电子说
在电子设计领域,单稳态多谐振荡器是一种常用的电路元件,它能产生精确的脉冲信号,在定时、计数、脉冲整形等方面发挥着重要作用。今天我们要深入探讨的是Harris Semiconductor推出的CD54/74HC123、CD54/74HCT123、CD74HC423、CD74HCT423这几款高速CMOS逻辑双可重触发单稳态多谐振荡器。
文件下载:CD74HCT123MT.pdf
这几款器件是双单稳态多谐振荡器,具备可重触发功能,并且带有复位端。它们的主要区别在于,123类型可以由负到正的复位脉冲触发,而423类型则不具备这一特性。这些器件的输出脉冲宽度可以通过外部电阻($R{X}$)和外部电容($C{X}$)进行控制,从而实现较宽范围的脉冲宽度调节。
这些器件的工作原理基于单稳态多谐振荡器的基本原理,通过外部的$R{X}$和$C{X}$来控制输出脉冲的宽度。当触发信号到来时,电路进入暂稳态,输出脉冲开始,直到满足复位条件或暂稳态时间结束,输出脉冲终止。
| INPUTS | OUTPUTS | |||
|---|---|---|---|---|
| A | B | R | Q | Q |
| CD74HC/HCT123 | ||||
| H | X | H | L | H |
| X | L | H | L | H |
| L | ↑ | H | T | |
| ↑ | H | H | T | |
| X | X | L | L | H |
| L | H | ↑ | T | |
| CD74HC/HCT423 | ||||
| H | X | H | L | H |
| X | L | H | L | H |
| L | ↑ | H | T | |
| ↑ | H | H | T | |
| X | X | L | L | H |
其中,H表示高电压电平,L表示低电压电平,X表示无关。通过真值表,我们可以清晰地了解输入信号与输出信号之间的逻辑关系,从而更好地进行电路设计。
| 参数 | 数值 |
|---|---|
| DC Supply Voltage | -0.5V to 7V |
| DC Input Diode Current | ±20mA |
| DC Output Diode Current | ±20mA |
| DC Output Source or Sink Current per Output Pin | ±25mA |
| DC Vcc or Ground Current | ±50mA |
在设计电路时,必须确保器件的工作参数在这些绝对最大额定值范围内,否则可能会导致器件损坏。
不同封装的热阻不同,例如E(PDIP)封装的热阻为67°C/W,M(SOIC)封装为73°C/W等。同时,最大结温为150°C,最大存储温度范围为 -65°C 到 150°C。了解这些热信息对于合理选择封装和进行散热设计非常重要。
HC类型的工作电压范围为2V到6V,HCT类型为4.5V到5.5V。输入和输出电压也有相应的要求,输入上升和下降时间在不同电压下有不同的最大值限制。这些工作条件是保证器件正常工作的基础,设计时必须严格遵守。
包括高、低电平输入电压、高、低电平输出电压、输入泄漏电流、静态器件电流等参数。这些参数在不同的温度和电压条件下会有所变化,设计时需要根据具体的应用场景进行考虑。例如,在不同的负载类型(CMOS负载和TTL负载)下,输出电压的数值会有所不同。
在输入$t{r}$,$t{f}$ = 6ns,$R{X}$ = 10KΩ,$C{X}$ = 0的条件下,给出了触发传播延迟、复位传播延迟、输出转换时间等参数。这些参数反映了器件的开关速度和信号传输延迟,对于高速电路设计至关重要。
文档中给出了多个测试电路和波形图,如输出脉冲控制使用复位输入(R)的波形图、触发单稳态的波形图等。通过这些测试电路和波形,我们可以更直观地了解器件的工作过程和性能特点,同时也可以用于验证电路设计的正确性。
提供了多种封装选项,包括CDIP、PDIP、SOIC、SOP、TSSOP等。不同的封装在引脚数量、尺寸、热性能等方面有所不同,工程师可以根据实际需求选择合适的封装。例如,对于空间要求较高的应用,可以选择尺寸较小的SOIC或TSSOP封装;对于需要更好散热性能的应用,可以选择PDIP封装。
在使用这些器件时,需要注意静电放电问题,遵循正确的IC处理程序。同时,TI对提供的技术和可靠性数据等资源“按原样”提供,不承担任何明示或暗示的保证责任。工程师在设计过程中需要自行承担选择合适产品、设计和测试应用等责任。
这几款高速CMOS逻辑双可重触发单稳态多谐振荡器具有丰富的功能和良好的电气性能,适用于多种电子设计场景。作为电子工程师,在使用这些器件时,需要深入了解其特性和参数,结合具体的应用需求进行合理设计,以确保电路的稳定性和可靠性。你在实际应用中是否遇到过类似器件的设计难题呢?欢迎在评论区分享你的经验和见解。
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