‌Vishay Vitramon表面贴装直流阻断电容器技术解析与应用指南

描述

Vishay/Vitramon表面贴装直流阻断电容器在整个工作频率范围内具有无谐振性能。这些多层陶瓷片式电容器 (MLCC) 采用0402、0603和0805等标准EIA主体尺寸,电压范围为25VDC至500V DC ,最大耗散因数 (DF) 为3.5%(1VRMS和1kHz时)。这些电容器采用低损耗、可靠的贵金属电极系统,工作温度范围为-55°C至+125°C。Vishay/Vitramon表面贴装直流阻断电容器的应用包括光纤链路、高隔离去耦、仪器仪表和测试设备、射频/微波模块、双工器等。

数据手册:*附件:Vishay , Vitramon 表面贴装直流阻断电容器数据手册.pdf

特性

  • 在整个工作频率范围内具有无谐振性能
  • 直流阻断,在整个频段内插入损耗<0.5dB
  • 可提供自定义频率范围
  • 表面贴装标准EIA主体尺寸
  • 低损耗、可靠的贵金属电极系统
  • 可提供S参数
  • 可提供无铅、符合RoHS指令的型号
  • 不含卤素

典型衰减曲线

表面贴装

Vishay Vitramon表面贴装直流阻断电容器技术解析与应用指南

一、产品概述

Vishay Vitramon系列直流阻断电容器是一种多层陶瓷芯片电容器(MLCC),专为射频/微波应用设计。其核心功能是在特定频段内阻断直流信号,同时保证交流信号的低损耗传输。该系列支持从HF(3 MHz)至Ku波段(18 GHz)的宽频率范围,并具备定制化频率选项,适用于光纤通信、测试设备、射频模块等高频场景。


二、关键特性与性能参数

1. 电气性能

  • 工作温度‌:-55 °C至+125 °C
  • 电压范围‌:25 VDC至500 VDC(根据封装尺寸和频段调整)
  • 插入损耗‌:< 0.5 dB(全频段保障信号完整性)
  • 损耗因子‌:≤ 3.5 %(1 kHz/1 VRMS条件下)
  • 绝缘电阻‌:
    • +25 °C时 ≥ 100,000 MΩ 或 1000 ΩF(取较小值)
    • +125 °C时 ≥ 10,000 MΩ 或 100 ΩF(取较小值)
  • 耐压测试‌:
    • ≤250 VDC产品:承受250 %额定电压
    • 500 VDC产品:承受150 %额定电压

2. 结构与封装

提供四种标准EIA封装尺寸,兼容表面贴装工艺:

型号代码尺寸代码长度(mm)宽度(mm)最大厚度(mm)
BC0404021.00±0.100.50±0.100.60
BC0606031.60±0.150.80±0.150.97
BC0808052.00±0.201.25±0.201.45
BC1212103.20±0.252.50±0.251.94

三、选型指南与型号解析

1. 频率覆盖与标准型号

以下为部分典型型号的频段与电压对应表:

频段低频端高频端尺寸代码额定电压(VDC)示例型号
S波段2 GHz4 GHz040225BC04208408DXXA_
C波段4 GHz8 GHz0805100BC08408808DXBA_
Ku波段12 GHz18 GHz060350BC06129189DXAA_

2. 型号命名规则

以‌ BC06108208DXBA_ ‌为例:

  • BC‌:直流阻断电容器
  • 06‌:0603封装
  • 108‌:低频端1 GHz,高频端8 GHz(1×108=1 GHz,8×108=8 GHz)
  • 208‌:低频端20 MHz,高频端8 GHz(需结合代码表转换)
  • D‌:插入损耗 < 0.5 dB
  • X‌:镍阻挡层+100 %锡镀层
  • B‌:100 VDC额定电压
  • A‌:无标记(外观简洁)

四、典型应用场景

  1. 光纤链路‌:在光模块中阻断直流偏置,确保信号纯净度。
  2. 射频模块与双工器‌:用于天线端直流隔离,防止射频信号干扰电源。
  3. VCO频率稳定‌:通过阻断直流分量提升振荡器相位噪声性能。
  4. 测试仪器‌:在矢量网络分析仪等设备中实现精准阻抗匹配。

五、设计注意事项

  1. 电压降额‌:在高频应用中,建议工作电压不超过额定值的50 %。
  2. 焊接工艺‌:需遵循EIA RS-481标准卷带包装要求,避免机械应力导致裂纹。
  3. 存储条件‌:
    • 温度:5 °C至40 °C
    • 湿度:≤ 70 % RH
    • 保质期:出厂后2年内使用(超期需验证可焊性)。

六、性能曲线分析

数据手册提供的典型衰减曲线显示:

  • S波段‌(2 GHz~4 GHz):所有封装的插入损耗均稳定控制在0.5 dB以内。
  • C波段‌(4 GHz~8 GHz):随着频率升高,损耗略微增加(最高至1.0 dB),但仍优于常规MLCC。
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