安森美 NST817通用NPN晶体管设计用于各种电子应用，通常是低压开关、放大和信号处理。这些器件采用DFN1010-3封装 ，具有出色的散热性能。安森美NST817具有中等电流处理能力，能够出色地执行驱动继电器、开关逻辑信号等任务，并在音频和小信号电路中用作信号放大器。可靠的性能还使NST817适用于振荡器电路、电流调节和偏置网络。NST817具有各种功能，适用于从消费电子产品到工业控制系统的各种电子设备，为需要高效高效运行晶体管的电路设计提供可靠的解决方案。

数据手册：*附件：onsemi NST817通用NPN晶体管数据手册.pdf

特性

• XDFNW3可湿性侧翼封装，实现最佳自动光学检测(AOI)
• NSV前缀，适用于需要独特现场和控制变更要求的汽车和其他应用，符合AEC-Q101标准，具有PPAP功能
• 湿度灵敏性等级 (MSL) 1级
• 无铅、无卤/无溴化阻燃剂（BFR），符合RoHS指令

原理图

onsemi NST817通用NPN晶体管技术解析与应用指南

概述

‌NST817CMTW‌是安森美半导体推出的一款通用NPN双极结型晶体管，采用先进的DFN1010-3封装。该器件专为通用放大器应用而设计，在45V工作电压和500mA集电极电流条件下提供卓越的电气性能。其‌可润湿侧翼封装‌设计优化了自动光学检测(AOI)流程，特别适合对板卡空间和可靠性要求极高的表面贴装应用。

主要特性

封装优势

• ‌超小型DFN1010-3封装‌：显著节省PCB布局空间
• ‌增强散热性能‌：结至环境热阻145°C/W
• ‌汽车级认证‌：NSV前缀版本通过AEC-Q101认证，支持PPAP文件
• ‌环保合规‌：无铅、无卤素/BFR，符合RoHS标准

极限参数

• ‌ 集电极-发射极电压(VCEO) ‌：45V DC
• ‌ 集电极-基极电压(VCBO) ‌：50V DC
• ‌ 发射极-基极电压(VEBO) ‌：5.0V DC
• ‌ 连续集电极电流(IC) ‌：500mA
• ‌ 峰值集电极电流(ICM) ‌：1.0A

电气特性深度分析

直流特性表现

1. ‌电流增益‌：
   • 在IC=100mA、VCE=1.0V条件下，hFE范围为250-600
   • 典型值提供优异的放大性能
2. ‌饱和电压特性‌：
   • ‌ VCE(sat) ‌：最大0.70V (IC=500mA，IB=50mA)
   • ‌ VBE(sat) ‌：最大2.0V (同等条件)
   • 确保在开关应用中具有较低的能量损耗

交流性能指标

• ‌ 过渡频率(fT) ‌：典型值180MHz (IC=10mA，VCE=5.0V)
• ‌输入/输出电容‌：
  • Cibo=52pF (典型值)
  • Cobo=4.2pF (典型值)
• ‌ 噪声系数(NF) ‌：仅0.75dB，适合小信号放大

热管理考量

功率耗散能力

• ‌最大总功耗‌：350mW (TA=25°C)
• ‌温度降额系数‌：2.8mW/°C
• ‌工作温度范围‌：-65°C至+150°C

开关特性优化

动态响应参数

• ‌ 延迟时间(td) ‌：9.8ns
• ‌ 上升时间(tr) ‌：13ns
• ‌ 存储时间(ts) ‌：483ns
• ‌ 下降时间(tf) ‌：48ns

*测试条件：VCC=30Vdc，IC=150mA，IB1=IB2=15mA*

典型应用场景

1. 通用放大器设计

凭借‌宽电流增益范围‌和‌优异的频率响应‌，NST817非常适合：

• 音频前置放大器
• 传感器信号调理电路
• 低噪声射频放大级

2. 开关应用优势

• 快速开关特性适用于电机驱动控制
• 低饱和电压确保高效功率转换
• 在电源管理电路中作为开关元件

3. 汽车电子应用

NSVT817CMTWFTBG版本满足：

• 发动机控制单元(ECU)
• 车身电子模块
• 信息娱乐系统

设计实践建议

布局优化策略

1. ‌散热设计‌：充分利用DFN封装的优越散热性能
2. ‌去耦电容布置‌：在VCC引脚附近布置适当容值电容
3. ‌信号完整性‌：高频应用时注意阻抗匹配和走线长度

安全工作区(SOA)考量

• 参考图11的安全工作区曲线
• 在高压大电流条件下严格遵循SOA限制
• 考虑温度对SOA边界的影响

器件选择指导

订购信息

• ‌标准版本‌：NST817CMTWFTBG
• ‌汽车版本‌：NSVT817CMTWFTBG
• ‌包装规格‌：3000颗/卷带