低VF单相桥式整流器技术解析与应用指南

Vishay Semicductors GBUE2580单相桥式整流器采用单列直插式电路配置，具有低正向压降和高浪涌电流能力。该整流器支持~1500VRMS ~的高外壳介电强度和在275°C温度下的最长10s焊料浸渍，符合JESD 22-B106标准。GBUE2580桥式整流器采用GBU封装，具有800V的最大反向重复峰值电压和25A的最大平均正向整流输出电流。该整流器不含卤素，符合RoHS指令，属于工业级产品。GBUE2580桥式整流器是家用设备、白色家电、电信电源、高效台式PC、服务器开关模式电源 (SMPS) 和开关电源的理想之选。

数据手册：*附件：Vishay Semiconductors GBUE2580单相桥式整流器数据手册.pdf

特性

• UL认证文件编号E312394
• 氧化物平面芯片结
• 低正向压降
• 275°C浸焊最长10秒，符合JESD 22-B106标准
• 非常适用于印刷电路板
• 较高的浪涌电流承受能力
• 1500VRMS 的高外壳介电强度

特征曲线

尺寸

Vishay GBUE2580 低VF单相桥式整流器技术解析与应用指南‌

‌一、产品核心特性概述‌

Vishay Semiconductors推出的GBUE2580系列是一款低正向压降单相桥式整流器，采用GBU封装，适用于高频开关电源等高效率场景。其核心优势包括：

• ‌高电流能力‌：支持25A平均整流电流（TC=124°C）
• ‌高压耐受‌：重复峰值反向电压达800V
• ‌低温升设计‌：正向压降低至0.78V（IF=12.5A，TJ=125°C）
• ‌工业级可靠性‌：通过UL 94 V-0阻燃认证与RoHS标准

‌二、关键电气参数深度分析‌

1. 整流性能参数

• ‌正向压降特性‌：在12.5A测试条件下，结温125°C时典型VF值仅0.78V，显著降低导通损耗
• ‌反向恢复时间‌：典型值187ns，支持高频开关操作
• ‌浪涌电流耐受‌：8.3ms单正弦波工况下达300A，确保系统抗冲击能力
• ‌结电容特性‌：每二极管典型结电容187pF（4V/1MHz测试条件）

2. 热管理特性

• ‌热阻参数‌：
  • 无散热器（自由空气）：RθJA=23°C/W
  • 带散热器：RθJC=1.2°C/W
• ‌降额曲线‌（图1）：
  • 散热器安装时（TC）：25A@25°C → 0A@150°C
  • PCB安装时（TA）：3.8A@25°C → 0A@150°C

‌三、机械结构与安装规范‌

• ‌引脚处理‌：哑光锡镀层，符合J-STD-002焊接标准
• ‌安装扭矩‌：
  • 最大扭矩：10 cm-kg（8.8英寸-磅）
  • 推荐扭矩：5.7 cm-kg（5英寸-磅）
• ‌极性标识‌：壳体正面明确标记，斜角表示正极

‌四、典型应用场景‌

1. ‌开关电源整流‌
   • 高效率台式电脑与服务器SMPS
   • 电信电源系统
2. ‌家电与工业设备‌
   • 白色家电交流直流全波整流
   • 通用交流直流桥式整流应用

‌五、设计注意事项‌

• ‌散热设计‌：需根据实际工作电流选择散热方案，参考图2正向功率损耗曲线进行热计算
• ‌PCB布局‌：建议预留足够铜箔面积协助散热，避免热集聚
• ‌工作频率‌：结合187ns反向恢复时间，适用于中高频开关电源设计