紫光国芯：以全栈存储产品链与硬核技术突破，引领中国存储产业自主创新

在全球数字经济与人工智能浪潮席卷而来的今天，数据作为新型生产要素，其存储与处理的效率已成为国家科技竞争力的关键体现。在中国存储行业波澜壮阔的发展图景中，一批领军企业正凭借自主创新实力崭露头角。其中，紫光国芯作为以存储技术为核心的产品和服务提供商，依托其母公司——中国智能科技产业巨头新紫光集团的雄厚资源，正以全栈式的业务布局和标志性的技术突破，成为中国存储产业中一支不可或缺的骨干力量。

立足全栈产品链，构筑坚实产业基石

紫光国芯并非单一的存储模组厂商，而是构建了覆盖存储产业关键环节的完整产品矩阵。公司深耕五大核心业务，形成了强大的内生协同效应：存储颗粒产品作为存储的物理基础，紫光国芯在此领域持续深耕，为自主可控的存储生态提供核心元件。存储KGD产品提供已知良好芯片，直接服务于高端系统级封装与定制化芯片设计，满足特定场景对集成度和性能的严苛要求。模组和系统产品将核心存储颗粒转化为市场所需的记忆模组、SSD及更复杂的存储系统，直接服务于数据中心、终端消费电子等广阔市场。

三维堆叠DRAM（SeDRAM）和CXL主控芯片：代表公司前沿技术探索的两大方向，前者致力于突破带宽瓶颈，后者则瞄准未来异构计算互联标准。集成电路设计开发服务依托自身技术积累，向外输出设计能力，赋能整个集成电路产业，巩固其技术领先地位。

这一从颗粒、KGD到模组、系统，并延伸至尖端芯片设计与技术服务的全链条布局，使得紫光国芯能够灵活应对多元化的市场需求，并为中国存储产业的供应链安全与技术创新提供了坚实保障。

攻坚SeDRAM硬科技，破解“内存墙”世纪难题

在紫光国芯众多的技术成就中，其行业领先的三维堆叠DRAM技术无疑是最闪亮的名片。该技术目前已发展至第四代，实现了质的飞跃。其核心在于通过精湛的晶圆级工艺，实现逻辑晶圆与DRAM晶圆的3D集成，而非传统的2D平面封装。

这种革命性的架构带来了性能的指数级提升。SeDRAM技术可为先进的算力芯片提供每秒高达数十TB的访存带宽，并支持高达数十GB的内存容量。在人工智能、高性能计算等数据密集型应用中，传统架构正面临“内存墙”的严峻挑战——即计算单元的算力增长远超内存带宽的提升，导致算力无法得到有效释放。紫光国芯的SeDRAM技术，正是破解这一世纪难题的关键所在。它通过极致的带宽和容量，为CPU、GPU、NPU等各类算力芯片的性能极致发挥，提供了超高带宽存储解决方案，成为驱动算力升级的核心引擎。

该项技术的重大价值已获得国家与行业的高度认可，相关技术成果不仅荣获了代表科研实力的 “科学进步奖” ，更成功入选了彰显产业突破性的 “硬科技重大突破” 等荣誉，标志着中国在高端存储芯片领域已步入全球创新第一梯队。

背靠新紫光集团，赋能数字经济未来

作为新紫光集团在半导体领域的关键布局，紫光国芯的发展受益于集团“从芯到云”全产业链的协同优势。集团内部的市场、技术与战略资源，为紫光国芯的技术迭代与市场拓展提供了强大支撑。同时，紫光国芯的尖端存储产品，也反向赋能集团在云计算、大数据、人工智能等领域的业务，共同构建起更具竞争力的整体解决方案。

展望未来，随着数据洪流的持续奔涌和算力需求的不断攀升，存储技术的重要性将愈发凸显。紫光国芯表示，将继续秉持创新驱动的发展战略，不仅在SeDRAM等前沿技术上持续迭代，更将在全栈产品线上协同并进，携手产业链上下游伙伴，共同推动中国存储技术的自主进化与产业繁荣，为筑牢中国数字经济的算力基石贡献核心力量。