选型手册：MOT2718J P - 沟道功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子（MOT）推出的 MOT2718J 是一款 P - 沟道增强型功率 MOSFET，凭借 -20V 耐压、低导通电阻及高效功率处理能力，适用于 PWM 应用、负载开关、电源管理等场景。

一、产品基本信息

• 器件类型：P - 沟道增强型功率 MOSFET
• 核心参数：
  • 漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：-20V，适配低压负电源供电场景；
  • 导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=-2.5V\) 时典型值 16.5mΩ，\(V_{GS}=-4.5V\) 时典型值 13mΩ，低压场景下导通损耗极低；
  • 连续漏极电流（\(I_D\)）：-10A（\(T_c=25^\circ\text{C}\)），\(T_c=100^\circ\text{C}\) 时降额为 -6.5A；脉冲漏极电流（\(I_{DM}\)）达 **-40A**，满足负载瞬时过载需求。

二、核心特性

• 低导通电阻与高功率处理：13~16.5mΩ 超低导通电阻设计，搭配 -10A 连续电流能力，大幅降低低压负电源场景下的传导损耗，支持高效功率管理；
• 表面贴装封装适配：采用 PDFN3X3-8L 表面贴装封装，每卷 5000 片，适配高密度电路板的小型化设计需求；
• 多场景适配性：PWM 控制、负载开关、电源管理等场景均可高效应用，满足不同功率拓扑的开关需求。

三、关键电气参数（\(T_c=25^\circ\text{C}\)，除非特殊说明）

• 栅源极电压（\(V_{GS}\)）：最大值 ±12V，栅极驱动需控制在该范围以避免氧化层损坏；
• 功耗（\(P_D\)）：13W，实际应用需结合 PCB 敷铜、散热焊盘等设计保障长期可靠工作；
• 雪崩特性：单脉冲雪崩能量（\(E_{AS}\)）达25mJ，在感性负载开关、异常过压工况下可靠性强；
• 热特性：结壳热阻（\(R_{thJC}\)）9.3℃/W，需通过封装与 PCB 设计优化热管理；
• 结温范围（\(T_J\)）：-55~+150℃，存储温度范围与结温区间一致。

四、封装与应用场景

• 封装形式：PDFN3X3-8L 表面贴装封装，每卷 5000 片，适配高密度电路板的空间约束；
• 典型应用：
  • PWM 应用：在 PWM 控制的功率回路中作为开关管，低导通电阻特性提升控制精度与效率；
  • 负载开关：用于各类电子设备的负载通断控制，-10A 电流能力支持中功率负载切换；
  • 电源管理：为低压负电源系统的电源分配、电压调节环节提供高效开关，保障电源管理稳定性。

五、信息来源

仁懋电子（MOT）官方产品手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际应用需以最新版手册及器件批次测试数据为准。）