Vishay Semiconductors SEP4512相臂高压标准整流器具有低正向导通损耗、高浪涌电流耐能力和高结温能力的特性。该器件具有1200V最大重复峰值反向电压和相臂电路配置。Vishay SEP4512整流器的额定温度范围为-55°C至+175°C,采用TO-247AD 3L封装。
数据手册:*附件:Vishay Semiconductors SEP4512相臂高压标准整流器数据手册.pdf
特性
- 氧化物平面芯片结
- 低正向导通损耗
- 高浪涌电流耐受能力
- 高耐雪崩能力
- 高结温能力
- 焊料浴槽温度为+275°C最大值,按照JESD 22-B106标准持续10秒
- 可提供符合AEC-Q101标准的版本:
封装样式

Vishay SEP4512相臂高压整流器技术解析与应用指南
一、产品概述与核心特性
SEP4512是Vishay Semiconductors推出的一款相臂高压标准整流器,采用TO-247AD 3L封装,专为高功率应用场景设计。该器件集成了两个独立的整流二极管,构成了紧凑的相臂结构解决方案。
主要技术亮点:
- 氧化平面芯片结技术,确保稳定的电气性能
- 低正向导通压降,提升系统效率
- 高浪涌电流承受能力,增强系统可靠性
- 雪崩能量耐受性强,提供额外保护
- 最高工作结温175°C,适应苛刻环境
二、关键电气参数解析
2.1 额定参数
- 最大重复峰值反向电压(VRRM) :1200V
- 每器件最大平均正向整流电流(IF(AV)) :45A(带散热器)
- 峰值正向浪涌电流(IFSM) :480A(10ms单半正弦波)
- 雪崩能量(EAS) :20mJ(IAS = 1A,TJ = 25°C)
2.2 电气特性深度分析
正向电压特性(脉冲测试:300μs脉宽,1%占空比):
- IF = 22.5A,TJ = 25°C:典型值1.05V
- IF = 45A,TJ = 125°C:典型值1.14V,最大值1.23V
- IF = 45A,TJ = 150°C:典型值1.19V
反向电流表现(脉冲测试:脉宽≤40ms):
- TJ = 25°C,VR = 额定VR:最大值10μA
- TJ = 125°C,VR = 额定VR:最大值1mA
三、热管理与封装设计
3.1 热性能指标
- 结到环境热阻(RθJA) :32°C/W
- 结到安装热阻(RθJM) :0.5°C/W
3.2 机械结构优势
- 封装类型:TO-247AD 3L
- 材料认证:符合UL 94 V-0阻燃等级
- 环保标准:无卤素、符合RoHS要求
- AEC-Q101认证版本:SEP4512HM3/P(汽车级应用)
四、典型应用场景
4.1 主要应用领域
- 电动汽车/混合动力车车载充电器(OBC)
- 单相或三相桥式整流电路
- 工业逆变器电源系统
4.2 设计注意事项
安装要求:
- 最大安装扭矩:10 in-lbs
- 焊锡槽温度:最大275°C,10秒(符合JESD 22-B106标准)
热设计关键:
热产生必须小于从结到环境的热传导:dPD/dTJ < 1/RθJA
五、性能曲线解读与设计指导
根据数据手册提供的特性曲线,工程师可以:
- 电流降额设计:参考图1的最大正向电流降额曲线,根据实际散热条件确定安全工作点
- 功率损耗优化:利用图2的平均功率损耗特性,合理选择工作占空比
- 热阻抗管理:依据图6的瞬态热阻抗曲线,设计有效的散热解决方案
六、选型与订购指南
标准版本:
- SEP4512-M3/P:基础工业级,25支/管装
汽车级版本:
- SEP4512HM3/P:AEC-Q101认证,25支/管装
七、工程实践建议
PCB布局:
- 遵循JEDEC 51-2A标准的热设计要求
- 采用2oz铜厚的FR4 PCB标准封装
可靠性验证:
- 建议在设计阶段进行完整的温度循环测试
- 验证系统在最恶劣工况下的热性能表现