‌CAT24C64 64Kb I²C CMOS串行EEPROM技术深度解析

描述

安森美 (onsemi) CAT24C64 64Kb I^2^C CMOS串行EEPROM在内部为每个8位安排有8192个字。这些EEPROM具有32字节页面写入缓冲区,并支持标准(100kHz)、快速(400kHz)和快速增强(1MHz)I^2^C协议。外部地址引脚允许同一总线上最多连接八个CAT24C64设备。安森美 (onsemi) CAT24C64提供SOIC、TSSOP、UDFN 8焊盘和超薄WLCSP 4焊球封装。

数据手册:*附件:onsemi CAT24C64 64Kb I2C CMOS串行EEPROM数据手册.pdf

特性

  • 支持标准、快速和快速增强I^2^C协议
  • 1.7V至5.5V的电源电压范围
  • 32字节页面写入缓冲器
  • 硬件对整个存储器进行写保护
  • I^2^C总线输入(SCL和SDA)上的施密特触发器和噪声抑制滤波器
  • 低功耗CMOS技术
  • 1,000,000个编程/擦除周期
  • 100年数据保留期
  • 工业和扩展温度范围
  • SOIC、TSSOP、UDFN 8焊盘和超薄WLCSP 4焊球封装
  • 无铅、无卤/无BFR,符合RoHS标准

引脚配置与功能

串行

CAT24C64 64Kb I²C CMOS串行EEPROM技术深度解析


一、核心架构与特性总览

1. 存储器结构

  • 容量组织‌:64Kbit存储空间,内部划分为8192个字,每个字8位
  • 页写缓冲‌:32字节页写缓冲区,支持高效批量写入
  • 寻址能力‌:通过A0/A1/A2地址引脚可实现最多8个器件并联(除WLCSP封装)

2. 电气特性

  • 宽电压范围‌:1.7V至5.5V工作电压
  • 多速率支持‌:
    • 标准模式:100kHz
    • 快速模式:400kHz
    • 快速增强模式:1MHz(限-40℃至+85℃)
  • 低功耗设计‌:读取电流≤1mA,写入电流≤2mA

3. 可靠性指标

  • 耐久性‌:1,000,000次编程/擦除周期(5V, 25℃)
  • 数据保持‌:100年典型值
  • 工作温度‌:工业级(-40℃至+85℃)/扩展级(-40℃至+125℃)

二、关键硬件设计要点

1. 引脚功能定义

引脚名称功能描述设计注意事项
SCL串行时钟输入需配置上拉电阻,支持三种速度模式
SDA串行数据I/O开漏输出,需要外部上拉
A0/A1/A2器件地址选择未连接时内部下拉至GND
WP写保护控制高电平有效,悬空时内部下拉

2. 极限参数保护

  • 电压容限‌:任意引脚对地电压-0.5V至+6.5V
  • 瞬态保护‌:允许20ns内-1.5V至VCC+1.5V的瞬态过冲
  • 存储温度‌:-65℃至+150℃

3. 电源管理特性

  • 上电复位‌:集成POR电路,防止异常电源状态
  • 待机模式‌:静态电流仅1μA(VCC≤3.3V)

三、通信协议深度解析

1. I²C总线时序规范

  • 起始条件‌:SCL高电平时SDA由高变低
  • 停止条件‌:SCL高电平时SDA由低变高
  • 数据有效性‌:SCL高电平期间SDA必须保持稳定

2. 器件寻址机制

  • 从机地址‌:固定前4位为1010,后3位由硬件地址引脚确定

3. 应答协议

  • ACK响应‌:第9个时钟周期接收方拉低SDA
  • 无应答‌:接收方保持SDA高电平

四、写操作模式详解

1. 字节写入模式

  • 操作流程‌:起始条件→从机地址→高地址字节→低地址字节→数据字节→停止条件
  • 写周期时间‌:tWR = 5ms(最大值)

2. 页写入模式

  • 缓冲优势‌:最大32字节连续写入,单次写周期完成
  • 地址回绕‌:页内地址自动递增,到达页尾时回绕至页首

3. 硬件写保护

  • 保护触发‌:WP引脚拉高
  • 保护时机‌:首个数据字节前的SCL下降沿采样

五、读操作模式分析

1. 立即读取

  • 当前地址访问‌:从上次操作结束地址开始读取
  • 终止条件‌:主机发出无应答后跟停止条件

2. 选择性读取

  • 指定地址访问‌:先执行伪写入设置地址,再发起读取

3. 顺序读取

  • 连续输出‌:内部地址自动递增,支持跨页读取

六、封装选型指南

1. 可选封装类型

  • 传统封装‌:SOIC-8、TSSOP-8
  • 微型封装‌:UDFN-8、WLCSP-4

2. WLCSP特殊限制

  • 无地址引脚‌:仅响应000地址(CAT24C64C4xTR)
  • 无写保护‌:WP功能不可用
  • 防紫外线‌:禁止暴露在紫外线下,会导致数据丢失

七、噪声抑制与可靠性设计

1. 输入滤波

  • 施密特触发器‌:SCL和SDA输入带噪声抑制滤波
  • 瞬态滤波‌:可滤除≤100ns的噪声脉冲

2. 内部下拉特性

  • 地址引脚‌:50μA下拉电流(VCC=5.5V)
  • 功耗优化‌:输入超过阈值电压后转换为弱电流源

八、应用场景建议

1. 高密度存储配置

  • 多器件并联‌:利用地址引脚扩展至512Kbit存储容量

2. 电源敏感系统

  • 低功耗优势‌:适合电池供电设备
  • 宽压适应性‌:兼容1.8V/3.3V/5V系统

3. 工业环境应用

  • 温度适应性‌:支持严苛工业环境
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