Vishay/Techno TCN厚膜电容器网络具有环氧树脂保形涂层、焊料涂层铜端子以及用于线路端子的NP0或X7R电容器。该系列具有50VDC~~ 电容电压、±10%或±20%电容容差以及-55°C至+125°C的宽工作温度范围。Vishay/Techno TCN厚膜电容器网络的NPO电介质电容范围为33pF至3900pF，X7R型号的电容范围为470pF至0.1μF。有隔离式和总线式原理图可供选择。这些模块不含卤素，采用单列直插式封装。TCN系列具有符合MIL-STD-202方法208E的可焊性，封装标记符合MIL-STD-202方法215的耐溶剂性。

数据手册；*附件：Vishay ， Techno TCN厚膜电容器网络数据手册.pdf

特性

• 可提供隔离式和总线式原理图
• NP0或X7R线路端子用电容器
• 宽工作温度范围
• 环氧树脂保形涂层
• 单列直插式封装
• 耐溶剂性，符合MIL-STD-202方法215
• 焊料涂层铜端子
• 可焊性，符合MIL-STD-202方法208E
• 无卤素

原理图

Vishay TCN系列厚膜电容器网络技术解析与应用指南

一、产品概述与技术特性

Vishay Techno TCN系列厚膜电容器网络采用单列直插(SIP)封装和环氧树脂基保形涂层，提供隔离式和总线式两种拓扑结构。其核心特性包括：

‌电气性能优势‌

• ‌电容类型‌：支持NP0(COG)和X7R两种介质材料
• ‌电容范围‌：NP0为33pF至3900pF，X7R为470pF至0.1μF
• ‌工作电压‌：额定50VDC，适用于标准工业应用
• ‌温度适应性‌：-55℃至+125℃宽温工作范围
• ‌精度等级‌：标准容差±10%或±20%，支持更高精度定制

‌可靠性设计‌

• 焊料涂覆铜端子，符合MIL-STD-202方法208E可焊性标准
• 标记耐溶剂性通过MIL-STD-202方法215认证
• 符合RoHS环保指令（部分含铅终端版本除外）

二、型号编码体系解析

新型全球部件编号：TCN0801N101KTB

• ‌TCN‌：产品系列标识
• ‌08‌：引脚数量（06/08/12引脚可选）
• ‌01‌：原理图类型（01/02/09三种标准配置）
• ‌N‌：介质材料（N=NP0，X=X7R）
• ‌101‌：电容值编码（101=100pF，392=3900pF，104=0.1μF）
• ‌K‌：容差等级（K=±10%，M=±20%）
• ‌T‌：终端涂层（T=Sn90/Pb10，C=Sn95.5/Ag3.9/Cu0.6）
• ‌B‌：包装形式（B=散装）

三、拓扑结构与应用场景

三种标准原理图配置

‌原理图01‌：独立电容器阵列，每个引脚对应独立电容单元，适用于多通道滤波和去耦应用。

‌原理图02‌：总线式结构，部分引脚通过内部总线连接，适合电源总线去耦和共模滤波。

‌原理图09‌：混合配置，结合隔离和总线特性，满足复杂电路需求。

典型应用领域

• ‌通信设备‌：高速信号线终端匹配（NP0介质优选）
• ‌电源管理‌：直流总线滤波和去耦（X7R大容量优势）
• ‌工业控制‌：宽温环境下的模拟/数字电路稳定
• ‌汽车电子‌：发动机控制单元的噪声抑制

四、机械规格与PCB设计要点

尺寸参数

• ‌引脚间距‌：0.100英寸±0.005英寸（2.54mm±0.127mm）
• ‌封装高度‌：最大0.350英寸（8.89mm）
• ‌封装长度‌：随引脚数递增（6引脚：0.590英寸，12引脚：1.19英寸）
• ‌引脚直径‌：0.020英寸±0.002英寸（0.508mm±0.051mm）

布局建议

• 保留足够的引脚1标识空间（最大0.130英寸）
• 考虑焊接平面基准（B尺寸公差±0.005英寸）
• 高温应用时注意环氧涂层的热膨胀系数

五、选型策略与工程考量

介质材料选择

‌NP0(COG)特性‌

• 温度系数近乎为零（±30ppm/℃）
• 无老化效应，长期稳定性优异
• 适合精密定时、谐振电路和高频应用

‌X7R特性‌

• 高介电常数，体积效率优势明显
• 温度特性：±15%容值变化（-55℃至+125℃）
• 经济实惠，适用于通用去耦和滤波

引脚配置优化

• ‌6引脚‌：紧凑设计，空间受限应用
• ‌8引脚‌：平衡方案，兼顾密度与布线
• ‌12引脚‌：高集成度，多通道系统优选

六、可靠性测试与质量保证

该系列产品通过严格的军工标准验证：

• 可焊性测试确保批量生产一致性
• 溶剂阻抗测试保障标识永久性
• 材料分类符合Vishay标准（参考文档99912）

七、设计注意事项

1. ‌电路板清洁‌：保形涂层可能受强烈清洁剂影响
2. ‌热管理‌：高密度安装时考虑散热路径
3. ‌焊接参数‌：遵循推荐的温度曲线，避免热冲击
4. ‌存储条件‌：控制环境湿度，防止端子氧化