选型手册：MOT3712G P 沟道功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子（MOT）推出的 MOT3712G 是一款 P 沟道增强型功率 MOSFET，凭借 -30V 耐压、低导通电阻及高电流承载能力，适用于 PWM 应用、负载开关、电源管理等领域。

一、产品基本信息

• 器件类型：P 沟道增强型功率 MOSFET
• 核心参数：
  • 漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：-30V，适配低压负电压供电场景；
  • 导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=-4.5V\) 时典型值 14mΩ，\(V_{GS}=-10V\) 时典型值 9.5mΩ，低压场景下导通损耗极低；
  • 连续漏极电流（\(I_D\)）：-20A（\(T_c=25^\circ\text{C}\)），脉冲漏极电流（\(I_{DM}\)）达 **-80A**，满足负载瞬时大电流需求。

二、核心特性

• 高功率与电流处理能力：-20A 连续电流与 -80A 脉冲电流设计，适配中功率负载的开关与功率管理需求；
• 无铅环保封装：采用无铅引脚镀层，符合 RoHS 标准，适配绿色电子制造需求；
• 表面贴装适配性：PDFN5X6-8L 封装，每卷 5000 片，适配高密度电路板的空间约束。

三、关键电气参数（\(T_c=25^\circ\text{C}\)，除非特殊说明）

• 栅源极电压（\(V_{GS}\)）：最大值 ±20V，栅极驱动需控制在该范围以避免氧化层损坏；
• 功耗（\(P_D\)）：35W，实际应用需结合 PCB 敷铜、散热焊盘等设计保障长期可靠工作；
• 结温范围（\(T_J\)）：-55~+150℃，存储温度范围与结温区间一致。

四、封装与应用场景

• 封装形式：PDFN5X6-8L 表面贴装封装，每卷 5000 片，适配小型化、高功率密度的电路设计；
• 典型应用：
  • PWM 应用：在 PWM 控制的功率回路中作为开关管，低导通电阻特性提升控制精度与效率；
  • 负载开关：用于各类电子设备的负载通断管理，-20A 电流能力支持中功率负载切换；
  • 电源管理：为低压电源系统的电源分配、电压调节环节提供高效开关，保障电源管理稳定性。

五、信息来源

仁懋电子（MOT）官方产品手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际应用需以最新版手册及器件批次测试数据为准。）