制造/封装
在制程推进到10nm以内后,研发难度也越来越大,这点从Intel的10nm从2016年跳票到2019年就可以看出。此前,得益于三星背后的支持,GlobalFoundries(格罗方德,格芯)的7nm走在前列,而且今年3月还邀请少数资深记者前往旗下最先进的纽约Malta的Fab 8工厂,介绍他们计划向7nm EUV推进。
然而,计划赶不上变化,GF今日宣布,出于经济因素考虑,搁置7nm LP项目,将资源回归到12nm/14nm FinFET以及12FDX/22FDX上。
当前,GF的12nm/14nm多用在AMD的锐龙处理器、Radeon GPU上,12FDX/22FDX则可以提供优质的性价,可用于集成模拟和射频组件的IC,如5G基带。
按照AnandTech的报道,GF的5nm和3nm研发也将终止,今年底前逐步停掉与IBM硅研发中心在这方面的合作。
虽然,关键客户AMD随后宣布,7nm产品将由台积电打造,且合作良好,但其实AMD和GF的确有基于7nm的研发计划,包括五年期的晶圆协议也有7nm的框架。
外媒分析,GF此次宣布后,和IBM以及AMD可能需要重新就晶圆协议进行谈判。
最后要说的是,GF退出后,四家明确使用7nm EUV技术的厂商便只剩下了三星、台积电和Intel。按技术规划,GF的7nm共有三代,第一代DUV,第二代部分引入EUV极紫外光刻,第三代密集使用EUV。
此前,世界第三大代工厂联电(UMC)也在本月宣布放弃对12nm以下制程节点的研发。
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