深入解析 onsemi NFAM2512L7B 智能功率模块:设计与应用指南

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深入解析 onsemi NFAM2512L7B 智能功率模块:设计与应用指南

在工业驱动、自动化等领域,智能功率模块(IPM)是实现高效、可靠电机控制的关键组件。今天,我们来详细探讨 onsemi 的 NFAM2512L7B 智能功率模块,它为交流感应、无刷直流(BLDC)和永磁同步(PMSM)电机提供了高性能的逆变器输出级解决方案。

文件下载:onsemi NFAM2512L7B智能电源模块 (IPM).pdf

模块概述

NFAM2512L7B 是一款先进的 IPM 模块,集成了优化的 IGBT 栅极驱动,能有效降低电磁干扰(EMI)和损耗。它具备多种保护功能,如欠压锁定、过流关断、驱动 IC 热监测和故障报告等。内置的高速高压集成电路(HVIC)仅需单电源电压,可将输入的逻辑电平栅极输入转换为驱动内部 IGBT 所需的高压、大电流驱动信号。每个相位都有独立的负 IGBT 端子,支持各种控制算法。

IPM

模块特性

电气与散热特性

  • 高耐压大电流:该模块为 1200V 25A 的三相 FS7 IGBT 逆变器,包含用于栅极驱动和保护的控制 IC。
  • 低热阻设计:采用 Al₂O₃ 直接键合铜(DBC)基板,具有极低的热阻,有助于提高模块的散热性能,保证其在高温环境下稳定工作。

保护与接口特性

  • 多重保护功能:内置欠压保护(UVP)、自举二极管/电阻,以及独立的低端 IGBT 发射极连接,可实现各相的独立电流检测。同时,还配备温度传感器(LVIC 输出 TSU),能实时监测模块温度。
  • 安全认证:获得 UL 认证(E209204),且为无铅器件,符合环保要求。
  • 逻辑接口:采用有源逻辑接口,方便与外部控制系统进行连接和通信。

典型应用场景

NFAM2512L7B 适用于多种工业应用,如工业驱动器、工业泵、工业风扇和工业自动化等。在这些应用中,模块的高性能和可靠性能够满足复杂的工业环境需求。

引脚配置与描述

引脚配置

模块采用 DIP39 封装,引脚配置清晰合理,方便用户进行电路设计和连接。

引脚描述

引脚功能丰富,涵盖了高侧和低侧的偏置电压、信号输入、故障输出、温度传感等多种功能。例如,VS(U) 为 U 相 IGBT 驱动的高侧偏置电压地,HIN(U) 为高侧 U 相的信号输入,VFO 为故障输出等。在设计电路时,需要特别注意这些引脚的连接和使用,避免出现错误。

电气特性与参数

绝对最大额定值

  • 逆变器部分:包括电源电压、集电极 - 发射极电压、IGBT 集电极电流等参数。例如,电源电压 VPN 最大为 900V,IGBT 集电极电流 ±lc 为 25A,峰值电流 ±lcp 为 50A(在特定条件下)。
  • 控制部分:控制电源电压 VDD 最大为 20V,高侧控制偏置电压 VBS 最大为 20V 等。
  • 总系统:自保护电源电压极限 VPN(PROT) 为 800V,工作结温 Tj 范围为 -40~150°C,存储温度 Tstg 范围为 -40~125°C,隔离电压 Viso 为 2500Vrms。

电气特性

  • 逆变器部分:如集电极 - 发射极漏电流 Ices、集电极 - 发射极饱和电压 VCE(sat)、正向电压 VF 等参数。这些参数会随着温度和工作条件的变化而有所不同,在实际应用中需要根据具体情况进行考虑。
  • 控制部分:包括静态和动态的电源电流、阈值电压、过流跳闸电平、欠压保护检测和复位电平、温度传感电压输出等参数。这些参数对于保证模块的正常工作和保护功能的实现至关重要。
  • 自举部分:自举二极管正向电流 VF 和内置限流电阻 RBOOT 等参数,影响着模块的自举电路性能。

推荐工作条件

为了确保模块的性能和可靠性,建议在以下条件下工作:

  • 电源电压:VPN 范围为 600~800V,VDD 范围为 13.5~16.5V,VBS 范围为 13.0~18.5V。
  • 控制电源变化率:dVDD/dt 和 dVBS/dt 范围为 -1~1V/μs。
  • 消隐时间:Tdead 为 1.5μs,用于防止桥臂短路。
  • PWM 输入信号:频率 fPWM 范围为 1~20kHz,在不同的工作温度和频率下,模块的允许均方根电流 lo 会有所不同。
  • 输入脉冲宽度:最小输入脉冲宽度 PWIN(ON) 为 1.0μs,PWIN(OFF) 为 2.0μs。
  • 封装安装扭矩:M3 型螺丝的安装扭矩范围为 0.6~0.9Nm。

保护功能与时间图表

欠压保护

  • 低侧欠压保护:当控制电源电压上升到 UVDDR 以上时,电路开始工作。检测到欠压(UVDDD)时,IGBT 关断,故障输出开始,直到电压恢复到 UVDDR 以上,IGBT 才会再次开启。
  • 高侧欠压保护:原理与低侧类似,但检测到欠压时没有故障输出信号。

短路电流保护

检测到短路电流(SC 触发)时,所有低侧 IGBT 的栅极被强制中断,IGBT 关断,故障输出开始。在故障输出期间,即使输入为高电平,IGBT 也不会开启,直到下一个低到高的信号触发。

典型应用电路设计要点

在设计典型应用电路时,需要注意以下几点:

  • 布线:每个输入的布线应尽可能短(小于 2 - 3cm),以减少干扰。同时,要尽量减小每个布线图案的电感,推荐使用表面贴装(SMD)型的分流电阻,并将布线尽可能靠近分流电阻的端子连接。
  • 电容安装:每个电容应尽可能靠近模块的引脚安装,以保证电路的稳定性。
  • VFO 输出:VFO 输出为开漏类型,需要用一个电阻将该信号线拉到 MCU 或控制电源的正极,使 IFO 达到 1mA。
  • 输入信号处理:输入信号为高电平有效类型,IC 内部有一个 5k 电阻将每个输入信号线拉到地。为防止输入信号振荡,应采用 RC 耦合电路,RC 时间常数应选择在 50~150ns 范围内(推荐 R = 100Ω,C = 1nF)。
  • 短路保护电路:在短路保护电路中,应选择 RC 时间常数在 1.5~2s 范围内,并在实际系统中进行充分评估,因为短路保护时间可能会因布线图案布局和 RC 时间常数的值而有所不同。
  • 浪涌保护:为防止浪涌破坏,缓冲电容与 P 和 GND 引脚之间的布线应尽可能短,推荐在 P 和 GND 引脚之间使用约 0.1~0.22μF 的高频无感电容。同时,应采用齐纳二极管或瞬态电压抑制器保护 IC 免受浪涌破坏。
  • 电容选择:VDD 电解电容建议比 VBS 电解自举电容大约 7 倍,VBS 电解自举电容应选择具有良好温度特性的产品。此外,推荐使用 0.1~0.2μF 的 R 类陶瓷电容,具有良好的温度和频率特性。
  • 故障输出调整:故障输出脉冲宽度可以通过连接到 CFOD 端子的电容进行调整。
  • CIN 电容:为防止保护功能出错,CIN 电容应尽可能靠近 CIN 和 VSS 引脚放置。

总结

onsemi 的 NFAM2512L7B 智能功率模块凭借其高性能、多重保护功能和丰富的特性,为工业电机控制提供了可靠的解决方案。在设计应用电路时,需要充分考虑模块的电气特性、推荐工作条件和保护功能,严格按照设计要点进行布线和元件选择,以确保模块的正常工作和系统的稳定性。你在使用类似模块时遇到过哪些问题呢?欢迎在评论区分享你的经验和见解。

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