选型手册：VS3618AE N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的 VS3618AE 是一款面向 30V 低压场景的 N 沟道增强型功率 MOSFET，具备快速开关特性与高能量转换效率，凭借低导通电阻与高可靠性，适用于 DC/DC 转换器、同步整流、负载开关等低压大电流领域。

一、产品基本信息

• 器件类型：N 沟道增强型功率 MOSFET
• 核心参数：
  • 漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：30V，适配低压供电场景；
  • 导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\) 时典型值 6.8mΩ，\(V_{GS}=4.5V\) 时典型值 8.4mΩ，低压场景下传导损耗较低；
  • 连续漏极电流（\(I_D\)）：
    • \(V_{GS}=10V\) 时：\(T=25^\circ\text{C}\) 为 50A，\(T=100^\circ\text{C}\) 降额为 32A；
    • \(V_{GS}=4.5V\) 时：\(T=25^\circ\text{C}\) 为 36A，\(T=100^\circ\text{C}\) 降额为 23A；
  • 脉冲漏极电流（\(I_{DM}\)）：160A，满足负载瞬时大电流需求。

二、核心特性

• 增强型模式：适配常规功率转换拓扑的开关控制需求；
• 快速开关 + 高能量效率：开关速度优异，提升系统能量转换效率；
• 高可靠性：通过 100% 雪崩测试，单脉冲雪崩能量达 36mJ，感性负载开关场景下稳定性强；
• 环保合规：采用无铅引脚镀层，符合 RoHS 标准，同时满足无卤要求，适配绿色电子制造需求。

三、关键电气参数（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊说明）

参数	符号	数值（Rating）	单位
漏源极击穿电压	\(V_{DSS}\)	30	V
栅源极电压	\(V_{GS(MAX)}\)	±20	V
连续漏极电流（\(V_{GS}=10V\)）	\(I_D\)	\(T=25^\circ\text{C}\): 50；\(T=100^\circ\text{C}\): 32	A
连续漏极电流（\(V_{GS}=4.5V\)）	\(I_D\)	\(T=25^\circ\text{C}\): 36；\(T=100^\circ\text{C}\): 23	A
脉冲漏极电流	\(I_{DM}\)	160	A
单脉冲雪崩能量	\(E_{AS}\)	36	mJ
最大功耗	\(P_D\)	\(T=25^\circ\text{C}\): 33；\(T=100^\circ\text{C}\): 12.1	W
结 - 壳热阻（Typ/Max）	\(R_{thJC}\)	4.1 / 4.5	℃/W
结 - 环境热阻（Typ/Max）	\(R_{thJA}\)	40 / 43	℃/W
工作 / 存储温度范围	\(T_J、T_{STG}\)	-55~+150	℃

四、封装与应用场景

• 封装形式：PDFN3333 表面贴装封装，包装规格为 1000pcs / 卷，适配小型化、高密度电路板设计；
• 典型应用：
  • DC/DC 转换器：在低压降压拓扑中作为开关管，平衡损耗与电流承载能力；
  • 同步整流：适配低压电源的同步整流回路，降低整流损耗；
  • 负载开关：用于中功率负载的通断管理，支持各类设备的电源控制。

五、信息来源

威兆半导体官方产品手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际应用需以最新版手册及器件批次测试数据为准。）