‌NZ8P系列齐纳保护二极管技术解析与应用指南

安森美 (onsemi) NZ8P齐纳保护二极管旨在保护敏感电子组件免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响。NZ8P二极管具有低钳位电压和快速响应时间，非常适合用于高速数据线和低压应用。NZ8P的击穿电压范围为3.6V至48.5V，最大反向漏电流为1μA（典型值），可提供可靠的过压保护，同时不会影响信号完整性。此系列二极管采用紧凑型X2DFNW2表面贴装封装，支持空间受限的设计和自动化组装工艺。安森美 (onsemi) NZ8P组件符合IEC 61000-4-2 ESD保护标准，非常适合用于便携式设备、通信设备及其他需要强大高效电路保护的消费类电子产品。

数据手册；*附件：onsemi NZ8P齐纳保护二极管数据手册.pdf

特性

• 提供全范围工作电压选项
• 高ESD额定值
• 可润湿侧翼X2DFNW2封装，可实现最佳的自动光学检测（AOI）
• SZ前缀适用于需要独特现场和控制变更要求的汽车及其他应用；符合AEC-Q101标准，支持PPAP
• 无铅、无卤/无溴化阻燃剂（BFR），符合RoHS指令

原理图

‌NZ8P系列齐纳保护二极管技术解析与应用指南‌

‌一、产品概述‌

NZ8P系列是安森美(onsemi)推出的齐纳保护二极管，专门设计用于需要瞬态过压和ESD保护的场景。该器件采用超紧凑X2DFNW2封装（1.0 x 0.6 mm），提供单向保护功能，适用于保护电压敏感元件免受ESD和其他有害瞬态电压事件的影响。

‌ 主要特性： ‌

• 完整的工作电压选项范围
• 高ESD防护等级（接触/空气放电±30kV）
• 可湿 flank 封装，优化自动光学检测(AOI)
• 汽车级SZ前缀型号（通过AEC-Q101认证，PPAP能力）
• 无铅、无卤素/BFR、符合RoHS标准

‌ 典型应用领域： ‌

• 汽车ECU（电子控制单元）
• 车载网络(IVN)
• 电压敏感电路保护

‌二、关键电气参数详解‌

‌1. 最大额定值‌（TA = 25°C）

• ‌功耗额定值‌：
  • FR-4基板：250mW（25°C），超过25°C时降额1.5mW/°C
  • 增强散热FR-4基板：500mW（25°C），超过25°C时降额1.2mW/°C
• ‌热阻‌：
  • 结到环境热阻：415°C/W（标准）/247°C/W（增强）
• ‌ESD抗扰度‌：
  • IEC 61000-4-2：±30kV（接触/空气）
  • ISO 10605：±30kV（330pF/330Ω，330pF/2kΩ，150pF/2kΩ）
• ‌温度范围‌：
  • 结温与存储温度：-55°C 至 +150°C
  • 焊接温度：260°C（10秒持续时间）

‌2. 电气特性‌（TA = 25°C）
NZ8P系列提供从3.3V到42V共12种工作电压选项，具体参数如下表：

器件型号	工作电压(VRWM)	击穿电压(VBR)	钳位电压(VC)	峰值脉冲电流(IPP)
NZ8P3V3	3.3V	3.6-4.2V	5.5V	8A
NZ8P5V0	5.0V	6.0-6.4V	9V	8A
NZ8P7V0	7.0V	8.0-8.4V	10V	8A
NZ8P12V	12V	14.5-15.4V	17V	7A
NZ8P24V	24V	26.3-27.7V	35V	4.5A
NZ8P42V	42V	45.5-48.5V	60V	3.0A

‌ 关键参数说明： ‌

• ‌IPP‌：最大反向峰值脉冲电流（8×20μs波形）
• ‌VC‌：钳位电压@IPP，反映器件在浪涌期间的电压限制能力
• ‌VRWM‌：工作峰值反向电压，应等于或大于电路的工作电压
• ‌IR‌：最大反向漏电流@VRWM，范围1nA至5μA
• ‌VBR‌：击穿电压@IT=5mA
• ‌结电容‌：15-109pF，随工作电压升高而降低

‌三、封装与机械特性‌

‌ X2DFNW2封装规格： ‌

• 尺寸：1.00×0.60×0.37mm
• 引脚间距：0.65mm
• 标记信息：XXM格式（XX=特定器件代码，M=日期代码）
• 支持可湿flank工艺，便于AOI检测

‌四、选型与应用建议‌

‌ 1. 选型准则： ‌

• 根据电路的最大工作电压选择VRWM
• 考虑可能的瞬态能量等级选择IPP
• 关注钳位电压VC以确保被保护器件的安全
• 高频应用需考虑结电容对信号完整性的影响

‌ 2. 布局建议： ‌

• 尽量缩短保护二极管与被保护器件之间的走线
• 确保足够的散热面积以发挥最大功耗能力
• 对于汽车应用，优先选择SZ前缀的汽车级型号

‌ 3. 可靠性保障： ‌

• 所有器件均通过AEC-Q101认证
• 提供PPAP文档支持
• 符合汽车行业严格的可靠性要求

‌五、设计注意事项‌

1. ‌热管理‌：实际应用中需考虑功耗降额，避免结温超过150°C
2. ‌ESD防护‌：器件能承受多次ESD冲击而不损坏
3. ‌寿命预估‌：在规定的温度范围内工作可显著延长使用寿命