ADS1262/ADS1263 产品核心信息总结

描述

ADS1262和ADS1263 (ADS126x)是低噪声、低漂移、38.4kSPS、三角积分 (ΔΣ) ADC,集成了PGA、基准电压源和内部故障监控器。该ADS1263集成了一个用于背景测量的辅助 24 位 ΔΣ ADC。传感器就绪型 ADC 为要求最苛刻的传感器应用提供完整、高精度的单芯片测量解决方案,包括称重秤、应变片传感器、热电偶和电阻温度器件 (RTD)。
*附件:ads1262.pdf

ADC由一个低噪声CMOS PGA(增益1至32)、一个ΔΣ调制器以及一个可编程数字滤波器组成。灵活的模拟前端 (AFE) 集成了两个传感器激励电流源,适用于直接 RTD 测量。

单周期建立数字滤波器可最大限度地提高多输入转换吞吐量,同时提供 130 dB 的 50 Hz 和 60 Hz 线路周期干扰抑制。

ADS1262和ADS1263是引脚和功能兼容的。这些器件采用 28 引脚 TSSOP 封装,在 –40°C 至 +125°C 温度范围内完全额定。

特性

  • 精密、32位、ΔΣ ADC
  • 辅助 24 位 ΔΣ ADC (ADS1263)
  • 数据速率:2.5 SPS 至 38400 SPS
  • 差分输入,CMOS PGA
  • 11 个多功能模拟输入
  • 高精度架构:
    • 失调漂移:1 nV/°C
    • 增益漂移:0.5 ppm/°C
    • 噪声:7 nV 有效值 (2.5 SPS,增益 = 32)
    • 线性度:3 ppm
  • 2.5V 内部基准电压源:
    • 温漂:2 ppm/°C
  • 50 Hz 和 60 Hz 抑制
  • 单周期结算换算
  • 双传感器激励电流源
  • 内部故障监控器
  • 内部 ADC 测试信号
  • 8 个通用输入/输出

参数
传感器

方框图

传感器
ADS1262/ADS1263 是德州仪器推出的高精度 32 位 ΔΣ 模数转换器(ADC)系列,核心优势为低噪声、低漂移、高集成度,ADS1263 额外集成 24 位辅助 ADC,适配工业控制、仪器仪表等对精度要求严苛的传感器信号采集场景。

核心参数与特性

  • 硬件规格 :ADS1262 为单 32 位 ADC,ADS1263 含主 32 位 ADC + 辅助 24 位 ADC;11 路多功能模拟输入,支持差分 / 单端输入配置;集成可编程增益放大器(PGA),主 ADC 增益 132 倍,辅助 ADC 增益 1128 倍。
  • 精度性能 :主 ADC 偏移漂移低至 1nV/°C,增益漂移 0.5ppm/°C;2.5SPS 时输入噪声仅 7nVRMS(增益 32 倍);线性度 3ppm,50Hz/60Hz 工频抑制比高;内置 2.5V 基准源,温度漂移 2ppm/°C。
  • 功耗与封装 :模拟供电 4.75V5.25V,数字供电 2.7V5.25V;典型功耗约 24 37mW,掉电模式功耗低至 25μA;采用 28 引脚 TSSOP 封装(9.7mm×4.4mm),MSL 等级 2,工作温度 -40°C +125°C。
  • 接口与环境 :支持 SPI 兼容串行接口,最高 SCLK 频率适配系统时钟;HBM ESD 等级 ±2000V,CDM 等级 ±500V;支持内部振荡器、外部时钟、外部晶体三种时钟模式,标称时钟频率 7.3728MHz。

功能与工作模式

  • 核心功能 :主 ADC 数据速率 2.5SPS38400SPS,辅助 ADC 10SPS800SPS;数字滤波器支持 sinc1~sinc5 及 FIR 模式,FIR 模式实现单周期稳定及工频抑制。
  • 校准与补偿 :支持自校准、系统偏移 / 增益校准,主 ADC 配备 24 位校准寄存器,辅助 ADC 为 16 位; chop 模式可进一步降低偏移漂移,IDAC 旋转模式优化传感器测量精度。
  • 集成外设 :内置双传感器激励电流源(IDAC,50μA~3000μA 可编程),支持 RTD 等电阻式传感器供电;含温度传感器、测试 DAC(TDAC)、8 路 GPIO,以及 PGA 过压监测、低基准报警等故障检测功能。
  • 数据传输 :支持连续转换 / 脉冲转换模式,数据输出含可选状态字节和校验字节(校验和 / CRC);DRDY 引脚指示数据就绪,支持硬件查询与软件轮询。

应用场景

适用于工厂自动化控制(模拟输入模块、温度控制器、称重模块)、仪器仪表(过程分析、实验室 / 现场仪器、电子秤)、应变片、热电偶、RTD 等传感器信号采集,尤其适配高精度测量设备。

关键设计要点

  • 电源要求 :模拟电源与数字电源需就近配置 0.1μF 陶瓷电容 + 1μF 钽电容去耦;BYPASS 引脚需接 1μF 电容到数字地,保障内部 LDO 稳定。
  • 布局建议 :模拟地与数字地单点连接,采用完整地平面;模拟信号路径短且远离数字时钟线;CAPP/CAPN 引脚需就近接 4.7nF C0G 电容;未使用的模拟输入接中值电压((AVDD+AVSS)/2)。
  • 配置方式 :通过 SPI 命令配置寄存器,支持增益、数据速率、滤波器模式、校准模式等参数设置;支持寄存器块读写,关键配置需在转换停止状态下进行,避免数据丢失。
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