电子说
在电子设计的领域中,移位寄存器是一种基础且关键的元件,它在数据传输和存储方面发挥着重要作用。今天,我们将深入探讨安森美(onsemi)的两款高性能8位串行输入/串行或并行输出移位寄存器——MC74HC595A和MC74HCT595A,了解它们的特性、参数以及应用场景。
文件下载:onsemi MC74HC595A,MC74HCT595A SISO,SIPO移位寄存器.pdf
MC74HC595A和MC74HCT595A由一个8位移位寄存器和一个带三态并行输出的8位D型锁存器组成。移位寄存器负责接收串行数据,并提供串行输出,同时将并行数据传输到8位锁存器。这两个寄存器拥有独立的时钟输入,并且该器件还具备移位寄存器的异步复位功能。

这两款器件能够直接与CMOS微处理器(MPUs)和微控制器(MCUs)的SPI串行数据端口接口。其中,MC74HC595A的输入与标准CMOS输出兼容,搭配上拉电阻后,也能与TTL输出兼容;而MC74HCT595A的输入则与标准CMOS或TTL输出兼容。
具备驱动15个LSTTL负载的能力,其输出可直接与CMOS、NMOS和TTL接口,为不同类型的电路设计提供了便利。
输入电流仅为1.0μA,有助于降低系统的功耗,提高能源利用效率。
继承了CMOS器件的高抗噪特性,符合JEDEC标准No.7A的要求,能够在复杂的电磁环境中稳定工作。
芯片复杂度为328个FET或82个等效门,在保证性能的同时,实现了较高的集成度。
相较于HC595/HCT595,这两款产品在传播延迟、静态功耗、输入噪声和闩锁抗扰度等方面都有显著的改进。此外,带有 -Q后缀的产品适用于汽车和其他对独特场地和控制变更有要求的应用,并且通过了AEC - Q100认证,具备PPAP能力。
| 参数 | 符号 | 值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 直流电源电压 | Vcc | -0.5至 +6.5 | V |
| 直流输入电压 | VIN | -0.5至Vcc + 0.5 | V |
| 直流输出电压 | VouT | -0.5至Vcc + 0.5 | V |
| 每个引脚的直流输入电流 | IN | +20 | mA |
| 每个引脚的直流输出电流 | louT | ±35 | mA |
| 直流电源电流(Vc和GND引脚) | Icc | ±75 | mA |
| 输入钳位电流(ViIN<0或ViN>Vcc) | lK | +20 | mA |
| 输出钳位电流(VouT<0或Vou>Vcc) | lok | +20 | mA |
| 存储温度 | TSTG | -65至 +150 | ℃ |
| 引脚温度(距外壳1mm,持续10秒) | TL | 260 | ℃ |
| 偏置下的结温 | TJ | +150 | °C |
| 热阻(SOIC - 16) | 0JA | 126 | °/W |
| 热阻(QFN16) | 0JA | 118 | °/W |
| 热阻(TSSOP - 16) | 0JA | 159 | °/W |
| 25°C静止空气中的功耗(SOIC - 16) | PD | 995 | mW |
| 25°C静止空气中的功耗(QFN16) | PD | 1062 | mW |
| 25°C静止空气中的功耗(TSSOP - 16) | PD | 787 | mW |
| 湿度敏感度 | MSL | Level1 | - |
| 易燃性等级 | FR | UL94V - 0@ 0.125in(氧指数:28至34) | - |
| ESD耐受电压(人体模型) | VESD | >3000 | V |
不同的温度范围和测试条件下,两款产品在输入电压、输出电压、输入泄漏电流、三态泄漏电流和静态电源电流等方面都有明确的参数要求。例如,在不同的Vcc电压下,最小高电平输入电压(VIH)和最大低电平输入电压(VIL)会有所不同。
主要包括最大时钟频率(fmax)、传播延迟(tPLH、tPHL等)、输出转换时间(tTLH、tTHL)、输入电容(Cin)和三态输出电容(Cout)等参数。这些参数对于评估器件在动态工作时的性能至关重要。
涉及到最小建立时间(tsu)、最小保持时间(th)、最小恢复时间(trec)和最小脉冲宽度(tw)等。例如,串行数据输入A到移位时钟的最小建立时间(tsu)会随着Vcc的变化而改变。
通过功能表可以清晰地了解器件在不同输入条件下的工作状态,包括复位、数据移位、寄存器内容传输和输出使能等操作。
由于其具备串行输入和并行输出的特点,MC74HC595A和MC74HCT595A广泛应用于需要扩展I/O端口的场景,如LED显示驱动、数码管显示控制和传感器数据采集等。
MC74HC595A和MC74HCT595A以其高性能、宽工作电压范围和良好的兼容性,为电子工程师在设计中提供了可靠的选择。通过深入了解其特性和参数,我们能够更好地发挥这两款器件的优势,实现更高效、稳定的电路设计。在实际应用中,大家是否遇到过类似移位寄存器的使用问题?又是如何解决的呢?欢迎在评论区分享你的经验和见解。
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