Vishay / Dale IHLP-5050FD-AP IHLP-5050FD-0P电感器数据手册

Vishay/Dale IHLP-5050FD-AP和IHLP-5050FD-0P电感器是高温 (+155°C) 汽车和商用模块，交流损耗低。这两种电感器的交流损耗均比传统磁芯材料低60%，在高纹波条件下具有出色的性能，并最大限度地降低冷却需求。磁屏蔽复合结构采用13.5mm x 12.9mm x 6.4mm SMD封装，绿色、无铅和无卤，符合RoHS指令。IHLP-5050FD-AP电感器还符合AEC-Q200标准。Vishay/Dale IHLP-5050FD-AP和IHLP-5050FD-0P电感器具有1µH至10µH电感范围、1.5mΩ 至16.1mΩ 典型直流电阻 (DCR) 以及-55°C至+155°C工作温度范围。应用包括5G电信、直流/直流转换和滤波、LED照明和音频用驱动器以及GaN开关转换器。

数据手册：

*附件：IHLP-5050FD-0P数据手册.pdf

*附件：IHLP-5050FD-AP数据手册.pdf

特性

• 低交流损耗
• 高温 (+155°C) 系列
• 与传统磁芯材料相比，交流损耗降低多达60%，可在高纹波条件下提供出色的性能，并最大限度地减少冷却需求
• IHLP设计
• 磁屏蔽复合材料结构
• IHLP-5050FD-AP系列符合AEC-Q200标准
• 无铅、无卤
• 绿色产品
• 符合RoHS标准

尺寸(mm)

IHLP-5050FD-0P功率电感技术解析与应用指南

一、产品概述与核心特性

‌IHLP-5050FD-0P‌是Vishay Dale公司推出的商用级功率电感，采用IHLP®系列专利设计，专为高温应用环境开发。其主要技术亮点包括：

‌机械规格‌

• 封装尺寸：13.5 mm × 12.9 mm × 6.4 mm SMD封装
• 工作温度范围：-55 °C至+155 °C
• 磁屏蔽复合结构设计

‌电气优势‌

• 与传统磁芯材料相比，交流损耗降低高达60%
• 在高纹波条件下提供卓越性能，减少散热需求
• 额定工作电压：75 V（电感两端）

二、详细电气参数解析

标准规格配置

型号	电感值(μH)±20%@0A	典型DCR@25°C(mΩ)	最大DCR@25°C(mΩ)	热额定电流典型值(A)	饱和电流典型值(A)20%降/30%降	自谐振频率典型值(MHz)
IHLP5050FDER1R0M0P	1.0	1.5	1.6	37.9	36.5/49.0	41.0
IHLP5050FDER2R2M0P	2.2	2.7	2.9	26.9	30.3/41.0	27.4
IHLP5050FDER3R3M0P	3.3	5.7	6.1	21.0	27.1/36.6	21.3
IHLP5050FDER4R7M0P	4.7	9.0	9.6	16.3	21.9/30.0	15.4
IHLP5050FDER100M0P	10.0	16.1	17.2	12.2	16.1/21.6	10.9

关键参数说明

1. ‌热额定电流‌：导致温度升高约40°C的直流电流值
2. ‌饱和电流‌：导致初始电感值下降约20%和30%的直流电流值
3. ‌DCR性能‌：所有测试数据参考25°C环境温度，测试条件为100kHz、0.25V

三、性能曲线深度分析

电感-电流特性

根据性能曲线数据，各型号呈现出明确的饱和特性：

• ‌1.0 μH型号‌：在37.9A热额定电流下，电感保持稳定
• ‌10.0 μH型号‌：在12.2A热额定电流下，温升控制在40°C内

频率响应特性

各型号在不同频率下展现出独特的Q因子和电感稳定性：

• ‌高频应用‌：1.0 μH型号自谐振频率达41.0 MHz，适合高频开关应用
• ‌低频应用‌：10.0 μH型号自谐振频率为10.9 MHz，适用于传统开关电源

四、PCB设计与布局要点

推荐焊盘布局

• ‌整体尺寸‌：0.580 [14.732] mm × 0.326 [8.280] mm
• ‌关键间距‌：焊盘间中心距0.400 [10.16] mm
• ‌热管理考虑‌：建议在PCB底层增加散热过孔

安装注意事项

• 器件高度：0.252 [6.40] mm最大
• 端子厚度：0.053 ± 0.015 [1.346 ± 0.381] mm

五、典型应用场景设计指南

5G电信设备

在5G基站功率放大器中，建议选用1.0 μH或2.2 μH型号：

• 利用其高频特性和低AC损耗
• 高电流处理能力满足瞬时功率需求

GaN开关转换器

得益于较低的AC损耗，该系列电感特别适合GaN器件的高速开关应用：

• 减少开关过程中的能量损失
• 提高整体转换效率

DC/DC转换与滤波

根据输出电流需求选择合适型号：

• 大电流应用：优先选择1.0 μH或2.2 μH型号
• 高效率需求：考虑3.3 μH或4.7 μH型号的平衡性能

LED照明驱动

在LED照明驱动电路中：

• 4.7 μH型号适用于中等功率LED阵列
• 10.0 μH型号适合高精度恒流驱动

六、热管理设计建议

温度控制策略

• ‌最大工作温度‌：器件温度（环境温度+温升）不应超过155°C
• ‌散热因素考量‌：电路设计、元件布局、PCB走线尺寸厚度、气流和其他冷却措施都会影响器件温度

设计验证要点

建议在最终应用中验证器件温度，确保：

• 在最恶劣工作条件下温度不超过额定值
• 留有适当的安全余量

七、选型决策树

1. ‌电流需求优先‌：根据负载电流确定热额定电流要求
2. ‌频率特性匹配‌：结合开关频率选择自谐振频率合适的型号
3. ‌空间约束考虑‌：所有型号采用统一封装，仅电感值不同