安森美 (onsemi) MC74VHCT573A CMOS闩锁 是高速CMOS八路闩锁，带有三态输出，采用硅栅极CMOS技术制造。这些闩锁的高速操作与等效双极型SCHOTTKY TTL类似，同时可保持CMOS低功率耗散。MC74VHCT573A器件可用作3.3V至5V的电平变换器，因为它具有完整的5V CMOS电平输出摆幅。这些MC74VHCT541A八路缓冲器的工作温度范围为-55°C至85°C，电源电压范围为4.5V至5.5V DC。MC74VHCT573A闩锁具有平衡的传播延迟，并提供断电保护。这些器件均为无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准

数据手册：*附件：onsemi MC74VHCT573A CMOS闩锁数据手册.pdf

特性

• 高速
  • tPD = 4.5ns（典型值，VCC = 5V（VHC）时）
  • tPD = 7.7ns（典型值，VCC = 5V（VHCT）时）
• 低功耗：ICC = 4µA（最大值，TA = 25°C时）
• 高抗噪：VNIH = VNIL = 28%
• 提供关机保护功能
• 平衡传播延迟
• 设计目的：
  • 2V至5.5V（VHC）
  • 4.5 V至5.5 V (甚高频电流)
• 工作温度范围：-55 °C至85 °C
• 低噪声：
  • VOLP = 1.2V（最大值，VHC）
  • VOLP = 1.6V（最大值，VHCT）
• 引脚和功能与其他标准逻辑系列兼容
• 锁存性能超过100mA
• ESD性能人体模型 > 2000V
• 234个FET或58.5个等效栅极芯片复杂性
• 这些器件均为无铅、无卤素/无BFR，符合RoHS标准

MC74VHCT573A高速CMOS八路D型锁存器技术解析与应用指南

1. 产品概述

‌MC74VHCT573A‌是安森美半导体推出的一款先进高速CMOS八路D型锁存器，具有三态输出功能。该器件采用硅栅CMOS技术制造，在保持CMOS低功耗特性的同时，实现了与等效双极肖特基TTL相当的高速运行性能。

1.1 主要特性

• ‌高速操作‌：传播延迟时间典型值7.7 ns（VHCT系列，VCC=5.0V）
• ‌低功耗‌：最大静态电流4.0 mA（25°C）
• ‌电平转换功能‌：可实现3.3V至5.0V系统接口
• ‌电源关断保护‌：VCC=0V时输出结构提供保护

2. 电气特性与技术参数

2.1 工作电压范围

• ‌VHC系列‌：2.0V至5.5V
• ‌VHCT系列‌：4.5V至5.5V

2.2 输入输出特性

输入兼容性：

• MC74VHC573：兼容标准CMOS电平
• MC74VHCT573A：兼容TTL电平

输出特性：

• 完全5.0V CMOS电平输出摆幅
• 三态输出控制
• 输出电压范围：0V至VCC

2.3 关键性能参数

参数	符号	条件	典型值	单位
传播延迟	tPD	VCC=5.0V	7.7	ns
静态电流	ICC	TA=25°C	4.0	mA
高电平噪声容限	VNIH	-	28%	-
低电平噪声容限	VNIL	-	28%	-

3. 功能架构与工作原理

3.1 内部结构

器件内部电路由三级构成，包括提供高噪声 immunity 和稳定输出的缓冲输出级。电路复杂度相当于234个FET或58.5个等效门。

3.2 控制逻辑

根据功能表定义：

输入	输出
OE	LE
L	H
L	H
L	L
H	X

3.3 工作模式

1. ‌数据传输模式‌（LE=H，OE=L）：数据从D端传输至Q端
2. ‌数据锁存模式‌（LE=L，OE=L）：保持当前输出状态
3. ‌高阻态模式‌（OE=H）：输出呈现高阻抗状态

4. 应用设计与实践指南

4.1 接口电平转换应用

由于MC74VHCT573A具有完整的5.0V CMOS电平输出摆幅，特别适用于：

• ‌3.3V至5.0V系统互连‌
• ‌混合电压环境下的数据缓冲‌

4.2 PCB设计建议

• ‌电源去耦‌：在VCC和GND引脚间靠近器件处放置100nF电容
• ‌信号完整性‌：保持信号走线长度匹配，减少信号延迟差异
• ‌热管理‌：考虑器件功耗，确保在高温环境下可靠工作

4.3 时序设计要点

关键时序参数：

• ‌建立时间‌（D to LE）：最小3.5 ns（VCC=5.0V）
• ‌保持时间‌（D to LE）：最小1.5 ns（VCC=5.0V）
• ‌最小脉冲宽度‌（LE）：5.0 ns（VCC=5.0V）

5. 可靠性考虑

5.1 环境保护

• ‌ESD耐受‌：人体放电模型>2000V
• ‌闩锁性能‌：超过±100mA
• ‌工作温度范围‌：-55°C至+85°C

5.2 最大额定值保护

• ‌电源电压‌：-0.5V至+6.5V
• ‌输入电压‌：-0.5V至+6.5V
• ‌存储温度‌：-65°C至+150°C

6. 封装与订购信息

6.1 可选封装

• ‌SOIC-20‌（DW后缀）
• ‌TSSOP-20‌（DT后缀）

6.2 环保特性

• ‌无铅设计‌：符合RoHS标准
• ‌无卤素/BFR‌：环境友好型材料