ADS42B49 双通道 14 位 250-Msps 超低功耗模数转换器技术规格与应用总结

描述

该ADS42B49是一款超低功耗双通道、14位模拟转数字转换器(ADC)集成了模拟输入缓冲器。它采用创新设计技术实现高动态性能,同时消耗极低功耗。模拟输入缓冲器的存在使该设备易于驱动,并有助于在宽频范围内实现高性能。 这 ADS42B49非常适合多载波宽带宽通信应用。

ADS42B49具有增益选项,可用于在较低全功度输入下提升SFDR性能 范围。 该设备还包含一个直流偏移校正环路,可用于取消ADC偏移。 双 DDR LVDS和并行CMOS数字输出接口集成在紧凑型VQFN-64 PowerPAD™中 包。
*附件:ads42b49.pdf

该器件包含内部参考,而传统的参考引脚和相关的解耦电容器已被取消。ADS42B49在工业温度范围内(–40°C至8°C)内被指定。

特性

  • 最大采样率:250 MSPS
  • 超低功率:
    • 850毫瓦总功率,250 MSPS
  • 集成模拟输入缓冲器:
    • 输入电容:2.2 pF,频率为170 MHz
    • 输入电阻:1.1 kΩ,频率为170 MHz
  • 高动态性能:
    • 85 dBc SFDR,频率为170 MHz
    • 170 MHz 时 70.7 dBFS 信噪比
  • 串扰:> 85 dB,频率为185 MHz
  • 可编程增益最高可编程6 dB,用于信
    噪比和SFDR权衡
  • 直流偏移校正
  • 输出接口选项:
    • 1.8伏并行CMOS接口
    • 双倍数据率(DDR)LVDS带可编程摆动:
      • 标准摆动:350 mV
      • 低摆幅:200 mV
  • 支持低输入时钟幅度,最低可达200 mVPP
  • 封装:9.00 毫米 × 9.00 毫米,64针四针扁平
    无引脚(VQFN)封装
    参数
    缓冲器
    方框图

缓冲器

一、产品概述

ADS42B49 是德州仪器(TI)推出的双通道 14 位超高速低功耗模数转换器(ADC),核心优势为集成模拟输入缓冲器、动态性能优异、功耗控制出色,支持 DDR LVDS 和并行 CMOS 双输出接口,适用于无线通信基础设施、软件无线电、功率放大器线性化等对速率和功耗均敏感的高速信号采集场景。文档版本为 SBAS558C,最初发布于 2012 年 12 月,2015 年 12 月修订,器件采用 64 引脚 VQFN 封装(9.00 mm×9.00 mm),工作温度范围 - 40°C 至 85°C。

二、核心参数与性能特性

1. 基础规格

  • 分辨率与采样率 :14 位分辨率(无失码),最高采样率 250 Msps,支持低速模式(1 Msps-80 Msps),适配不同速率需求。
  • 动态性能 :170 MHz 输入时,SFDR 达 85 dBc,SNR 达 70.7 dBFS,ENOB 达 11.4 LSB;通道间串扰>85 dB,双路同步性能优异;输入带宽(3 dB)达 700 MHz,支持宽频率信号采集。
  • 输入特性 :差分输入满量程 2 Vpp,输入共模电压 1.9 V(内部自偏置,无需外部偏置),170 MHz 时输入阻抗 1.1 kΩ、输入电容 2.2 pF,驱动难度低。

2. 供电与功耗

  • 供电范围 :需三组电源供电,AVDD(模拟)1.8 V-2.0 V(标称 1.9 V),AVDD_BUF(模拟缓冲)3.15 V-3.45 V(标称 3.3 V),DRVDD(数字)1.7 V-2.0 V(标称 1.8 V)。
  • 功耗表现 :250 Msps 时总功耗仅 850 mW(每通道 425 mW),超低功耗优势显著;支持全局掉电(典型功耗 20 mW)和通道待机模式(典型功耗 240 mW),适配低功耗场景。

3. 封装与环境适应性

  • 封装类型 :64 引脚 VQFN 封装,带裸露热焊盘,散热性能优异,结到环境热阻(θJA)23.9 °C/W,结到板热阻(θJB)4.3 °C/W。
  • 可靠性 :ESD 防护电压 ±2000 V(人体模型 HBM)、±500 V(充电器件模型 CDM);结温最高 125°C,长期工作稳定性良好。

4. 接口特性

  • 数据输出 :支持 DDR LVDS(标准摆幅 350 mV、低摆幅 200 mV,可编程)和 1.8 V 并行 CMOS 双接口,LVDS 模式下数据速率 500 Mbps,CMOS 模式支持单独引脚输出。
  • 控制接口 :支持 SPI 串行接口(最高 20 MHz)和并行控制引脚,可配置工作模式、增益、输出格式等参数,灵活适配不同系统设计。

三、工作模式与功能原理

1. 核心架构

双通道独立设计,每通道集成模拟输入缓冲器、14 位 ADC 采样电路、数字校正逻辑及输出序列化器;采用流水线架构,默认数据延迟 11 个时钟周期,支持数字功能(增益 / 偏移校正、测试模式)启用(延迟 19 个时钟周期)。

2. 主要工作模式

  • 高速模式 :采样率 80 Msps-250 Msps,时钟占空比 45%-55%,适配高速信号采集。
  • 低速模式 :采样率 1 Msps-80 Msps,时钟占空比 40%-60%,降低功耗的同时保证基础性能。
  • 掉电与待机模式 :全局掉电模式关闭所有模块,唤醒时间 100 µs;通道待机模式仅关闭 ADC 通道,唤醒时间 50 µs,平衡功耗与响应速度。
  • 复用模式 :双路数据复用至单总线输出(DB [13:0]),适配低采样率下的接口简化需求(建议<125 Msps)。

3. 关键功能细节

  • 可编程增益 :支持 0 dB-6 dB 增益调节(0.5 dB 步进),可权衡 SFDR 与 SNR 性能,高频率输入时 SFDR 提升显著。
  • 偏移校正 :内置 DC 偏移校正算法,可校正 ±10 mV 偏移,校正时间常数可编程(1 M-2 G 时钟周期),支持冻结校正结果。
  • 灵活输出格式 :支持二进制补码和偏移二进制两种数据格式,LVDS 模式下每对差分引脚复用两位数据,提升接口效率。

四、应用场景与设计建议

1. 典型应用领域

  • 无线通信基础设施、软件无线电(SDR)、功率放大器(PA)线性化、宽带信号采集系统等。

2. 设计关键要点

  • 电源设计 :模拟电源(AVDD、AVDD_BUF)对噪声敏感,建议使用低噪声电源或添加滤波电路;所有电源引脚需就近并联 0.1 µF 去耦电容,降低电源噪声串扰。
  • 输入与时钟设计 :模拟输入需差分驱动,建议串联 5 Ω-10 Ω 电阻抑制振铃;时钟支持差分(正弦波、LVPECL、LVDS)或单端(LVCMOS)输入,高速采样时推荐低抖动时钟源,时钟幅度最低可至 200 Vpp。
  • 布线与散热 :PCB 需划分模拟区、数字区和时钟区,差分信号线成对紧密布线;裸露热焊盘需焊接至地平面,确保散热效率,避免结温过高。
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