扬杰科技亮相2025中国电力电子与能量转换大会暨展览会

2025中国电力电子与能量转换大会暨展览会（CPEEC&CPSSC）精彩回顾

在2025年11月7日至10日，第四届中国电力电子与能量转换大会暨展览会与中国电源学会第二十八届学术年会（CPEEC&CPSSC 2025）在深圳国际会展中心成功召开。本届盛会汇聚了来自全球电力电子与电源领域的专家学者、企业代表、科研机构及高校师生等5000余人，共探行业前沿技术，共绘能源转换新蓝图，现场气氛热烈，交流成果丰硕。

干货分享·共话趋势

在大会专题论坛中，扬杰科技IGBT事业部研发总监龙博为现场观众带来题为《面向下一代IGBT微沟槽的发展趋势和极窄结构的优化研究》的精彩报告。

精彩提炼

随着功率半导体器件对导通损耗、开关速度和芯片面积提出更高要求，窄 Mesa结构 IGBT 逐渐成为提升单位面积性能的重要方向之一。

本报告围绕窄 Mesa 沟槽型 IGBT 的缩放极限开展系统研究，分析了 Mesa 宽度缩小过程中对导通压降、集电极势垒效应（CIBL）、电流均匀性及短路能力的影响机制。研究发现，当 Mesa 宽度缩小至亚微米级别时，器件 Vce(sat) 显著降低，但同时出现输出特性饱和性退化、电流细丝形成等现象，严重限制了其短路耐受性能。

为兼顾导通性能与可靠性，本报告提出了一种局部纳米窄 Mesa 的新型结构。仿真结果表明，在不显著牺牲击穿电压和关断损耗的前提下，该结构可实现 Vce(sat) 降低的同时短路承受时间提升至10 μs。本研究为超高密度、低损耗 IGBT 的结构设计提供了理论支撑与仿真依据，并为未来先进 IGBT 芯片的小型化、模块化与高可靠性发展奠定基础。

盛会虽已圆满落幕，但扬杰科技的创新脚步从未停歇。我们始终坚持以技术为驱动、以市场为导向，在持续优化现有产品性能的同时，密切关注行业发展趋势，不断探索功率半导体技术的更多可能性。秉承“成为世界信赖的功率半导体伙伴”这一使命，我们将持续深化产品结构优化，紧密贴合客户需求，致力于为全球市场提供更高效、更节能、更可靠的半导体产品和解决方案。展望未来，扬杰科技愿与各界伙伴携手并进，在技术创新与产业升级的道路上并肩前行，共同推动绿色能源变革，书写电力电子行业高质量发展的新篇章——期待在下一段旅程中，与您再次相遇，共创价值！

关于扬杰

扬州扬杰电子科技股份有限公司是国内少数集半导体分立器件芯片设计制造、器件封装测试、终端销售与服务等产业链垂直一体化（IDM）的杰出厂商。产品线含盖分立器件芯片、MOSFET、IGBT&功率模块、SiC、整流器件、保护器件、小信号等，为客户提供一揽子产品解决方案。公司产品广泛应用于汽车电子、人工智能、清洁能源、5G通讯、智能安防、工业、消费类电子等诸多领域。

公司于2014年1月23日在深交所上市，证券代码300373，相信在您的关怀支持下，我们一定能够成为世界信赖的功率半导体伙伴。