‌NTK3134N MOSFET：专为紧凑型便携设备设计的高效功率开关解决方案

安森美 (onsemi) NTK3134N单N沟道功率MOSFET具有ESD保护功能，是优化用于高效开关应用优化的强大MOSFET。安森美 (onsemi) NTK3134N组件采用紧凑的3引脚SOT-723封装，在4.5V电压下实现0.20Ω的低R ~DS(on) ~ ，可最大限度地减少传导损耗并提升热性能。NTK3134N MOSFET的漏源电压额定值为20V，稳态漏极连续电流能力为890mA（最大值），非常适合用于便携式电子设备、DC-DC转换器和负载开关电路。开关速度快和栅极电荷低，有助于降低功耗并提高整体系统效率，使这些MOSFET成为空间受限、功耗敏感设计的可靠选择。

数据手册；*附件：onsemi NTK3134N单N沟道功率MOSFET数据手册.pdf

特性

• N沟道开关，具有低RDS(on)
• 比SC89占位面积小44%，厚度薄38%
• 低阈值水平，允许1.5V RDS(on) 额定值
• 可在低逻辑电平栅极驱动下运行
• 3引脚SOT-723，631AA外壳，样式5封装
• 无铅、无卤/无BFR，符合RoHS标准

原理图

‌NTK3134N MOSFET：专为紧凑型便携设备设计的高效功率开关解决方案‌

在现代便携式电子设备设计中，功率管理和开关效率是关键考量因素。安森美（onsemi）推出的NTK3134N单N沟道功率MOSFET，以其小巧的封装、优异的电气性能和广泛的适用性，为工程师提供了理想的功率开关解决方案。本文将从器件特性、技术参数和应用优势三个方面展开分析。

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‌一、核心产品特性‌

NTK3134N是一款集成了ESD保护的N沟道功率MOSFET，具有以下突出特点：

1. ‌封装革新‌
   • 采用SOT-723封装，相比传统SC89封装面积减小44%，厚度降低38%
   • 三引脚设计：1-栅极、2-源极、3-漏极（顶视图）
   • 适用于高密度PCB布局
2. ‌电气性能优势‌
   • 低导通电阻：典型值0.20Ω@4.5V，0.26Ω@2.5V
   • 低阈值电压：支持1.5V逻辑电平驱动
   • 最大漏极电流：890mA（连续）
3. ‌环保合规‌
   • 无铅、无卤素/BFR、符合RoHS标准

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‌二、关键技术参数详解‌

‌ 最大额定值（TJ=25°C） ‌

• 漏源电压（VDSS）：20V
• 栅源电压（VGS）：±8V
• 连续漏极电流（ID）：890mA（稳态）
• 功率耗散（PD）：550mW（TA=25°C，t≤5s）

‌ 电气特性（TJ=25°C） ‌

• 栅极阈值电压（VGS(TH)）：0.45-2.4V（典型1.2V）
• 导通电阻变化：
  • 4.5V栅压：0.20-0.35Ω
  • 1.5V栅压：0.56Ω（200mA条件下）

‌开关特性‌

• 开启延迟时间（td(ON)）：6.7ns（VGS=4.5V）
• 上升时间（tr）：4.8ns
• 关断延迟时间（td(OFF)）：17.3ns
• 下降时间（tf）：7.4ns

‌热性能‌

• 结到环境热阻（RθJA）：
  • 稳态：280°C/W（标准焊盘）
  • 5秒脉冲：228°C/W

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‌三、典型应用场景‌

基于其优异的性能指标，NTK3134N特别适用于以下应用领域：

1. ‌负载/功率开关‌
   • 便携设备中的电源路径管理
   • 子系统功率分配控制
2. ‌接口切换‌
   • 数据端口保护开关
   • 信号路由选择
3. ‌逻辑电平转换‌
   • 1.8V/3.3V系统间接口
   • 低电压处理器与外围设备连接
4. ‌超小型便携设备电池管理‌
   • 充电控制电路
   • 电池保护系统
   • 电源多路复用切换

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‌四、设计考量与建议‌

‌布局优化‌

• 建议使用1平方英寸焊盘面积（铜面积1.127平方英寸，含走线）
• 最小推荐焊盘尺寸下热阻升至400°C/W，需谨慎评估散热

‌驱动要求‌

• 1.5V栅极电压即可获得满意的导通性能
• 适合电池供电系统的低电压操作

‌温度管理‌

• 导通电阻随温度上升而增加（见图5特性曲线）
• 高温环境下需适当降额使用

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‌五、产品选型指南‌

安森美提供多种包装选项：

• NTK3134NT1G：4000只/卷带
• NTK3134NT1H：4000只/卷带
• NTK3134NT5G：8000只/卷带
• NTK3134NT3G：40000只/卷带