Vishay Semiconductors BAT165小信号肖特基二极管具有40V反向电压 (V R ) 和750mA最大额定正向连续电流 (I F )。该器件采用符合RoHS指令的绿色紧凑型MicroSMF (DO-219AC) 封装。Vishay Semiconductors BAT165平均整流正向电流 (IF(AV) 为500mA，浪涌正向电流 (I FSM ) 为2.5A。这些器件采用工业级和符合AEC-Q101标准的封装选项。

数据手册：*附件：Vishay Semiconductors BAT165小信号肖特基二极管数据手册.pdf

特性

• 符合AEC-Q101标准
• Base P/N-G3 - 符合RoHS指令、绿色、工业级
• Base P/N-HG3 - 符合RoHS指令、绿色、符合AEC-Q101标准

封装尺寸

Vishay BAT165小信号肖特基二极管技术解析与应用指南

引言

Vishay Semiconductors推出的BAT165小信号肖特基二极管凭借其优异的高频特性和低功耗表现，在现代电子设计中占据重要地位。本文基于官方数据手册，深入解析该器件的技术特性、关键参数及典型应用场景，为工程师提供实用的设计参考。

产品概述与核心特性

‌BAT165‌ 是一款采用MicroSMF（DO-219AC）封装的小信号肖特基二极管，具有以下突出特性：

• ‌双版本配置‌：基础版BAT165-G3/H（工业级）和车规版BAT165-HG3/H（AEC-Q101认证）
• ‌环保合规‌：所有版本均符合RoHS标准，采用绿色材料制造
• ‌结构优势‌：重量仅4.8 mg，适用于高密度PCB布局

电气特性深度分析

绝对最大额定值

器件在25°C环境温度下的关键极限参数：

• ‌反向电压‌：40 V
• ‌正向连续电流‌：750 mA
• ‌平均整流电流‌：500 mA
• ‌浪涌电流‌：2.5 A（tp < 10 ms条件下）
• ‌功率耗散‌：
  • 推荐回流焊焊盘布局：290 mW
  • 20 mm × 20 mm焊盘布局：740 mW

静态电气性能

在25°C标准测试条件下：

• ‌反向击穿电压‌：最小40 V（IR = 100 μA脉冲测试）
• ‌泄漏电流‌：
  • VR = 40 V时最大8 μA
  • VR = 40 V、Tj = 65°C时最大900 μA
• ‌正向压降‌（脉冲测试，tp ≤ 300 μs）：
  • IF = 10 mA时：典型230 mV，最大380 mV
  • IF = 100 mA时：典型315 mV，最大470 mV
  • IF = 250 mA时：典型390 mV，最大540 mV
  • IF = 750 mA时：典型440 mV，最大740 mV
• ‌结电容‌：典型8.4 pF，最大12 pF（VR = 10 V，f = 1 MHz）

热管理特性

器件的热性能参数直接影响系统可靠性：

• ‌ 热阻（结到环境空气） ‌：
  • 推荐回流焊布局：430 K/W
  • 20 mm × 20 mm焊盘布局：170 K/W
• ‌ 热阻（结到引线） ‌：45 K/W
• ‌工作温度范围‌：-55°C 至 +150°C
• ‌最大结温‌：150°C

封装与PCB布局指南

机械尺寸

MicroSMF封装关键尺寸（毫米）：

• 主体尺寸：2.5 ± 0.1 × 1.9 ± 0.1
• 引脚间距：推荐回流焊0.8 mm，波峰焊1.5 mm
• 高度控制：1.3 ± 0.1 mm

焊盘设计推荐

针对不同焊接工艺的优化布局：

• ‌回流焊接‌：采用0.8 mm间距布局
• ‌波峰焊接‌：采用1.5 mm间距布局
  这种设计确保了焊接质量，同时最大限度提升了热性能。

典型应用场景

高频整流电路

得益于低结电容（最大12 pF）和快速开关特性，BAT165特别适用于：

• 开关电源的次级整流
• 高频信号检波电路
• RF通信系统的信号处理

低压降应用

在便携式设备中，230-440 mV的正向压降范围显著降低了功率损耗，适用于：

• 电池供电系统的极性保护
• 电源路径管理
• 低压差整流设计

汽车电子系统

AEC-Q101认证版本（BAT165-HG3/H）满足汽车电子的严苛要求：

• 车载信息娱乐系统
• 发动机控制单元的信号调理
• 高级驾驶辅助系统（ADAS）

选型与设计考量

版本选择指南

• ‌工业应用‌：BAT165-G3/H，成本优化
• ‌汽车电子‌：BAT165-HG3/H，可靠性优先

热设计建议

基于热阻参数，设计时需注意：

• 在最大功率应用时确保足够的散热面积
• 高环境温度下适当降额使用
• 利用RthJL = 45 K/W特性，通过引线增强散热