选型手册：MOT3136D N 沟道功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子（MOT）推出的 MOT3136D 是一款面向 30V 低压超大电流场景的 N 沟道增强型功率 MOSFET，凭借 2.4mΩ 超低导通电阻、120A 超大连续电流及优异散热封装，适用于功率开关应用、硬开关高频电路、不间断电源等领域。

一、产品基本信息

• 器件类型：N 沟道增强型功率 MOSFET
• 核心参数：
  • 漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：30V，适配低压超大电流供电场景；
  • 导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\) 时典型值 2.4mΩ，\(V_{GS}=4.5V\) 时典型值 3.8mΩ，低压场景下导通损耗极低；
  • 连续漏极电流（\(I_D\)）：\(T_c=25^\circ\text{C}\) 时 120A，\(T_c=100^\circ\text{C}\) 时降额为 84A；脉冲漏极电流（\(I_{DM}\)）达420A，满足负载瞬时超大电流需求。

二、核心特性

• 高密度单元设计：通过优化的单元架构实现超低导通电阻，大幅提升电流密度，适配超大电流功率转换场景；
• 优异散热封装：TO-252 封装具备良好热 dissipation 能力，结 - 壳热阻（\(R_{thJC}\)）仅1.25℃/W，大电流工况下结温控制更稳定；
• 高雪崩可靠性：单脉冲雪崩能量达350mJ，在感性负载开关、异常过压工况下可靠性强。

三、关键电气参数（\(T_c=25^\circ\text{C}\)，除非特殊说明）

• 栅源极电压（\(V_{GS}\)）：最大值 ±20V，栅极驱动需控制在该范围以避免氧化层损坏；
• 功耗（\(P_D\)）：120W，实际应用需结合散热设计（如散热垫、金属基板）保障长期可靠工作；
• 结温范围（\(T_J\)）：-55~+175℃，存储温度范围与结温区间一致。

四、封装与应用场景

• 封装形式：TO-252 表面贴装封装，每卷 2500 片，适配高密度电路板的空间约束；
• 典型应用：
  • 功率开关应用：在各类功率开关回路中作为核心开关，2.4mΩ 低导通电阻大幅降低传导损耗；
  • 硬开关与高频电路：适配高频硬开关拓扑（如电源模块、负载切换），高电流与低损耗特性保障开关稳定性；
  • 不间断电源（UPS）：在 UPS 系统的功率回路中，兼顾 30V 耐压与 120A 大电流，保障供电稳定性与效率。

五、信息来源

仁懋电子（MOT）官方产品手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际应用需以最新版手册及器件批次测试数据为准。）