安森美双NPN偏置电阻晶体管：简化电路设计的理想之选

在电子电路设计中，如何简化设计、降低成本并节省电路板空间一直是工程师们关注的重点。安森美（onsemi）推出的MUN5213DW1、NSBC144EDXV6和NSBC144EDP6系列双NPN偏置电阻晶体管（BRT），为解决这些问题提供了有效的解决方案。

文件下载：onsemi 双NPN双极数字晶体管.pdf

产品概述

这一系列数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极 - 发射极电阻。通过将这些组件集成到单个器件中，BRT消除了这些单独的组件，从而降低了系统成本并节省了电路板空间。

 

引脚连接

产品特性

设计与空间优势

• 简化电路设计：集成的偏置电阻网络减少了外部元件的使用，使电路设计更加简洁。
• 减少电路板空间：单个器件替代多个元件，有效节省了宝贵的电路板空间。
• 降低元件数量：减少了元件数量，降低了采购和库存管理的复杂性。

应用与合规性

• 汽车及其他应用适用：S和NSV前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用，并且符合AEC - Q101标准，具备PPAP能力。
• 环保合规：这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。

关键参数

最大额定值

额定值	符号	最大值	单位
集电极 - 基极电压	VcBO	50	Vdc
集电极 - 发射极电压	VCEO	50	Vdc
集电极电流 - 连续	Ic	100	mAdc
输入正向电压	VIN(fwd)	40	Vdc
输入反向电压	VIN(cev)	10	Vdc

需要注意的是，超过最大额定值表中列出的应力可能会损坏器件。如果超过这些限制，不能保证器件的功能，可能会发生损坏并影响可靠性。

热特性

不同封装和工作条件下的热特性有所不同，例如MUN5213DW1（SOT - 363）在一个结加热和两个结加热的情况下，总器件耗散、降额系数以及热阻等参数都有明确规定。这些热特性参数对于在实际应用中合理使用器件、确保其正常工作温度范围至关重要。

电气特性

在电气特性方面，包括截止特性、导通特性等都有详细的参数指标。例如，在截止特性中，集电极 - 基极截止电流（VCB = 50 V，IE = 0）最大为100 nAdc；在导通特性中，直流电流增益（IC = 5.0 mA，VCE = 10 V）在80 - 140之间。这些参数为工程师在设计电路时提供了准确的参考。

封装与订购信息

封装形式

该系列产品提供多种封装形式，如SOT - 363、SOT - 563和SOT - 963等，以满足不同应用场景的需求。

订购信息

器件	封装	包装
MUN5213DW1T1G, SMUN5213DW1T1G*	SOT - 363	3,000/卷带
MUN5213DW1T3G, NSVMUN5213DW1T3G*	SOT - 363	10,000/卷带
NSBC144EDXV6T1G, NSVBC144EDXV6T1G*	SOT - 563	4,000/卷带
NSBC144EDP6T5G	SOT - 963	8,000/卷带

典型特性曲线

文档中还提供了多种典型特性曲线，如VCE(sat)与集电极电流IC的关系曲线、直流电流增益曲线、输出电流与输入电压的关系曲线等。这些曲线直观地展示了器件在不同工作条件下的性能表现，有助于工程师更好地理解和应用这些器件。

机械尺寸与安装建议

详细给出了不同封装的机械尺寸图和推荐的安装尺寸，同时对尺寸标注和公差等方面进行了说明。此外，还提供了多种引脚分配的样式，方便工程师根据具体应用进行选择。

总结

安森美MUN5213DW1、NSBC144EDXV6和NSBC144EDP6系列双NPN偏置电阻晶体管以其集成化的设计、丰富的特性和详细的参数指标，为电子工程师在电路设计中提供了一个可靠且高效的选择。无论是在简化设计、降低成本还是节省空间方面，都具有显著的优势。在实际应用中，工程师可以根据具体的需求，结合器件的各项参数和特性曲线，合理选择封装形式和引脚分配样式，以实现最佳的电路性能。大家在使用这些器件的过程中，有没有遇到过一些特殊的问题或者有独特的应用经验呢？欢迎在评论区分享交流。