基于偏置电阻晶体管（BRT）的数字晶体管系列MUN2231等产品解析

在电子电路设计中，晶体管的合理选择和应用对于电路性能起着关键作用。今天，我们就来深入探讨ON Semiconductor推出的MUN2231、MMUN2231L、MUN5231、DTC123EE、DTC123EM3、NSBC123EF3这一系列数字晶体管。

文件下载：onsemi MMUN2231L NPN双极数字晶体管.pdf

产品概述

这一系列数字晶体管属于NPN晶体管，内置了单片偏置电阻网络（BRT）。它的设计初衷是替代单个晶体管及其外部电阻偏置网络。BRT将一个晶体管与由两个电阻（串联基极电阻和基极 - 发射极电阻）组成的单片偏置网络集成在一个器件中，这种集成方式不仅能降低系统成本，还能节省电路板空间。
 

引脚连接

产品特性

简化电路设计

将偏置电阻集成到晶体管中，减少了外部元件的使用，使电路设计更加简洁，降低了设计难度和复杂度。

节省电路板空间

集成化的设计减少了元件数量，从而减少了电路板上的占位面积，有助于实现更紧凑的电路布局。

降低元件数量

减少了分立元件的使用，降低了元件采购、库存管理和组装的成本，同时也提高了电路的可靠性。

汽车及其他应用适用

带有NSV前缀的产品适用于汽车和其他有独特场地和控制变更要求的应用，并且通过了AEC - Q101认证，具备PPAP能力。

环保合规

这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准，满足环保要求。

产品参数

最大额定值

额定值	符号	最大值	单位
集电极 - 基极电压	VCBO	50	Vdc
集电极 - 发射极电压	VCEO	50	Vdc
集电极连续电流	Ic	100	mAdc
输入正向电压	VIN/(fwd)	12	Vdc
输入反向电压	VIN(rev)	10	Vdc

需要注意的是，超过最大额定值可能会损坏器件，影响其功能和可靠性。

热特性

不同封装的产品热特性有所不同，以常见的SC - 59（MUN2231）和SOT - 23（MMUN2231L）封装为例：

• SC - 59（MUN2231）：在TA = 25°C时，总器件耗散功率为230 - 338mW，热阻（结到环境）为540 - 370°C/W，结和存储温度范围为 - 55°C到 + 150°C。
• SOT - 23（MMUN2231L）：TA = 25°C时，总器件耗散功率为246 - 400mW，热阻（结到环境）为508 - 311°C/W，结和存储温度范围同样为 - 55°C到 + 150°C。

电气特性

特性	符号	最小值	典型值	最大值	单位
截止特性
集电极 - 基极截止电流（VcB = 50V，IE = 0）	ICBO			100	nAdc
集电极 - 发射极截止电流（VcE = 50V，lg = 0）	ICEO			500	nAdc
发射极 - 基极截止电流（VEB = 6.0V，lc = 0）	EBO			2.3	mAdc
集电极 - 基极击穿电压（lc = 10μA，IE = 0）	V(BR)CBO	50			Vdc
集电极 - 发射极击穿电压（lc = 2.0mA，lg = 0）	V(BR)CEO	50			Vdc
导通特性
直流电流增益（lc = 5.0mA，VcE = 10V）	hFE	8.0	15
集电极 - 发射极饱和电压（lc = 10mA，lg = 5.0mA）	VCE(sat)			0.25	Vdc
输入电压（关）（VcE = 5.0V，lc = 100μA）	Vi(off)		1.2	0.5	Vdc
输入电压（开）（VcE = 0.3V，Ic = 20mA）	Vion)	2.0	1.7		Vdc
输出电压（开）（Vcc = 5.0V，VB = 2.5V，RL = 1.0kΩ）	VoL			0.2	Vdc
输出电压（关）（Vcc = 5.0V，VB = 0.25V，R = 1.0kΩ）	VoH	4.9	-	-	Vdc
输入电阻	R1	1.5	2.2	2.9	kΩ
电阻比	R1/R2	0.8	1.0	1.2

这些电气特性是在TA = 25°C的条件下测量的，实际应用中可能会因工作条件的不同而有所变化。

产品封装与订购信息

封装形式

该系列产品提供多种封装形式，如SC - 59、SOT - 23、SC - 70/SOT - 323、SC - 75、SOT - 723和SOT - 1123等，不同的封装适用于不同的应用场景和电路板布局要求。

订购信息

器件	零件标记	封装	包装
MUN2231T1G	8H	SC - 59（无铅）	3000/卷带和卷盘
MMUN2231LT1G，NSVMMUN2231LT1G*	A8H	SOT - 23（无铅）	3000/卷带和卷盘
MUN5231T1G	8H	SC - 70/SOT - 323（无铅）	3000/卷带和卷盘
DTC123EET1G	8H	SC - 75（无铅）	3000/卷带和卷盘
DTC123EM3T5G，NSVDTC123EM3T5G	8H	SOT - 723（无铅）	8000/卷带和卷盘
NSBC123EF3T5G	E(180°)**	SOT - 1123（无铅）	8000/卷带和卷盘

典型特性曲线

文档中提供了一系列典型特性曲线，如VCE(sat)与IC的关系、直流电流增益、输出电容、输出电流与输入电压的关系等。这些曲线有助于工程师更好地了解产品在不同工作条件下的性能表现，从而进行合理的电路设计和参数调整。

机械尺寸与安装信息

文档详细给出了不同封装的机械尺寸和安装信息，包括SC - 70（SOT - 323）、SC75 - 3、SOT - 1123、SOT - 723等封装的尺寸图和公差要求。同时，还提供了推荐的焊接和安装技术参考手册，帮助工程师正确地进行产品的安装和焊接。

总结

ON Semiconductor的MUN2231、MMUN2231L、MUN5231、DTC123EE、DTC123EM3、NSBC123EF3系列数字晶体管以其集成化的设计、丰富的特性和多样的封装形式，为电子工程师提供了一种高性能、低成本、节省空间的解决方案。在实际应用中，工程师可以根据具体的电路需求和设计要求，选择合适的产品和封装形式，同时要注意产品的最大额定值和工作条件，以确保电路的可靠性和稳定性。大家在使用这些产品时，有没有遇到过什么特别的问题或者有什么独特的应用经验呢？欢迎在评论区分享交流。