VEMD8082硅PIN光电二极管技术解析与应用指南

Vishay VEMD8082硅PIN光电二极管是一款高速、高灵敏度PIN光电二极管，对可见光具有更高感光度。该款薄型表面贴装器件 (SMD) 包括具有6.0mm² 辐射敏感面积的芯片，可检测可见光和近红外辐射。VEMD8082光电二极管的尺寸为4.8mm x 2.5mm x 0.5mm。该硅PIN光电二极管具有 ±65° 半感光度角 (ϕ)，适用于可见和近红外辐射。典型应用包括可穿戴设备、健康监控和高速光电检测器。

数据手册；*附件：Vishay VEMD8082硅PIN光电二极管数据手册.pdf

特性

• 封装类型：表面贴装
• 封装形式：顶部视图
• 尺寸 (长 x 宽 x 高):
  • 4.8 mm x 2.5 mm x 0.5 mm
• 辐射敏感面积：6mm²
• 高灵敏度
• 适用于可见和近红外辐射
• 兼容红外回流焊接工艺
• 半感光度角 (ϕ)：±65°
• 车间寿命:
  • 168h, MSL 3, 根据 J-STD-020

封装尺寸

‌VEMD8082硅PIN光电二极管技术解析与应用指南‌

‌一、器件概述与技术亮点‌
VEMD8082是Vishay公司推出的高性能表面贴装硅PIN光电二极管，其核心特性包括：

• ‌光谱响应‌：覆盖350nm~1100nm波长范围，峰值灵敏度890nm，兼顾可见光与近红外检测
• ‌结构创新‌：6.0mm²超大感光面积与0.5mm超薄封装（4.8×2.5×0.5mm），满足可穿戴设备空间约束
• ‌灵敏优势‌：在525nm/5V条件下典型光电流达17μA，940nm条件下提升至38μA

‌二、关键参数深度解析‌

1. ‌电气特性‌（@25℃）
   • 反向工作电压：最高20V
   • 暗电流：典型值0.2nA（VR=10V）
   • 结电容：46pF（VR=0V）→18pF（VR=3V），低电容保障高速响应
   • 响应速度：上升/下降时间典型值40ns（VR=10V, RL=50Ω）
2. ‌环境适应性‌
   • 工作温度：-40℃~+85℃
   • 温度补偿：如图2所示，65℃时光电流仅衰减4%，稳定性优异

‌三、硬件设计要点‌

1. ‌偏压配置‌
   推荐5V反向偏压，在940nm波长下可实现：
   • 光电流线性区间：0.01~10mW/cm²（图3）
   • 角度容差：±65°半灵敏度角（图6）
2. ‌PCB布局规范‌
   • 焊盘尺寸：按图7推荐8×0.54mm设计
   • 阴极识别：引脚1/2/3/4/7/8为阴极，仅引脚5为阳极

四、生产注意事项‌

1. ‌焊接工艺‌
   • 回流焊峰值温度：255-260℃（图7）
   • 耐潮等级：MSL3，拆封后168小时内需完成焊接
2. ‌质量控制‌
   • 暗电流测试：需在全暗环境验证≤0.2nA
   • 角度一致性：批量生产时需检测±65°灵敏度容差

‌五、故障排查指南‌

现象	可能原因	解决措施
信号失真	负载阻抗过大	更换50Ω匹配电阻
灵敏度偏低	偏压不足	检查5V偏置电路
基线漂移	环境光干扰	增加光学遮罩

‌六、设计优化建议‌

1. 在850nm应用时建议采用3V偏压，可降低电容至18pF
2. 对于精密度要求高的场景，建议配合温度补偿算法