MC74VHCT374A Octal D型触发器技术解析与应用指南

描述

安森美MC74VHCT374A D触发器是一款具有3态输出的高速CMOS八通道触发器,采用硅栅极CMOS技术制成。这些器件是8位D型触发器,由时钟输入和输出使能输入控制。MC74VHCT374A 输入与TTL电平兼容。这些触发器可用作电平转换器,联接3.3V到5V电平,因为它具有全5V CMOS电平输出摆幅。MC74VHCT374A输出结构可在VCC = 0V时提供保护。这些输出结构有助于防止由电源电压输入/输出电压失配、电池备份、热插入等引起的器件损坏。这些器件均为无铅、无卤素,符合RoHS标准。

数据手册:*附件:onsemi MC74VHCT374A D触发器数据手册.pdf

特性

  • 高速:
    • fmax = 185MHz(典型值,VCC = 5V时)
    • fmax = 140MHz(典型值,VCC = 5V时)
  • 低功耗:ICC = 4A(最大值,TA = 25°C时)
  • 高抗噪:VNIH = VNIL = 28%
  • 提供关机保护功能
  • 平衡传播延迟
  • 设计目的:
    • 2V至5.5V(VHC)
    • 4.5 V至5.5 V (甚高频电流)
  • -65°C至150°C存储器工作温度范围
  • 工作温度范围:-40 °C至85 °C
  • 低噪声:
    • VOLP = 0.9V(最大值,VHC)
    • VOLP = 1.1V(最大值,VHCT)
  • 引脚和功能与其他标准逻辑系列兼容
  • 4.5V至5.5V DC电源电压范围
  • 锁存性能超过100mA
  • 人体模型的ESD性能 > 2000V
  • 276个FET或69个等效栅极芯片复杂性
  • 无铅、无卤素,符合RoHS标准

MC74VHCT374A Octal D型触发器技术解析与应用指南


一、产品概述

MC74VHCT374A是安森美半导体推出的一款‌高速CMOS八路D型触发器‌,具有三态输出功能。该器件采用硅栅CMOS技术制造,在保持CMOS低功耗特性的同时,实现了与等效双极性肖特基TTL相当的高速性能。其主要特性包括:

  1. 电平兼容性
    • 输入兼容‌TTL电平‌,输出提供完整的‌5V CMOS电平摆幅
    • 支持‌3.3V至5.0V系统接口转换
    • 内部电路采用三级结构,包含缓冲输出级,提供高噪声免疫力和稳定输出
  2. 保护机制
    • 输入结构耐受电压最高达5.5V,允许5V系统与3V系统直接对接
    • 当VCC=0V时,输出结构仍能提供保护,防止因电源电压与输入/输出电压不匹配、电池备份、热插拔等场景导致的器件损坏

二、核心电气特性

1. 速度与功耗平衡

参数条件典型值单位
最高时钟频率VCC=5.0V, CL=15pF140MHz-
静态电流TA=25°C4.0mA(最大)-

2. 噪声性能

  • 高噪声免疫力‌:VNIH = VNIL = 28% VCC
  • 低噪声输出‌:VOLP = 1.1V(最大)

3. 工作电压范围

  • VHCT版本‌:4.5V至5.5V
  • 全系列支持2.0V至5.5V(VHC版本)

三、功能详解

1. 引脚控制逻辑

  • 时钟输入(CP) ‌:上升沿触发数据锁存
  • 输出使能(OE) ‌:
    • 高电平‌:所有输出呈高阻抗状态
    • 低电平‌:正常输出数据

2. 真值表解析

OECPD输出Q
LHH
LLL
LL/H/XX保持前状态
HXX高阻态(Z)

3. 保护特性

  • 闩锁性能‌:超过100mA
  • ESD耐受‌:
    • 人体模型(HBM) > 2000V
    • 符合RoHS标准,无铅无卤素

四、关键时序参数

传播延迟‌(VCC=5.0V±0.5V, TA=25°C)

  • CP到Q延迟‌:
    • CL=15pF:4.1ns(最小)- 9.4ns(最大)
  • 输出使能时间‌:
    • tPZL(低电平使能):6.5ns(典型)
  • 输出禁用时间‌:
    • tPLZ:7.0ns(典型)

建立与保持时间

  • 最小建立时间(tsu) ‌:D到CP,2.5ns
  • 最小保持时间(th) ‌:D到CP,2.5ns

五、典型应用场景

1. 电平转换接口

利用其TTL输入兼容性和5V CMOS输出特性,可完美实现3.3V与5V系统间的双向电平转换。

2. 总线驱动应用

三态输出特性使其适合用于‌共享总线系统‌,多个器件可连接至同一总线,通过OE控制实现分时数据传输。

3. 数据流水线

8位并行设计支持高速数据流水线处理,适用于需要连续数据采集与处理的工业控制系统。


六、设计注意事项

  1. 未使用输入处理
    必须连接到适当的逻辑电平(GND或VCC),避免浮空导致功耗增加和逻辑错误。
  2. 电源去耦
    在VCC和GND引脚附近布置100nF陶瓷电容,确保高频工作稳定性。
  3. 布局建议
    • 时钟信号走线尽量短直,减少串扰
    • 输出负载电容不超过50pF,避免时序违规

七、选型指导

器件型号封装温度范围特点
MC74VHCT374ADWR2GSOIC-20W-40℃至+85℃工业级应用
MC74VHCT374ADTR2GTSSOP-20-40℃至+85℃高密度板卡设计
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