选型手册：VSE025N10HS N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管

威兆半导体推出的 VSE025N10HS 是一款面向 100V 中压场景的 N 沟道增强型功率 MOSFET，具备快速开关特性与高可靠性，适配中压 DC/DC 转换器、同步整流、中功率负载开关等领域。

一、产品基本信息

• 器件类型：N 沟道增强型功率 MOSFET
• 核心参数：
  • 漏源极击穿电压（\(V_{DSS}\)）：100V，适配中压供电场景；
  • 导通电阻（\(R_{DS(on)}\)，\(V_{GS}=10V\)）：典型值 20mΩ，中压场景下传导损耗可控；
  • 连续漏极电流（\(I_D\)，\(V_{GS}=10V\)）：
    • 结温约束（\(T_c=25^\circ\text{C}\)）：28A；\(T_c=100^\circ\text{C}\) 时降额为 18A；
    • 环境温约束（\(T_a=25^\circ\text{C}\)）：8A；\(T_a=70^\circ\text{C}\) 时降额为 5A；
  • 脉冲漏极电流（\(I_{DM}\)）：118A（\(T_c=25^\circ\text{C}\)），满足负载瞬时大电流需求。

二、核心特性

• 快速开关 + 高能量效率：适配高频开关应用场景，降低开关损耗；
• 100% 可靠性测试：通过 100% 雪崩测试与 100% Rg 测试，单脉冲雪崩能量达 421mJ，感性负载开关场景下稳定性优异；
• 环保合规：采用无铅引脚镀层，满足无卤要求且符合 RoHS 标准，适配绿色电子制造需求。

三、关键电气参数（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊说明）

参数	符号	数值（Rating）	单位
漏源极击穿电压	\(V_{DSS}\)	100	V
栅源极电压	\(V_{GS(MAX)}\)	±20	V
二极管连续正向电流	\(I_S\)	200	A
连续漏极电流（\(V_{GS}=10V\)，结温约束）	\(I_D\)	\(T_c=25^\circ\text{C}\): 28；\(T_c=100^\circ\text{C}\): 18	A
脉冲漏极电流	\(I_{DM}\)	118	A
连续漏极电流（\(V_{GS}=10V\)，环境温约束）	\(I_{DSM}\)	\(T_a=25^\circ\text{C}\): 8；\(T_a=70^\circ\text{C}\): 5	A
单脉冲雪崩能量	\(E_{AS}\)	421	mJ
最大功耗（结温约束）	\(P_D\)	\(T_c=25^\circ\text{C}\): 12；\(T_c=100^\circ\text{C}\): 2.9	W
最大功耗（环境温约束）	\(P_{DSM}\)	\(T_a=25^\circ\text{C}\): 2.3；\(T_a=70^\circ\text{C}\): 1	W
结 - 壳热阻（Typ/Max）	\(R_{thJC}\)	2.2 / 2.6	℃/W
结 - 环境热阻（Typ/Max）	\(R_{thJA}\)	46 / 55	℃/W
工作 / 存储温度范围	\(T_J、T_{STG}\)	-55~+150	℃

四、封装与应用场景

• 封装形式：PDFN3333 表面贴装封装，包装规格为 5000pcs / 卷，适配小型化、高密度电路板设计；
• 典型应用：
  • 中压 DC/DC 转换器：在 100V 级降压拓扑中作为开关管，平衡耐压与电流承载能力；
  • 同步整流电路：适配中压电源的同步整流回路，降低整流损耗；
  • 中功率负载开关：用于工业设备、消费电子的中功率负载通断管理。

五、信息来源

威兆半导体官方产品手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际应用需以最新版手册及器件批次测试数据为准。）