选型手册：MOT1165G N 沟道功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子（MOT）推出的 MOT1165G 是一款面向 100V 中压大电流场景的 N 沟道增强型功率 MOSFET，凭借低导通电阻、高频开关特性及高可靠性，适用于高频开关、同步整流等领域。

一、产品基本信息

• 器件类型：N 沟道增强型功率 MOSFET
• 核心参数：
  • 漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：100V，适配中压功率转换场景；
  • 导通电阻（\(R_{DS(on)}\)，\(V_{GS}=10V\)）：典型值 5.6mΩ，中压场景下导通损耗控制优异；
  • 连续漏极电流（\(I_D\)）：\(T_c=25^\circ\text{C}\) 时 80A，\(T_c=100^\circ\text{C}\) 时降额为 50A；脉冲漏极电流（\(I_{DM}\)）达320A，满足负载瞬时大电流需求。

二、核心特性

• 低导通电阻与开关损耗：5.6mΩ 导通电阻设计，大幅降低中压大电流场景下的传导损耗；同时优化开关特性，降低开关损耗，适配高频开关应用；
• 高稳定性与可靠性：具备优异的参数均匀性，且通过100% UIS（单向雪崩耐量）测试和100% dv/dt 测试，在感性负载开关、异常过压工况下可靠性强；
• 环保合规：RoHS 及无卤合规，适配绿色电子制造需求。

三、关键电气参数（\(T_c=25^\circ\text{C}\)，除非特殊说明）

• 栅源极电压（\(V_{GS}\)）：最大值 ±20V，栅极驱动需控制在该范围以避免氧化层损坏；
• 功耗（\(P_D\)）：\(T_c=25^\circ\text{C}\) 时 76W，实际应用需结合散热设计（如 PCB 敷铜、散热焊盘）保障长期可靠工作；
• 雪崩特性：单脉冲雪崩能量（\(E_{AS}\)）达218mJ，感性负载开关场景下抗冲击能力优异；
• 热特性：结 - 环境热阻（\(R_{thJA}\)）108℃/W，结 - 壳热阻（\(R_{thJC}\)）1.66℃/W；
• 结温范围（\(T_J\)）：-55~+150℃，存储温度范围与结温区间一致。

四、封装与应用场景

• 封装形式：PDFN5X6-8L 表面贴装封装，包装规格为 5000 片 / 卷，适配高密度电路板的空间约束；
• 典型应用：
  • 高频开关应用：在中压高频开关拓扑（如电源模块、逆变器）中作为功率开关，低损耗特性提升能量转换效率；
  • 同步整流：适配各类中压电源的同步整流回路，通过低导通电阻降低整流损耗，提升电源效率。

五、信息来源

仁懋电子（MOT）官方产品手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际应用需以最新版手册及器件批次测试数据为准。）