选型手册：VSP007N12HS-G N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的 VSP007N12HS-G 是一款面向 120V 中压场景的 N 沟道增强型功率 MOSFET，基于 VeriMOS® II 技术实现高效能与快速开关特性，凭借低导通电阻与高可靠性，适用于中压 DC/DC 转换器、同步整流、电源管理系统等领域。

一、产品基本信息

• 器件类型：N 沟道增强型功率 MOSFET
• 核心参数：
  • 漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：120V，适配中压供电场景；
  • 导通电阻（\(R_{DS(on)}\)，\(V_{GS}=10V\)）：典型值 6.5mΩ，中压场景下传导损耗极低；
  • 连续漏极电流（\(I_D\)，\(V_{GS}=10V\)）：\(T_c=25^\circ\text{C}\) 时 67A，\(T_c=100^\circ\text{C}\) 时降额为 41A；
  • 脉冲漏极电流（\(I_{DM}\)）：\(T_c=25^\circ\text{C}\) 时 268A，满足负载瞬时大电流需求。

二、核心特性

• 增强型工作模式：适配常规中压功率转换拓扑的开关控制需求；
• VeriMOS® II 技术：实现快速开关特性与高能量转换效率，提升系统功率密度；
• 高可靠性设计：通过 100% 雪崩测试与 100% Rg 测试，单脉冲雪崩能量达 80mJ（\(T_c=25^\circ\text{C}\)），感性负载开关场景下稳定性优异；
• 环保合规：采用无铅引脚镀层，同时满足无卤要求，符合 RoHS 标准，适配绿色电子制造需求。

三、关键电气参数（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊说明）

参数	符号	数值（Rating）	单位
漏源极击穿电压	\(V_{DSS}\)	120	V
栅源极电压	\(V_{GS(MAX)}\)	±20	V
连续漏极电流（\(V_{GS}=10V\)）	\(I_D\)	\(T_c=25^\circ\text{C}\): 67；\(T_c=100^\circ\text{C}\): 41	A
脉冲漏极电流（\(V_{GS}=10V\)）	\(I_{DM}\)	\(T_c=25^\circ\text{C}\): 268；\(T_c=100^\circ\text{C}\): 208	A
连续漏极电流（\(V_{GS}=10V\)，环境温度）	\(I_{DSM}\)	\(T_a=25^\circ\text{C}\): 13；\(T_a=70^\circ\text{C}\): 10	A
单脉冲雪崩能量	\(E_{AS}\)	\(T_c=25^\circ\text{C}\): 80；\(T_c=100^\circ\text{C}\): 67	mJ
最大功耗	\(P_{DSM}\)	\(T_c=25^\circ\text{C}\): 80；\(T_c=100^\circ\text{C}\): 26；\(T_a=25^\circ\text{C}\): 20；\(T_a=70^\circ\text{C}\): 8	W
结 - 壳热阻（Typ/Max）	\(R_{thJC}\)	2.1 / 2.5	℃/W
结 - 环境热阻（Typ/Max）	\(R_{thJA}\)	40 / 48	℃/W
工作 / 存储温度范围	\(T_J、T_{STG}\)	-55~+150	℃

四、封装与应用场景

• 封装形式：PDFN5060X 表面贴装封装，包装规格为 3000pcs / 卷，适配高密度、高功率密度的电路板设计；
• 典型应用：
  • 中压 DC/DC 转换器：在 120V 级电源转换拓扑中作为主开关管，平衡耐压与能量转换效率；
  • 同步整流电路：适配中压电源的同步整流回路，降低整流损耗；
  • 中压电源管理系统：为工业或消费类设备的中压电源分配、电压调节环节提供高效开关控制。

五、信息来源

威兆半导体官方产品手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际应用需以最新版手册及器件批次测试数据为准。）