Everspin256Kb串行SPI接口MRAM芯片分享

在需要高速数据读写与高可靠性的现代电子系统中，传统存储技术往往面临写入速度慢、耐久性有限等挑战。Everspin公司推出的MR25H256系列MRAM芯片，以其独特的磁阻存储技术，为工业控制、汽车电子和物联网设备提供了理想的存储解决方案。这款256Kb容量、SPI接口的非易失性存储器，正在重新定义嵌入式存储的性能标准。

1、Everspin 256Kb串行SPI接口MRAM芯片MR25H256概述
MR25H256/MR25H256A是一款基于串行外设接口(SPI)总线的磁阻随机存储器。芯片采用标准的四线制通信接口，包含片选(CS)、串行输入(SI)、串行输出(SO)和串行时钟(SCK)引脚，确保与现有SPI生态系统的完全兼容。这种设计使得MR25H256能够直接替代系统中传统的SPI EEPROM和Flash存储器，无需改动硬件设计即可实现性能的显著提升。

串行SPI接口MRAM芯片支持多设备并联架构，系统中的多个MRAM器件可以共享SCK、SO和SI信号线，仅需通过独立的CS和HOLD引脚进行设备选择与控制。这种灵活的拓扑结构为复杂系统设计提供了便利，同时保持了布线的简洁性。

2、Everspin串行SPI接口MRAM芯片MR25H256性能
MR25H256 MRAM芯片在关键性能参数上展现出卓越特性。其40MHz的读写速度远超传统EEPROM，实现了无延迟的即时写入操作，彻底消除了传统非易失性存储器所需的写等待时间。这一特性在需要快速数据记录的实时系统中具有重要价值。

在耐久性方面，串行SPI接口MRAM芯片MR25H256提供了无限的读写周期，完全消除了传统Flash存储器因写入次数限制而导致的产品寿命问题。数据保持能力同样出色，在断电情况下可确保数据安全保存超过20年，为关键数据提供了可靠保障。

能效表现是MR25H256的另一大亮点。芯片工作电压范围为2.7V至3.6V，在低功耗睡眠模式下电流消耗极低，特别适合电池供电的便携式设备和对功耗敏感的嵌入式应用。

串行SPI接口MRAM芯片内置的块写保护机制为存储数据提供了额外的安全屏障，防止意外写入导致的数据损坏。同时，电源监控电路能够在检测到供电异常时自动启用数据保护，确保关键信息在突发断电情况下的完整性。

在封装方面，串行SPI接口MRAM芯片MR25H256提供8-DFN和8-DFN小型标志两种符合RoHS标准的封装形式，湿度敏感等级为MSL-3，便于集成到各种空间受限的电路设计中。

3、Everspin串行SPI接口MRAM芯片MR25H256特征
①无写入延迟
②无限制的写入耐久性
③数据保留时间超过20年
④断电时自动数据保护
⑤块写保护
⑥快速、简单的SPI接口，时钟速率高达40 MHz
⑦2.7至3.6伏电源范围
⑧低电流睡眠模式
⑨工业和汽车1级和3级温度
⑩提供8-DFN或8-DFN小型标志封装，符合RoHS标准
⑪直接替代串行EEPROM、Flash、FeRAM
⑫工业级和AEC-Q100 1级和3级选项
⑬湿度敏感性MSL-3

作为Everspin的一级代理商，英尚微电子不仅提供丰富的串行MRAM芯片系列产品，更具备专业的技术支持团队，能够为客户提供从选型到设计的全方位服务。我们深刻理解设计工程师在性能、功耗与安全性方面的多元需求，致力于为客户提供最具性价比的ST微控制器解决方案。如果您有产品方面的需求，欢迎您随时致电。

审核编辑 黄宇