onsemi BAV99W双串列开关二极管技术解析与应用指南

onsemi BAV99W小信号开关二极管是双二极管，包含两个串联封装在SC-70/SOT-323表面贴装封装中的二极管。这些开关二极管专为高速开关应用而设计。BAV99W开关二极管采用小型封装，符合AEC-Q101和PPAP要求。这些开关二极管是100V开关二极管，在215mADC 正向电流下工作。BAV99W二极管是ESD保护、极性反转保护、数据线保护、电感负载保护和转向逻辑的理想选择。

数据手册；*附件：onsemi BAV99W小信号开关二极管数据手册.pdf

特性

• S和NSV前缀用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用领域
• 符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能
• 100VDC (V R ) 反向电压
• 215mADC (I F ) 正向电流
• -65°C至150°C结点和存储温度范围
• 500mADC I FM（浪涌） 峰值正向浪涌电流
• 450mA (I FRM ) 重复峰值正向电流
• 封装在SC-70/SOT-323表面贴装封装中
• 器件无铅、无卤素/溴化阻燃剂，并符合RoHS规范

机械制图

‌onsemi BAV99W双串列开关二极管技术解析与应用指南‌

一、产品概述与核心特性

BAV99W是安森美半导体推出的双串列开关二极管，采用紧凑型SC-70封装。其特殊型号BAV99WT1G在保持相同性能的前提下，实现了更小的封装尺寸。

‌ 关键特性亮点： ‌

• ‌汽车级认证‌：S和NSV前缀版本满足AEC-Q101标准并支持PPAP
• ‌环保合规‌：无铅、无卤素/BFR且符合RoHS标准
• ‌高温稳定性‌：工作结温范围达-65℃至+150℃
• ‌快速响应‌：反向恢复时间仅6.0 ns（典型值）

‌ 目标应用领域： ‌

• ESD静电放电保护
• 电源极性反转保护
• 数据线路保护
• 感性负载保护
• 逻辑控制导向

二、极限参数与安全工作区

‌ 绝对最大额定值（每只二极管）： ‌

参数	符号	数值	单位	备注
反向电压	VR	100	Vdc
正向电流	IF	215	mAdc
峰值正向浪涌电流	IFM(surge)	500	mAdc
重复峰值反向电压	VRRM	100	V
平均整流正向电流	IF(AV)	715	mA	任意20ms周期平均值
重复峰值正向电流	IFRM	450	mA
非重复峰值正向电流	IFSM	2.0/1.0/0.5	A	对应1ms/1ms/1s脉宽

‌ 重要提示： ‌ 超出极限参数可能导致器件永久损坏，此时不应假定器件功能正常，可靠性将受到影响。

三、热管理与可靠性设计

‌ 热特性参数： ‌

条件	最大功耗	降额系数	热阻	温度范围
FR-5基板	200 mW	1.6 mW/℃	625 ℃/W	TA = 25℃
氧化铝基板	300 mW	2.4 mW/℃	417 ℃/W	TA = 25℃

‌ 散热设计建议： ‌

• 在FR-5基板上，环境温度每升高1℃，最大允许功耗降低1.6 mW
• 采用高热导率基板（如99.5%氧化铝）可显著提升散热性能
• 结温必须严格控制在150℃以内确保长期可靠性

四、电气性能深度分析

4.1 关断特性

• ‌反向击穿电压‌：V(BR) = 100 Vdc @ I(BR) = 100 mA
• ‌反向漏电流‌：
  • VR = 100 Vdc时：最大1.0 μA
  • VR = 25 Vdc, TJ = 150℃时：最大30 μA
  • VR = 70 Vdc, TJ = 150℃时：最大50 μA

4.2 动态性能指标

• ‌二极管电容‌：CD = 最大1.5 pF @ VR = 0, f = 1.0 MHz
• ‌正向压降‌（随电流变化）：
  • IF = 1.0 mA时：最大715 mV
  • IF = 10 mA时：最大855 mV
  • IF = 50 mA时：最大1000 mV
  • IF = 150 mA时：最大1250 mV

4.3 开关速度关键参数

• ‌反向恢复时间‌：trr = 最大6.0 ns
  • 测试条件：IF = IR = 10 mA, iR(REC) = 1.0 mA, RL = 100 Ω
• ‌正向恢复电压‌：VFR = 最大1.75 V
  • 测试条件：IF = 10 mA, tr = 20 ns

五、封装与引脚配置

‌ SC-70 (SOT-323) 封装选项： ‌

‌ BAV99WT1 (样式9) 引脚定义： ‌

• 引脚1：阳极1
• 引脚2：阴极1
• 引脚3：阴极/阳极（公共端）

‌ BAV99RWT1 (样式10) 引脚定义： ‌

• 引脚1：阴极1
• 引脚2：阳极1
• 引脚3：阳极/阴极（公共端）

‌ 标记识别系统： ‌

• X7 = BAV99W
• F7 = BAV99RW
• M = 日期代码
• G = 无铅封装标识

六、典型应用电路设计

6.1 ESD保护电路

在数据线接口处并联BAV99W，利用其快速响应特性吸收静电脉冲，保护后端敏感器件。

6.2 极性反转保护

在电源输入级串联配置，防止因电源极性接反而损坏系统电路。

6.3 逻辑电平转换

利用正向压降特性实现不同逻辑电平之间的转换接口。

6.4 测试电路配置

‌反向恢复时间测试电路‌（如图1所示）：

• 负载电阻：820 Ω
• 限流电感：100 μH
• 隔直电容：0.1 μF
• 测试要点：确保输入脉冲宽度tp远大于反向恢复时间trr

七、选型与订购指南

‌ 可用型号清单： ‌

器件型号	封装	包装方式	数量
BAV99WT1G	SC-70	卷带	3,000
SBAV99WT1G	SC-70	卷带	3,000
BAV99RWT1G	SC-70	卷带	3,000
SBAV99RWT1G	SC-70	卷带	3,000
BAV99WT3G	SC-70	卷带	10,000
NSVBAV99WT3G	SC-70	卷带	10,000

八、设计注意事项

1. ‌布局优化‌：高频应用时需最小化引线电感，避免影响开关性能
2. ‌热设计验证‌：根据实际应用环境温度重新计算允许功耗
3. ‌参数降额‌：建议工作参数不超过额定值的80%以确保长期可靠性
4. ‌匹配验证‌：替换不同厂商的同类器件时需重新验证驱动电路匹配性