‌基于ONsemi TF412 N沟道JFET数据手册的技术解析与应用指南

onsemi TF412 N沟道JFET专为低频通用放大器和阻抗变换器应用而设计。Onsemi TF412的最大工作电压为30V，最大工作电流为10mA，输入栅极-源极漏电流（I GSS ）非常小，仅为-1.0nA（VGS = -20V, VDS = 0V），典型输入电容（C iss ）为4pF（VDS = 10V、VGS = 0V、f = 1MHz）。这款onsemi JFET采用超小型SOT-883封装（1.0mm×0.6mm×0.4mm），支持产品小型化，符合无卤素环境标准，是紧凑型环保设计的绝佳选择。

数据手册：*附件：onsemi TF412 N沟道JFET数据手册.pdf

特性

• 小型IGSS：最大 - 1.0nA（V GS = -20V、V DS = 0V）
• 小型Ciss：典型值4pF（V DS = 10V、V GS = 0V，f=1MHz）
• 超小型封装有助于实现终端产品的微型化
• 符合无卤素标准

基于ONsemi TF412 N沟道JFET数据手册的技术解析与应用指南‌

---

‌一、器件概述‌

TF412是ONsemi推出的一款N沟道结型场效应晶体管（JFET），采用超小尺寸SOT-883封装，具备低泄漏电流、高输入阻抗和宽工作电压范围等特性，适用于低频放大和传感器信号处理场景。

---

‌二、关键电气特性分析‌

1. ‌绝对最大额定值‌

• ‌ 漏源电压（VDSX） ‌：30V
• ‌ 栅漏电压（VGDS） ‌：-30V
• ‌ 栅极电流（IG） ‌：10mA
• ‌ 漏极电流（ID） ‌：10mA
• ‌工作温度范围‌：-55℃至+150℃

2. ‌ 静态参数（Ta=25℃） ‌

‌参数‌	‌符号‌	‌最小值‌	‌典型值‌	‌最大值‌	‌单位‌
栅漏击穿电压	V(BR)GDS	-30	-	-	V
栅源泄漏电流	IGSS	-	-1.18	-10	nA
关断电压	VGS(off)	-	-0.60	-1.5	V
零栅压漏极电流	IDSS	1.2	3.0	3.0	mA
正向跨导		yfs		-	5.0
输入电容	Ciss	-	4	-	pF
反向传输电容	Crss	-	1.1	-	pF

‌技术亮点‌：

• ‌超低泄漏电流‌（IGSS≤1nA），适合高阻抗信号采集。
• ‌小输入电容‌（Ciss≈4pF），减少高频信号衰减。

---

‌三、特性曲线解读‌

1. ‌ 输出特性（ID-VDS） ‌
   • 在VGS=0V时，漏极电流随VDS升高快速饱和，典型饱和电流3.0mA（VDS=10V）。
   • 负栅压（VGS=-0.1V至-0.4V）可线性调节工作点，适用于可调增益放大器。
2. ‌ 转移特性（ID-VGS） ‌
   • 关断电压VGS(off)典型值-0.6V，最大-1.5V（ID=1μA条件）。
   • 跨导|yfs|与IDSS正相关，在IDSS=3mA时达5.0mS。
3. ‌温度特性‌
   • IDSS随温度升高略有增加，在75℃时较25℃提升约15%，设计时需留余量。

---

‌四、封装与焊接设计‌

• ‌封装型号‌：SOT-883（XDFN3），尺寸仅1.0×0.6×0.34mm。
• ‌引脚定义‌：
  • 1: Source（源极）
  • 2: Drain（漏极）
  • 3: Gate（栅极）
• ‌焊接建议‌：
  • 推荐焊盘尺寸：长1.10mm，宽0.43mm（引脚1/3）、0.55mm（引脚2）。

---

‌五、典型应用场景‌

1. ‌低频通用放大器‌
   • 利用高输入阻抗（>1GΩ）直接耦合高输出阻抗传感器（如压电陶瓷）。
   • 推荐偏置点：VDS=10V, ID=1.5mA（VGS≈-0.3V）。
2. ‌红外传感器信号调理‌
   • 低Ciss（4pF）减少对高阻红外探测器的负载效应。
   • 泄漏电流IGSS＜1nA，避免微小电流信号被淹没。
3. ‌阻抗转换缓冲器‌
   • 输入电容Crss=1.1pF，适合高频弱信号隔离。

---

‌六、设计注意事项‌

1. ‌ESD防护‌：器件抗ESD能力≤200V（机器模型），操作需采取防静电措施。
2. ‌功耗控制‌：最大功耗未明确，建议通过外部电阻限制ID＜10mA。
3. ‌散热设计‌：超小封装热阻高，持续工作时需监测结温。