电子说
在电力电子领域,IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块一直是实现高效电能转换的核心组件。今天,我们将深入探讨 onsemi 推出的 NXH800H120L7QDSG 半桥 IGBT 模块,看看它在性能、特性和应用方面有哪些独特之处。
文件下载:NXH800H120L7QDSG.pdf
NXH800H120L7QDSG 是一款额定电压为 1200V、电流为 800A 的半桥 IGBT 功率模块。它集成了 Field Stop Trench 7 IGBT 和 Gen. 7 二极管,这种先进的技术组合显著降低了导通损耗和开关损耗,为设计师们实现高效率和卓越可靠性的电源设计提供了有力支持。

NXH800H120L7QDSG 模块适用于多种电力电子应用场景,包括但不限于:
| 参数 | 条件 | 值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 集电极 - 发射极电压(VCES) | 栅极 - 发射极 = 0V | 1200 | V |
| 栅极 - 发射极电压(VGES) | 集电极 - 发射极 = 0V | ±20 | V |
| 连续集电极电流(IC) | TC = 90°C | ±800 | A |
| 重复脉冲集电极电流(IPULSE) | TC = 25°C,tp = 1ms | ±1600 | A |
| 工作结温(Tvjop) | - | -40~175 | °C |
| 模块短路耐受时间(TSCWT) | VGE ≤ 15V,VDC+ ≤ 800V | 8 | s |
| 隔离电压(Viso) | RMS,f = 60Hz,引脚到基板 | 3.4 | kV |
| 存储温度(TsTG) | - | -40~125 | °C |
| 主端子安装扭矩(MT) | M6 螺丝 | 6.0 | N·m |
| 散热器安装扭矩(MH) | M5 螺丝 | 推荐值 3.0 ~ 6.0 N·m |
| 参数 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 结到壳热阻(RthJCQ) | 每个 IGBT | - | - | 0.0498 | °C/W |
| 结到壳热阻(RthJCD) | 每个二极管 | - | - | 0.0889 | °C/W |
| 壳到散热器热阻(RthCHQ) | 每个 IGBT,1W/(m·K) 导热油脂 | - | 0.0282 | - | °C/W |
| 壳到散热器热阻(RthCHD) | 每个二极管,1W/(m·K) 导热油脂 | - | 0.0342 | - | °C/W |
IGBT 和二极管的电气特性涵盖了饱和电压、阈值电压、开关时间、能量损耗等多个方面。例如,在 25°C 时,IGBT 的集电极 - 发射极饱和电压典型值为 1.65V,二极管的正向电压典型值为 1.86V。这些参数对于评估模块在不同工作条件下的性能至关重要。
模块采用 PIM11 封装,尺寸为 152.00 x 62.15 x 17.00mm。详细的封装尺寸和引脚分配信息在文档中均有提供,方便设计师进行 PCB 布局和系统集成。同时,模块还提供了清晰的标记图和引脚描述,便于识别和连接。
onsemi 的 NXH800H120L7QDSG 半桥 IGBT 模块凭借其卓越的性能、完善的保护机制和便捷的设计特点,成为了高功率电力电子应用的理想选择。在实际设计过程中,设计师们需要根据具体的应用需求,合理选择模块的工作参数,并注意散热设计和安装扭矩等问题,以确保模块能够发挥最佳性能。
你在使用类似 IGBT 模块时遇到过哪些挑战?你认为在设计高功率电源系统时,最重要的考虑因素是什么?欢迎在评论区分享你的经验和见解。
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