onsemi MM3Z齐纳二极管是一款200mW、47V标称齐纳电压器件，采用SOD-323表面贴装封装。这种齐纳二极管设计用于提供电压调节保护，在空间有限的情况下使用。MM3Z齐纳二极管的工作温度范围为-65°C至150°C结温和存储温度。这种齐纳二极管适用于蜂窝电话、手持便携式设备和高密度PC板等应用。

数据手册：*附件：onsemi MM3Z齐纳二极管数据手册.pdf

特性

• 2.4V至75V标准齐纳击穿电压范围
• 稳态额定功率为200mW
• 0.067"x0.049"（1.7mmx1.25mm）小机身外形尺寸
• 0.035"（0.9mm）低机身高度
• 超小超薄SMD封装
• 4.507mg/unit包装重量
• UL 94V-0易燃性等级
• 符合人体模型规定，ESD等级为3级（>16kV）
• 无铅设备

尺寸图

onsemi MM3Z系列齐纳二极管技术解析与应用指南

一、产品概述与核心特性

‌MM3ZxxxT1G系列‌是安森美半导体推出的500mW SOD-323表面贴装齐纳二极管，专为空间受限场景的电压调节与保护设计。该系列具备以下突出特性：

• ‌宽电压覆盖‌：齐纳击穿电压范围2.4V至75V，满足从低功耗到高压保护的全方位需求
• ‌紧凑封装‌：外形尺寸仅1.7mm×1.25mm×0.9mm，重量4.507mg，适用于移动设备高密度PCB布局
• ‌高性能指标‌：ESD防护等级达Class 3（>16kV），符合AEC-Q101汽车级标准

二、关键电气参数深度解析

2.1 齐纳电压特性

根据电气特性表，不同型号的标称齐纳电压存在明确精度分级：

• ‌低压段‌（2.4V-5.6V）：精度通常为±0.2V，如MM3Z2V4T1G的VZ范围为2.2-2.6V
• ‌中压段‌（6.2V-15V）：精度扩展至±0.4V，如MM3Z10VT1G的VZ范围为9.4-10.6V
• ‌高压段‌（16V-75V）：精度进一步放宽，如MM3Z75VT1G的VZ范围为70-79V

2.2 动态阻抗分析

齐纳阻抗是衡量稳压性能的关键指标：

• ‌测试条件‌：IZT下的阻抗（ZZT）与IZK下的阻抗（ZZK）共同定义工作区特性
• ‌阻抗趋势‌：电压越高，动态阻抗越大。例如3.3V型号ZZT=95Ω，而75V型号ZZT=255Ω
• ‌设计影响‌：高阻抗型号在负载波动时电压稳定性较差，需配套输出电容

2.3 温度特性与稳定性

温度系数（QVZ）直接影响工作温度范围：

• ‌负温度系数‌：2.4V-3.9V型号温度系数为-3.5mV/°C
• ‌正负转换点‌：约在5V附近出现温度系数由负转正的关键转折

三、极限参数与可靠性设计

3.1 功率耗散限制

‌热设计必须严格遵循‌：

• ‌FR-4标准板‌：最大功耗300mW（@25°C），降额系数2.4mW/°C
• ‌增强散热板‌：最大功耗500mW（@25°C），降额系数4.0mW/°C
• ‌热阻参数‌：结到环境热阻分别为416°C/W（标准）和250°C/W（增强）

3.2 工作温度边界

• ‌结温范围‌：-65°C至+150°C
• ‌焊接耐受‌：最大260°C持续10秒，符合回流焊工艺要求

四、选型指南与设计要点

4.1 电压精度选择

• ‌精密参考‌：选择公差较小的低压型号（如±0.2V）
• ‌通用保护‌：中高压型号可用于电源线路的过压保护

4.2 功耗预算管理

‌热计算必须包含‌：

• 稳态功耗：PZ = VZ × IZ
• 瞬态功耗：考虑浪涌电流条件下的短期过载

4.3 布局建议

• ‌散热焊盘‌：充分利用PCB铜箔扩展散热面积
• ‌近距离布置‌：减小引线电感，优化高频响应

五、可靠性测试与质量控制

5.1 关键验证项目

• ‌温度循环测试‌：验证-65°C至+150°C范围内的稳定性
• ‌长期老化测试‌：监测参数漂移，确保使用寿命

六、行业应用场景

6.1 消费电子

• ‌智能手机‌：电源管理电路的局部稳压
• ‌便携设备‌：电池供电系统的电压保护

6.2 汽车电子

• ‌SZ前缀型号‌：满足AEC-Q101认证，适用于发动机控制单元等严苛环境