Vishay Siliconix eFuse评估板技术解析与应用指南

科技观察员 2025-11-14 263

描述

Vishay / Siliconix 电子保险丝评估板用于评估SIP32433A、SIP32433B、SIP32434A和SIP32434B单通道电子保险丝负载开关。该板可用于AEC-Q100版本的器件。SIP32433A、SIP32433B、SIP32434A和SIP32434B集成了多种控制和保护特性。该器件具有更高可控性和可靠性，简化了设计，并最大限度地减少了外部元件数量。

数据手册：*附件：Vishay ， Siliconix eFuse评估板数据手册.pdf

特性

3 V 至 23 V 操作
可编程电流限制范围SIP32533为150 mA至3.5 A，SIP32434为300 mA至6 A
可编程软启动输出电压转换率和自动重试时间
输入路径电流检测电阻器，用于电流探测
板载MOSFET，用于输出短路测试
可编程OVP阈值
反向电流阻断（仅限SIP32433x）

‌Vishay Siliconix eFuse评估板技术解析与应用指南‌

‌一、产品概述‌

Vishay Siliconix的SIP32433/434系列eFuse评估板是专用于评估单通道电子保险丝负载开关的参考设计平台，支持AEC-Q100车规级版本（SIPQ前缀）。该系列器件通过集成多重控制与保护功能，在简化设计、减少外部元件的同时，显著提升系统可控性与可靠性，有效保护电源及下游电路免受过载、短路、电压浪涌和过大浪涌电流的损害。

‌ 核心特性： ‌

‌工作电压范围‌：3 V至23 V
‌可编程电流限制‌：
- SIP32433：150 mA至3.5 A
- SIP32434：300 mA至6 A
‌可编程软启动‌：支持输出电压摆率与自动重试时间调整
‌输入路径电流检测‌：内置分流电阻便于电流探测
‌输出短路测试‌：通过板载MOSFET实现
‌反向电流阻断‌：仅SIP32433x系列支持

‌二、硬件架构详解‌

‌1. 接口与连接器‌

评估板通过以下关键接口实现功能配置与测试：

‌ J13 (EN) ‌：高电平使能及欠压锁定输入，分压电阻为25 kΩ/4.12 kΩ
‌J7/J14‌：电源输入接口与接地端
‌J8/J16‌：电源输出接口与接地端

‌2. 保护电路设计‌

‌肖特基二极管D2‌：位于器件输出侧，用于钳位感性负载突然关闭时的负电压
‌TVS二极管选位‌：可在输入电容位置安装，提供输入瞬态保护

‌3. 电容配置‌

‌输入电容‌：C1~C6（10 μF/50 V），紧邻器件布局确保开关前端电压稳定
‌输出电容‌：C7、C8（10 μF/50 V），需选用额定电压≥35 V的电容

‌三、故障处理机制‌

‌故障分类‌

‌可锁存故障‌：过流、过温、短路
‌非锁存故障‌：过压、欠压、反向电流

‌关断响应模式‌

‌锁定模式‌：SIP32433A/434A检测到可锁存故障后保持开关关闭，需通过复位EN或VIN重启
‌自动重试模式‌：SIP32433B/434B在无OTP/OVP故障时自动恢复，重试延迟时间为软启动时间的32倍

‌四、测试与验证方法‌

‌1. 热插拔测试‌

连接J3至外部5 V电源作为PG偏置源
在J7与J14间热插拔供电，观察图4所示的浪涌电流波形

‌2. 电流限制测试‌

缓慢增加负载电流，开关在设定电流限值持续6 ms后关闭（参考图5）

‌3. 输出短路测试‌

通过拉高J12使板载MOSFET短接输出
典型波形如图6所示，展示短路保护响应

‌4. 自动重试测试‌

在输出短路条件下验证自动恢复功能
图7展示了短路条件下的自动重试时序

‌五、布局设计规范‌

‌散热优化‌：在器件中央裸露焊盘（接地）铺设最大面积铜层
‌接地互联‌：所有接地层通过多个导热过孔连接
‌元件布局‌：
- 电流限制设置电阻靠近连接引脚
- 软启动设置电容（C9）就近布局
- EN/UVLO与OVP引脚电阻紧邻配置
‌保护器件放置‌：输入TVS与输出肖特基二极管需靠近被保护引脚，采用短走线降低电感

‌六、应用场景‌

服务器与数据存储系统
路由器与网络交换机
热插拔与热插拔设备
光模块
PCIe与内存接口
工业控制与自动化设备
电视与游戏系统

‌七、器件选型参考‌

型号	关断响应	RDS(ON)	最大电流	反向阻断	电压范围
SIP32433AEVB	锁定	78 mΩ	3.5 A	支持	3.3-23 V
SIP32433BEVB	自动重试	78 mΩ	3.5 A	支持	3.3-23 V
SIP32434AEVB	锁定	33 mΩ	6 A	不支持	3.3-23 V
SIP32434BEVB	自动重试	33 mΩ	6 A	不支持	3.3-23 V

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