选型手册：MOT3180G N 沟道功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子（MOT）推出的 MOT3180G 是一款面向 30V 低压大电流场景的 N 沟道增强型功率 MOSFET，凭借超低导通电阻、高雪崩稳定性及无铅封装特性，适用于 DC/DC 转换器、高频开关与同步整流等领域。

一、产品基本信息

• 器件类型：N 沟道增强型功率 MOSFET
• 核心参数：
  • 漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：30V，适配低压大电流供电场景；
  • 导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\) 时典型值 5.5mΩ，\(V_{GS}=4.5V\) 时典型值 9mΩ，低压场景下导通损耗极低；
  • 连续漏极电流（\(I_D\)）：40A（\(T_c=25^\circ\text{C}\)），\(T_c=100^\circ\text{C}\) 时降额为 28.3A；脉冲漏极电流（\(I_{DM}\)）达150A，满足负载瞬时过载需求。

二、核心特性

• 超低导通电阻：5.5~9mΩ 导通电阻设计，大幅降低低压大电流场景下的传导损耗，提升电源转换效率；
• 高雪崩稳定性：雪崩特性均匀，单脉冲雪崩能量达150mJ，在感性负载开关、异常过压工况下可靠性强；
• 无铅环保封装：采用无铅引脚镀层，符合 RoHS 标准，适配绿色电子制造需求；
• 高频开关适配：适配 DC/DC 转换器的高频同步整流环节，提升电源转换效率。

三、关键电气参数（\(T_c=25^\circ\text{C}\)，除非特殊说明）

• 栅源极电压（\(V_{GS}\)）：最大值 ±20V，栅极驱动需控制在该范围以避免氧化层损坏；
• 功耗（\(P_D\)）：35W，实际应用需结合 PCB 敷铜、散热焊盘等设计保障长期可靠工作；
• 结温范围（\(T_J\)）：-55~+150℃，存储温度范围与结温区间一致。

四、封装与应用场景

• 封装形式：PDFN6X6-8L 表面贴装封装，每卷 5000 片，适配高密度电路板的空间约束；
• 典型应用：
  • DC/DC 转换器：在低压同步整流、降压拓扑中作为开关管，低损耗特性提升电源转换效率；
  • 高频开关与同步整流：适配各类高频开关应用（如电源模块、负载切换）及同步整流回路，保障开关稳定性与整流效率。

五、信息来源

仁懋电子（MOT）官方产品手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际应用需以最新版手册及器件批次测试数据为准。）