Vishay Semicductors SiC544 40A VRPower^®^ 集成功率级专为大电流、高效率和高功率密度同步降压应用而设计。Vishay Semiconductors SiC544采用紧凑型4.5mm x 3.5mm MLP封装。SiC544支持高达40A的每相持续电流。内部功率MOSFET采用Vishay的先进第四代TrenchFET^®^ 技术，可最大限度地降低开关和导通损耗，实现行业领先的性能。

数据手册：*附件：Vishay Semiconductors SiC544 40A VRPower®集成功率级数据手册.pdf

特性

• 热增强型PowerPAK^®^ MLP4535-22L封装
• 第四代MOSFET技术和集成肖特基二极管的低压侧 MOSFET
• 可提供高达40A的持续电流
• 高效性能
• 高频运行可达2MHz
• 上电复位
• 具有三态和保持功能的5V PWM逻辑
• 支持PS4模式下IMVP8的轻负载要求，关断电源电流低（5V、3μA）
• 欠压锁定

典型应用

Vishay SiC544 40A VRPower®集成功率级技术解析与应用指南

一、产品核心特性与技术优势

‌SiC544‌是一款专为同步降压应用优化的集成功率级解决方案，在4.5mm x 3.5mm MLP封装内实现了突破性的功率密度和性能表现。

‌ 核心技术亮点： ‌

• ‌功率输出能力‌：单相可提供高达40A的连续电流
• ‌开关频率‌：支持最高2MHz的高频操作
• ‌输入电压范围‌：4.5V至24V宽范围输入
• ‌封装技术‌：采用热增强型PowerPAK® MLP4535-22L封装
• ‌MOSFET技术‌：集成采用Gen IV TrenchFET®技术的功率MOSFET

‌ 关键技术创新： ‌

• 内置先进MOSFET栅极驱动IC，具备高电流驱动能力
• 自适应死区时间控制技术
• 集成自举肖特基二极管
• 零电流检测功能，显著提升轻载效率

二、系统架构与工作模式

典型应用电路

器件典型应用如图1所示，构成了完整的电压调节器解决方案：

• ‌5V供电系统‌为驱动电路提供稳定电源
• ‌PWM控制器‌与栅极驱动器协同工作
• ‌BOOT-PHASE-VSWH‌架构提供高效的功率转换路径
• ‌ ZCD_EN# ‌引脚实现二极管仿真模式使能控制

工作模式特性

‌ 轻载优化模式： ‌

• 用户可选择的二极管仿真模式（通过ZCD_EN#）
• PS4模式支持，显著降低待机状态功耗
• 兼容IMVP8的轻负载要求，关断电源电流低至3μA

‌ 保护功能： ‌

• 欠压锁定保护(UVLO)
• 电源复位功能
• 5V PWM逻辑兼容，支持三态和保持关闭

三、电气参数与性能指标

‌ 额定参数汇总： ‌

• 连续电流额定值：最大40A
• 最大开关频率：2000kHz
• PWM逻辑电平：5V
• 封装尺寸：4.5×3.5×0.75mm

‌ 温度特性： ‌

• 热增强封装设计确保优良散热性能
• 集成低边MOSFET搭配肖特基二极管

四、应用场景与平台兼容性

‌ 主要目标市场： ‌

• 计算、显卡和内存的多相VRD应用
• Intel IMVP-8 VRPower供电系统：
  • Skylake、Kabylake平台的VCORE、VGRAPHICS、VSYSTEM AGENT
  • Apollo Lake平台的VCCGI
• 最高24V输入轨的DC/DC VR模块

‌ 平台支持特性： ‌

• 全面兼容Intel最新计算平台
• 支持工业级和网络应用需求
• 物料分类符合环保合规要求

五、封装设计与PCB布局建议

物理尺寸规格

MLP4535-22L封装采用精确的尺寸控制：

• 主体尺寸：4.50mm×3.50mm（基本尺寸）
• 高度：0.75mm（公称值）
• 引脚间距：0.50mm BSC

推荐焊盘图案

‌ 关键布局要点： ‌

• 焊盘图案设计优化散热和电气性能
• 精确的焊盘尺寸确保焊接可靠性
• 建议使用毫米作为主要测量单位

六、设计考量与工程实践建议

‌ 系统集成考量： ‌

• 与广泛的PWM控制器兼容
• 支持三态PWM和保持关闭功能
• 集成所有必要的保护功能

‌ 性能优化策略： ‌

• 利用高频操作能力减小无源器件尺寸
• 通过轻载优化模式提升系统整体能效
• 合理的热设计确保长期可靠性