ADC12D1000RF 12 位高采样率 RF 采样 ADC 技术文档总结

描述

12位3.2和2GSPS ADC12D1x00RF是一款射频采样GSPS数字计算机,可以直接采样输入频率,最高可达2.7 GHz及以上。ADC12D1x00RF增强了非常大的奈奎斯特区域TI的GSPS ADC在射频下具有出色的噪声和线性性能,扩展了其可用范围超过3^RD^奈奎斯特区

ADC12D1x00RF提供灵活的LVDS接口,支持多个SPI可编程以便于板设计和FPGA/ASIC数据采集的选项。LVDS输出兼容IEEE 1596.3-1996,并支持可编程共模电压。该产品采用无铅292球热增强BGA封装,覆盖额定工业温度范围–40°C至85°C。
*附件:adc12d1000rf.pdf

特性

  • 噪声和线性表现优异,最高可达f。 =
    2.7 GHz
  • 可配置为3.2或2 GSPS交错,
    或1600或1000 MSPS双模转换器
  • 为高带宽、高
    采样率应用推出新的DESCLKIQ模式
  • 与ADC10D1x00、ADC12D1x00针脚兼容
  • 多芯片同步自动同步功能
  • 内部终端缓冲差分模拟
    输入
  • 交错正时自动与手动倾斜
    调节
  • 系统调试输出端的测试模式
  • 捕捉外部触发的时间戳功能
  • 可编程增益、偏移和广告调整功能
  • 1:1 非多工或 1:2 去多工 LVDS 输出
  • 主要规格
    • 分辨率 12位
    • 交错的3.2和2GSPSADC
      • IMD 3 (Fin = 2.7 GHz,频率为–13 dBFS)–63.7/–73dBFS(典型)
      • IMD 3 (fin=2.7 GHz,频率为–16 dBFS)–66.7/–85dBFS(典型)
      • 噪声底:–154.6/–154 dBm/Hz(典型)
      • 功率:3.94/3.42 W(典型功率)
    • 双1600/1000 MSPS ADC,Fin = 498 MHz
      • ENOB 9.2/9.4 位(典型)
      • 信噪比 58.2/58.8 dB(典型值)
      • SFDR 66.7/71.9 dBc(典型)
      • 每通道功率 1.97/1.71 W(典型)

参数

共模电压

方框图

共模电压
ADC12D1000RF/1600RF 是德州仪器(TI)推出的两款 12 位高采样率 RF 采样 ADC,ADC12D1000RF 最高采样率 2 GSPS(交织模式)/1000 MSPS(双通道模式),ADC12D1600RF 最高 3.2 GSPS(交织模式)/1600 MSPS(双通道模式),支持直接采样 2.7 GHz 以上 RF 信号,具备优异的噪声与线性性能,通过灵活的工作模式和 SPI 配置,适用于 3G/4G 基站、宽带微波回程、软件无线电、雷达 / LIDAR 等高频高速数据采集场景。

一、芯片基础信息与核心特性

1. 基础规格

  • 文档与型号 :文档编号 SNAS519H,2011 年 7 月发布、2015 年 8 月修订;两款型号核心差异为采样率,ADC12D1000RF 聚焦中高速场景,ADC12D1600RF 面向超高速场景。
  • 供电与温度 :多电源供电,模拟电源(V_A/V_TC/V_E)1.8V-2.0V,数字驱动电源(V_DR)1.8V-V_A;工作温度 - 40°C 至 85°C,存储温度 - 65°C 至 150°C,适配工业级环境。
  • 封装与散热 :292 引脚 BGA 封装(27.00mm×27.00mm),结到环境热阻 16°C/W,结到底部外壳热阻 2.5°C/W,内置散热焊盘,需配合 PCB 接地平面优化散热。

2. 核心性能指标

  • 分辨率与精度 :12 位分辨率,无失码;INL±2.5 LSB-±7.25 LSB,DNL±0.4 LSB-±0.96 LSB,偏移误差 ±5 LSB,正负满刻度误差均为 ±25 mV,线性度表现优异。
  • 采样与动态性能 :ADC12D1600RF 交织模式 3.2 GSPS、双通道 1600 MSPS,ADC12D1000RF 对应 2 GSPS/1000 MSPS;2.7 GHz 输入时 IMD3 低至 - 85 dBFS,噪声底 - 154 dBm/Hz,SNR 最高 58.8 dB,SFDR 最高 71.9 dBc,ENOB 最高 9.6 Bits,动态性能突出。
  • 输入与带宽 :内置 100Ω 差分输入终端,支持 AC/DC 耦合,输入带宽最高 4 GHz(-12 dB),可直接采样超高频 RF 信号,无需前端混频电路。
  • ESD 与可靠性 :人体放电模型(HBM)±2500 V,带电器件模型(CDM)±1000 V,机械模型(MM)±250 V,静电防护能力强;连续输入电流 ±5 mA,脉冲电流 ±20 mA,稳定性可靠。

二、关键功能模块与工作原理

1. 核心功能模块

  • 双通道多模式架构
    • 支持交织模式(DES)与非交织模式(Non-DES),DES 模式下单通道采样率翻倍(如 ADC12D1600RF 达 3.2 GSPS),通过 I/Q 通道交替采样实现;Non-DES 模式下为独立双通道(1600 MSPS/1000 MSPS 每通道)。
    • 输出支持 1:1 非解复用(数据率 = 采样率)和 1:2 解复用(数据率 = 采样率 / 2),LVDS 接口兼容 IEEE 1596.3,支持 DDR/SDR 模式,可灵活适配 FPGA/ASIC 数据采集。
  • 灵活配置接口
    • 支持非扩展控制模式(Non-ECM,引脚直接控制)和扩展控制模式(ECM,SPI 接口配置),ECM 模式下通过 16 个寄存器实现增益、偏移、采样相位等 15 项参数精细化调节。
    • 内置 AutoSync 多芯片同步功能,支持主从模式组网,可通过 RCLK 接口实现多 ADC 同步采样,同步延迟低至 90 ps。
  • 校准与优化功能
    • 支持上电自动校准与手动触发校准,校准涵盖输入终端电阻、时钟电阻及内部线性度,校准后可显著降低 INL/DNL 误差。
    • 具备采样时钟相位调节(最大 825 ps 延迟)、DES 时序调整、自动占空比校正等功能,可补偿系统时钟偏差与通道间 skew。

2. 工作原理

  • 采用校准折叠插值架构,通过折叠放大器减少比较器数量,结合插值技术降低前端放大器负载,在高采样率下实现低功耗与高线性度平衡。
  • 模拟信号经差分输入缓冲后,由采样保持电路捕获,经 12 位 ADC 转换为数字信号,通过解复用器输出至 LVDS 总线;采样时钟支持双沿采样(DES 模式),可在单一时钟周期内完成两次采样,实现采样率翻倍。
  • 数字部分支持偏移二进制 / 二进制补码输出格式,内置测试图案生成器与时间戳功能,便于系统调试与外部触发事件捕获。

三、应用场景与设计建议

1. 典型应用

  • 无线通信 :3G/4G 基站接收路径与 DPD 路径,宽带微波回程设备,支持高频信号直接采样,简化射频前端设计。
  • 国防与测试测量 :软件无线电(SDR)、军事通信、信号情报(SIGINT)、雷达 / LIDAR,适配超宽带、高速率数据采集需求。
  • 消费电子与工业 :高端测试仪器、宽带通信设备,可替代传统 “混频 + ADC” 架构,降低系统复杂度。

2. 设计注意事项

  • 电源与去耦 :多电源需独立供电,V_A/V_TC/V_E/V_DR 需分别并联 0.1 µF 陶瓷电容与 10 µF 钽电容,电容就近布局,减少电源噪声耦合。
  • 输入与时钟设计
    • 模拟输入需差分阻抗匹配(100Ω 差分 / 50Ω 单端),AC 耦合时选用合适电容保证低频信号完整性; unused 通道需按模式 terminated(AC 耦合短接、DC 耦合接 V_BG)。
    • 采样时钟需差分 AC 耦合输入(0.4 V_P-P-2 V_P-P),时钟源抖动需控制在 0.2 ps(rms)以内,推荐使用 TI LMX2531 等低相噪时钟芯片。
  • 布局与散热
    • 采用多层 PCB 设计,模拟地与数字地共面且通过多过孔连接,高速信号(时钟 / 数据)短距走线、阻抗控制(50Ω 单端 / 100Ω 差分),远离模拟区域。
    • 中心散热焊盘需与 PCB 接地平面紧密连接,大面积敷铜增强散热,避免结温超过 140°C 额定值。
  • 校准与同步 :上电后需等待电源稳定再启动校准,模式切换(如 DES/Non-DES)或温度变化较大时需重新校准;多芯片同步优先使用 AutoSync 功能,主从 ADC 时钟路径长度需严格一致。

四、关键配置与操作要点

1. 核心功能配置

  • 工作模式选择
    • 采样模式:DES 模式(单通道高速)或 Non-DES 模式(双通道独立),通过 DES 引脚或寄存器(Addr:0h Bit7)配置,DES 模式需确保 I/Q 通道均上电。
    • 输出模式:解复用模式(NDM 引脚低)或非解复用模式(NDM 引脚高),DDR 模式支持 0°/90° 相位关系,可通过 DDRPh 引脚或寄存器(Addr:0h Bit14)选择。
  • 参数调节
    • 满量程范围(V_IN_FSR):Non-ECM 模式通过 FSR 引脚选择(600 mV_P-P/800 mV_P-P),ECM 模式可通过寄存器(Addr:3h/Bh)实现 15 位精度调节(600 mV_P-P-1000 mV_P-P)。
    • 偏移调节:ECM 模式下通过寄存器(Addr:2h/Ah)实现 ±45 mV 偏移调整,步长约 11 µV,可补偿系统输入偏移。

2. 操作流程

  • 校准操作 :上电后自动校准(CalDly 引脚选择延迟时间),或通过 CAL 引脚 / 寄存器(Addr:0h Bit15)触发手动校准,校准期间数字输出置低,校准完成后需等待 60 个采样时钟周期使数据有效。
  • 多芯片同步 :配置主 ADC 为 Master 模式,从 ADC 为 Slave 模式,通过主 ADC 的 RCOut 输出时钟至从 ADC 的 RCLK 输入,利用 AutoSync 寄存器(Addr:Eh)调节延迟,实现多 ADC DCLK 同步。
  • 低功耗优化 :支持 I/Q 通道独立掉电(PDI/PDQ 引脚或寄存器控制),未使用通道掉电后可降低总功耗,重新上电后需执行校准以恢复性能。
打开APP阅读更多精彩内容
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉

全部0条评论

快来发表一下你的评论吧 !

×
20
完善资料,
赚取积分