‌NL27WZ126 3态高电平使能双路缓冲器技术解析与应用指南‌

安森美 NL27WZ126 3态高电平使能双路缓冲器是MiniGate™ 高性能双路非反相缓冲器，工作采用1.65V至5.5V电源。高电平使能特性让这些缓冲器可以在使能时提供有源输出，使它们适合用于多器件环境中需要受控信号激活的应用。安森美NL27WZ126缓冲器采用 US8、UDFN8和UQFN8封装，工作在-55°C至+125°C的宽温度范围内。

数据手册：*附件：onsemi NL27WZ126 3态高电平使能双路缓冲器数据手册.pdf

特性

• 设计在1.65V至5.5V VCC 电压下运行
• 2.4ns t PD （在VCC = 5V的典型值时）
• 输入/输出耐高达5.5V的过电压
• IOFF 支持局部断电保护
• 24mA拉电流/灌电流（3.0V时）
• ±100mA锁存性能
• 工作温度范围：-55 °C至+125 °C
• 采用US8、UDFN8和UQFN8封装
• 芯片复杂性<100FET
• 几乎为零的静态供电电流大幅降低了系统功率要求
• 潮湿敏感度等级 (MSL) 1级
• UL 94V-0可燃性等级
• 带-Q后缀的用于汽车和其他要进行现场和控制变更的应用，通过了AEC-Q100认证，并支持PPAP
• 无铅、无卤/无溴化阻燃剂（BFR），符合RoHS指令

逻辑符号

开关波形

‌NL27WZ126 3态高电平使能双路缓冲器技术解析与应用指南‌

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‌一、器件概述与核心特性‌

NL27WZ126是onsemi推出的高性能‌双路非反相缓冲器‌，专为‌1.65V至5.5V宽电压供电系统‌设计。其核心特性包括：

1. ‌超高速响应‌
   • 传播延迟（tPD）典型值仅‌2.4 ns @ VCC=5V‌，适用于时序要求严苛的接口电路。
2. ‌过压容忍能力‌
   • 所有输入/输出端口均支持‌最高5.5V过压输入‌，可直接连接高于VCC的逻辑信号。
3. ‌电源灵活性‌
   • 支持‌ 部分断电模式（IOFF） ‌，在VCC=0V时有效阻断漏电流，保障低功耗设备的安全性。
4. ‌驱动能力强‌
   • 在3.0V电压下可实现‌24mA源/漏电流‌，直接驱动LED等负载。
5. ‌环保封装‌
   • 提供US8、UDFN8、UQFN8等多种封装选项，全系符合‌无铅、无卤素、RoHS标准‌。

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‌二、关键电气参数深度分析‌

‌ 1. 绝对最大额定值（安全边界） ‌

参数	极限值	说明
供电电压VCC	-0.5V ~ +6.5V	超出范围可能导致永久损坏
输入电压VIN	-0.5V ~ +6.5V	兼容5V逻辑系统
工作结温TJ	+150°C	依赖封装散热能力

‌设计注意‌：实际使用中需确保VCC不超过5.5V，瞬态电压需通过TVS管抑制。

‌ 2. 直流电气特性（@25°C） ‌

条件	高电平输出电压VOH	低电平输出电压VOL
VCC=3.0V, IOH=-24mA	≥2.3V（典型2.5V）	-
VCC=3.0V, IOL=24mA	-	≤0.55V（典型0.38V）
VCC=5.0V, IOH=-32mA	≥3.8V（典型4.0V）	-

‌关键优势‌：在全温度范围（-55°C~125°C）内仍能保持稳定的电平输出。

‌3. 动态性能指标‌

• ‌传输延迟‌：5V供电时仅‌ 2.0ns（典型值） ‌
• ‌输出使能时间‌：3.3V系统下最快‌2.6ns‌
• ‌输出禁用时间‌：同等条件下可达‌2.6ns‌

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‌三、功能逻辑与引脚配置‌

‌真值表逻辑‌

使能OEn	输入An	输出Yn	状态
H	H	H	有效传输
H	L	L	有效传输
L	X	Z	高阻态

‌应用提示‌：当OEn=L时，输出呈现高阻态，支持总线共享应用。

‌多封装引脚对应‌

• ‌US8封装‌：OE1(1), A1(2), Y2(3), GND(4), A2(5), Y1(6), OE2(7), VCC(8)
• ‌UQFN8封装‌：OE2(1), Y1(2), A2(3), GND(4), Y2(5), A1(6), OE1(7), VCC(8)

‌布局建议‌：不同封装的引脚排列差异显著，PCB设计时需核对具体型号。

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‌四、典型应用场景与设计要点‌

‌1. 电平转换接口‌

• ‌优势‌：1.8V/3.3V/5V系统间信号互通
• ‌保护机制‌：集成输入钳位二极管，防止静电损伤

‌2. 总线驱动与隔离‌

• ‌高阻态控制‌：通过OE引脚实现多设备总线共享
• ‌驱动能力‌：24mA直接驱动能力减少外围器件需求

‌3. 低功耗系统设计‌

• ‌IOFF特性‌：在休眠模式下有效隔离电源域
• ‌静态电流‌：典型值仅1μA，适合电池供电设备

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‌五、可靠性设计与故障预防‌

‌热管理策略‌

封装类型	热阻θJA	最大功耗@25°C
US8	250°C/W	500mW
UQFN8	210°C/W	595mW

‌计算示例‌：US8封装在125mA负载下功耗约300mW，温升=300mW×250°C/W=75°C，需确保环境温度≤50°C。

‌ESD防护能力‌

• ‌人体模型‌：2000V
• ‌充电设备模型‌：1000V
• ‌闩锁性能‌：±100mA

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‌六、选型与供应链信息‌

‌型号区分要点‌

• ‌NL27WZ126USG‌：标准工业级，US8封装
• ‌NL27WZ126USG-Q‌：汽车级认证，AEC-Q100标准
• ‌UQFN/UDFN型号‌：针对空间受限应用

‌采购提示‌：汽车级器件需联系厂商获取特殊控制要求文档。