选型手册：VSP003N10HS-G N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的 VSP003N10HS-G 是一款面向 100V 中压场景的 N 沟道增强型功率 MOSFET，支持 10V 逻辑电平控制，基于 FastMOS II 技术实现快速开关与高效能，适用于 DC/DC 转换器、同步整流、电源管理等领域。

一、产品基本信息

• 器件类型：N 沟道增强型功率 MOSFET
• 核心参数：
  • 漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：100V，适配中压供电场景；
  • 导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\) 时典型值 100mΩ；
  • 连续漏极电流（\(I_D\)，\(V_{GS}=10V\)）：\(T=25^\circ\text{C}\) 时 32A，\(T=100^\circ\text{C}\) 时降额为 20A；
  • 脉冲漏极电流（\(I_{pul}\)）：\(T=25^\circ\text{C}\) 时 240A，满足负载瞬时大电流需求。

二、核心特性

• 10V 逻辑电平控制：适配 10V 逻辑驱动电路，简化系统控制设计；
• FastMOS II 技术：实现快速开关特性与高能量转换效率，适配高频应用场景；
• 高可靠性：通过 100% 雪崩测试，单脉冲雪崩能量达 144mJ，感性负载开关场景下稳定性强；
• 环保合规：采用无铅引脚镀层，符合 RoHS 标准，同时满足无卤要求，适配绿色电子制造需求。

三、关键电气参数（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊说明）

参数	符号	数值（Rating）	单位
漏源极击穿电压	\(V_{DSS}\)	100	V
栅源极电压	\(V_{GS(MAX)}\)	±20	V
二极管连续正向电流	\(I_D\)	\(T=25^\circ\text{C}\): 125；\(T=100^\circ\text{C}\): 79	A
连续漏极电流（\(V_{GS}=10V\)）	\(I_D\)	\(T=25^\circ\text{C}\): 32；\(T=100^\circ\text{C}\): 20	A
脉冲漏极电流	\(I_{pul}\)	\(T=25^\circ\text{C}\): 240；\(T=100^\circ\text{C}\): 19	A
单脉冲雪崩能量	\(E_{AS}\)	144	mJ
最大功耗	\(P_D\)	\(T=25^\circ\text{C}\): 114；\(T=100^\circ\text{C}\): 45.2	W
结 - 壳热阻（Typ/Max）	\(R_{thJC}\)	1.1 / 1.3	℃/W
结 - 环境热阻（Typ/Max）	\(R_{thJA}\)	30 / 38	℃/W
工作 / 存储温度范围	\(T_J、T_{STG}\)	-55~+150	℃

四、封装与应用场景

• 封装形式：PDFN5x6 表面贴装封装，包装规格为 3000pcs / 卷，适配高密度电路板的空间约束；
• 典型应用：
  • DC/DC 转换器：在中压电源转换拓扑中作为开关管，平衡耐压与效率需求；
  • 同步整流：适配中压电源的同步整流回路，降低整流损耗；
  • 电源管理系统：为中压电源分配、电压调节环节提供高效开关控制。

五、信息来源

威兆半导体官方产品手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际应用需以最新版手册及器件批次测试数据为准。）